米6体育平台手机版

ZHCSVQ6 April 2024 DLPC7530

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

ZDC|676
- MPBGAP5

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsvq6_oa

5.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

参数		容差	最小值	标称值	最大值	单位
V_(VDD115)（内核）	1.15V 电源	±4.35% 容差	1.10	1.15	1.20	V
V_{(VDD115_PLLMA)}（内核）	1.15V 数字电源 - MCG-A PLL （控制器时钟发生器）	+4.35/–9.13% 容差	1.045	1.15	1.20	V
V_{(VDD115_PLLMB)}（内核）	1.15V 数字电源 - MCG-B PLL （控制器时钟发生器）	+4.35/–9.13% 容差	1.045	1.15	1.20	V
V_{(VDD115_PLLS)}（内核）	1.15V 模拟电源 - SCG 倍频器 PLL	+4.35/–9.13% 容差	1.045	1.15	1.20	V
V_{(VAD115_FPD)}（内核）	1.15V 模拟电源 - FPD	+4.35/–9.13% 容差	1.045	1.15	1.20	V
V_{(VAD115_VX1)}（内核）	1.15V 模拟电源 - VX1	+4.35/–9.13% 容差	1.045	1.15	1.20	V
V_{(VAD115_HSSI)}（内核）	1.15V 模拟电源 - HSSI	+4.35/–9.13% 容差	1.045	1.15	1.20	V
ΔV_{(VAD115_HSSI)}（内核）	10MHz 时的 pk-pkVAD115_HSSI 电源噪声（正弦）				20	mV
V_{(VAD115_HSSI0_PLL)}（内核）	1.15V 模拟电源 - HSSI0 PLL	+4.35/–9.13% 容差	1.045	1.15	1.20	V
ΔV_{(VAD115_HSSI0_PLL)}（内核）	10MHz 时的 pk-pkVAD115_HSSI0_PLL 电源噪声（正弦）				20	mV
V_{(VAD115_HSSI1_PLL)}（内核）	1.15V 模拟电源 - HSSI1 PLL	+4.35/–9.13% 容差	1.045	1.15	1.20	V
ΔV_{(VAD115_HSSI1_PLL)}（内核）	10MHz 时的 pk-pkVAD115_HSSI1_PLL 电源噪声（正弦）				20	mV
V_{(VDD121_SCS)}（内核）	1.21V 数字电源 - SCS DRAM	+7.43/–4.95% 容差	1.15	1.21	1.30	V
V_{(VAD18_PLLMA)}（内核）	1.8V模拟电源 - MCG-A PLL （控制器时钟发生器）	±5.0% 容差	1.71	1.80	1.89	V
V_{(VAD18_PLLMB)}（内核）	1.8V 模拟电源 - MCG-B PLL （控制器时钟发生器）	±5.0% 容差	1.71	1.80	1.89	V
V_{(VAD18_VX1)} (I/O)	1.8V 模拟电源 - VX1 接口	±5.0% 容差	1.71	1.80	1.89	V
V_{(VDD18_SCS)}（内核）	1.8V 数字电源 - SCS DRAM	±5.0% 容差	1.71	1.80	1.89	V
V_{(VDD18_LVDS)} (I/O)	1.8V 模拟电源 - DMD LS 接口	±5.0% 容差	1.71	1.80	1.89	V
V_(VDD33) (I/O)	3.3V 数字电源 -（所有 3.3V I/O，不带专用 3.3V 电源 - 例如 GPIO）	±5.0% 容差	3.135	3.3	3.465	V
V_{(VAD33_OSCA)} (I/O)	3.3V 模拟电源 - 晶振 OSCA 接口	±5.0% 容差	3.135	3.3	3.465	V
V_{(VAD33_OSCB)} (I/O)	3.3V 模拟电源 - 晶振 OSCB 接口	±5.0% 容差	3.135	3.3	3.465	V
V_{(VDD33_FPD)} (I/O)	3.3V 数字电源 - FPD 接口	±5.0% 容差	3.135	3.3	3.465	V
V_{(VAD33_USB)} (I/O)	3.3V 模拟电源 - USB 接口	±5.0% 容差	3.135	3.3	3.465	V
V_{(VDD33_HSSI)} (I/O)	3.3V 数字电源 - DMD HSSI 接口	±5.0% 容差	3.135	3.3	3.465	V
ΔV_{(VDD33_HSSI)} (I/O)	10MHz 时的 pk-pkVDD33_HSSI 电源噪声（正弦）				60	mV
常规
T_J	工作结温		0		115	°C
T_C	工作外壳温度		0		108	°C
T_A	工作环境温度⁽¹⁾⁽²⁾		0		55	°C

(1) 工作环境温度范围值是根据节 9.1.1中所述的电路板设计参数（而不是使用 JEDEC JESD51 标准测试卡和环境）以及整个工艺、电压和温度范围内的最小和最大估算功率耗散确定的。影响 R_θJA 的环境热条件件因应用而异。因此，最高工作环境温度因应用而异。

T_{a_min} = T_{j_min} – (P_{d_min} × R_θJA) = 0°C – (host_min_valueW × host_value°C/W) = –host_calculated_value°C
T_{a_max} = T_{j_max} – (P_{d_max} × R_θJA) = +115°C – (host_max_valueW × host_value°C/W) = +host_calculated_value°C

(2) 工作环境温度取决于系统热设计。在整个环境温度条件下，工作外壳温度不能超过其额定范围。