ZHCSKM7G december 2019 – july 2023 DP83826E , DP83826I
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
IEEE Tx 一致性 (100BaseTx) | ||||||
差分输出电压 | 950 | 1050 | mV | |||
IEEE Tx 一致性 (10BaseTe) | ||||||
输出差分电压 (2) | 1.54 | 1.75 | 1.96 | V | ||
功耗基线(活动模式、50% 流量、数据包大小:1518、随机内容、150 米电缆) | ||||||
I(VDDA3V3=3V3) | MII (100BaseTx) | 45 | 53 | mA | ||
MII (10BaseTe) | 35 | 46 | mA | |||
RMII 主模式 (100BaseTx) | 45 | 53 | mA | |||
RMII 主模式 (10BaseTe) | 35 | 46 | mA | |||
RMII 从模式 (100BaseTx) | 45 | 53 | mA | |||
RMII 从模式 (10BaseTe) | 35 | 46 | mA | |||
I(VDDIO=3V3) | MII (100BaseTx) | 8 | 14 | mA | ||
MII (10BaseTe) | 5 | 12 | mA | |||
RMII 主模式 (100BaseTx) | 9 | 14 | mA | |||
RMII 主模式 (10BaseTe) | 9 | 12 | mA | |||
RMII 从模式 (100BaseTx) | 7 | 8.5 | mA | |||
RMII 从模式 (10BaseTe) | 5 | 6 | mA | |||
I(VDDIO=1V8) | MII (100BaseTx) | 5 | 7 | mA | ||
MII (10BaseTe) | 3 | 6 | mA | |||
RMII 主模式 (100BaseTx) | 5 | 7 | mA | |||
RMII 主模式 (10BaseTe) