ZHCSKM7G december 2019 – july 2023 DP83826E , DP83826I
PRODUCTION DATA
参数 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | |
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上电时序 | |||||
T1 | 电压斜坡持续时间(0% 至 100% VDDIO) | 0.5 | 50 | ms | |
T2,(2) | 电源时序控制 VDDA3V3,后跟 VDDIO 或 VDDIO,后跟 VDDA3V3(5) | 0 | 200 | ms | |
T3 | 电压斜坡持续时间(VDDA3V3 的 0% 至 100%) | 0.5 | 50 | ms | |
T4 | POR 释放时间/加电至 SMI 就绪:用于寄存器访问的前导码前上电稳定时间 | 50 | ms | ||
T5 | 加电至 FLP | 1500 | ms | ||
VDDA3V3 上的基座电压,电源斜升前的 VDDIO | 0.3 | V | |||
复位时序 | |||||
T1 | 复位脉冲宽度:能够复位的最小复位脉冲宽度(无消抖电容) | 25 | us | ||
T2 | 重置为 SMI 就绪:用于寄存器访问的前导码前复位后稳定时间 | 2 | ms | ||
T3 | 到 FLP 的复位 | 1500 | ms | ||
重置为 100M 信令(捆绑模式) | 0.5 | ms | |||
重置为 RMII 主时钟 | 0.2 | ms | |||
快速链路脉冲时序 | |||||
T1 | 时钟脉冲到时钟脉冲周期 | 111 | 125 | 139 | μs |
T2 | 时钟脉冲到数据脉冲周期 | 55.5 | 62.5 | 69.5 | μs |
T3 | 时钟/数据脉冲宽度 | 104 | ns | ||
T4 | FLP 突发到 FLP 突发周期 | 8 | 16 | 24 | ms |
T5 | FLP 突发宽度 | 2 | ms | ||
突发宽度脉冲 | 17 | 33 | |||
链路接通时序 | |||||
使用搭接启用快速链路丢弃,150 米电缆 | 10 | us | |||
使用模式 1 的快速链路丢弃时间(信号/能量损失指示) | 10 | us | |||
使用模式 2 的快速链路丢弃时间(低 SNR 阈值) | 10 | us | |||
使用模式 3 的快速链路丢弃时间(MLT3 错误计数)(4) | 10 | us | |||
使用模式 4 的快速链路丢弃时间(RX 错误计数) | 10 | us | |||
使用模式 5 的快速链路丢弃时间(解扰器链路丢弃)(4) | 11 | us | |||
100M EEE 时序 | |||||
睡眠时间 | 210 | us | |||
静态时间 | 20 | ms | |||
唤醒时间 (Tw_sys_tx) | 36 | us | |||
刷新时间 | 200 | µs | |||
100M MII 接收时序 | |||||
T1 | RX_CLK 高电平/低电平时间 | 16 | 20 | 24 | ns |
T2 | RX_D[3:0],从 RX_CLK 上升的 RX_ER、RX_DV 延迟 | 10 | 30 | ns | |
100M MII 传输时序 | |||||
T1 | TX_CLK 高电平/低电平时间 | 16 | 20 | 24 | ns |
T2 | TX_D[3:0],TX_ER、TX_EN 设置为 TX_CLK | 10 | ns | ||
T3 | TX_D[3:0],来自 TX_CLK 的 TX_ER、TX_EN 保持 | 0 | ns | ||
10M MII 接收时序 | |||||
T1 | RX_CLK 高电平/低电平时间(3) | 160 | 200 | 240 | ns |
T2 | RX_D[3:0],从 RX_CLK 上升的 RX_ER、RX_DV 延迟(3) | 100 | 300 | ns | |
10M MII 传输时序 | |||||
T1 | TX_CLK 高电平/低电平时间 | 190 | 200 | 210 | ns |
T2 | TX_D[3:0],TX_ER、TX_EN 设置为 TX_CLK | 25 | ns | ||
T3 | TX_D[3:0],来自 TX_CLK 的 TX_ER、TX_EN 保持 | 0 | ns | ||
100M RMII 主时序 | |||||
RMII 主时钟周期 | 20 | ns | |||
RMII 主时钟占空比 | 35 | 65 | % | ||
100M RMII 时序 | |||||
T2 | TX_D[1:0],TX_ER、TX_EN 设置为参考时钟上升沿 | 4 | ns | ||
T3 | 来自参考时钟上升沿的 TX_D[1:0]、TX_ER、TX_EN 保持 | 2 | ns | ||
T4 | 来自参考时钟上升的 RX_D[1:0]、RX_ER、CRS_DV 延迟 | 4 | 14 | ns | |
SMI 时序 | |||||
T1 | MDC 至 MDIO(输出)延迟时间 | 0 | 13 | ns | |
T2 | MDIO(输入)至 MDC 建立时间 | 10 | ns | ||
T3 | MDIO(输入)至 MDC 保持时间 | 10 | ns | ||
T4 | MDC 频率 | 2.5 | 24 | MHz | |
输出时钟时序(50M RMII 主时钟) | |||||
频率 (PPM) | 50 | ppm | |||
抖动(长期 500 周期) | 450 | ps | |||
上升/下降时间 | 5 | ns | |||
占空比 | 40 | 60 | % | ||
输出时钟时序(25M 时钟输出) | |||||
频率 (PPM) | 50 | ppm | |||
占空比 | 35 | 65 | % | ||
上升时间 | 4000 | ps | |||
下降时间 | 5000 | ps | |||
抖动(长期:500 个周期) | 300 | ps | |||
抖动(短期) | 250 | ps | |||
频率 | 25 | MHz | |||
25MHz 输入时钟容差 | |||||
频率容差 | -100 | 100 | ppm | ||
上升/下降时间 | 5 | ns | |||
抖动容差 (RMS) | 50 | ps | |||
1kHz 时的输入相位噪声 | -98 | dBc/Hz | |||
10kHz 时的输入相位噪声 | -113 | dBc/Hz | |||
100kHz 时的输入相位噪声 | -113 | dBc/Hz | |||
1MHz 时的输入相位噪声 | -113 | dBc/Hz | |||
10MHz 时的输入相位噪声 | -113 | dBc/Hz | |||
占空比 | 40 | 60 | % | ||
50MHz 输入时钟容差 | |||||
频率容差 | -100 | 100 | ppm | ||
上升/下降时间 | 5 | ns | |||
抖动容差 (RMS) | 50 | ps | |||
源自相位噪声的抖动容差长期抖动(100,000 个周期) | ps | ||||
1kHz 时的输入相位噪声 | -87 | dBc/Hz | |||
10kHz 时的输入相位噪声 | -107 | dBc/Hz | |||
100kHz 时的输入相位噪声 | -107 | dBc/Hz | |||
1MHz 时的输入相位噪声 | -107 | dBc/Hz | |||
10MHz 时的输入相位噪声 | -107 | dBc/Hz | |||
占空比 | 40 | 60 | % | ||
延迟时序 | |||||
MII 100M Tx(MII 到 MDI):上升沿 TX_CLK 在 MDI 上置位 TX_EN 至 SSD 符号、启用 FAST RX_DV、100 米电缆 | 38 | 40 | ns | ||
MII 100 Rx(MDI 到 MII):MDI 上的 SSD 符号到 RX_CLK 的上升沿、RX_DV 置位、启用 FAST RX_DV、100 米电缆 | 166 | 170 | ns | ||
MII 10M Tx(MII 到 MDI):在 MDI 上设置 TX_EN 至 SSD 符号的上升沿 TX_CLK | 540 | ns | |||
RMII 从器件 100M Tx(RMII 到 MDI):从器件 RMII 上升沿 XI 时钟,在 MDI 上置位 TX_EN 至 SSD 符号,启用 FAST RX_DV,100 米电缆 | 88 | 96 | ns | ||
RMII 主器件 100M Tx(RMII 到 MDI):主器件 RMII 上升沿时钟,在 MDI 上置位 TX_EN 至 SSD 符号,启用 FAST RX_DV,100 米电缆 | 88 | 96 | ns | ||
RMII 从站 10M Tx(RMII 到 MDI):从器件 RMII 上升沿 XI 时钟在 MDI 上置位 TX_EN 至 SSD 符号 | 1360 | ns | |||
RMII 主器件 10M Tx(RMII 至 MDI)主器件 RMII 上升沿时钟,在 MDI 上置位 TX_EN 至 SSD 符号 | 1360 | ns | |||
MII 10M Rx(MDI 至 MII):MDI 上的 SSD 符号到 RX_CLK 的上升沿、RX_DV 置位、启用 FAST RX_DV、100 米电缆 | 1640 | ns | |||
RMII 从器件 100M Rx(MDI 到 RMII):MDI 上的 SSD 符号到 XI 时钟的从器件 RMII 上升沿、CRS_DV 置位、启用 FAST RX_DV、100 米电缆 | 268 | 288 | ns | ||
RMII 主器件 100M Rx(MDI 到 RMII):MDI 上的 SSD 符号到主时钟的主 RMII 上升沿,CRS_DV 置位 | 252 | 270 | ns | ||
RMII 从器件 10M(MDI 到 RMII):MDI 上的 SSD 符号到 XI 时钟的从器件 RMII 上升沿,CRS_DV (10M) 置位 | 2110 | 2152 | ns | ||
RMII 主器件 10M(MDI 至 RMII):MDI 上的 SSD 符号到主时钟的主 RMII 上升沿,CRS_DV 置位 (10M) | 2110 | 2152 | ns | ||
MII:XI 至 TXCLK 相位差(跨复位、下电上电) | 0 | 2 | 4 | ns |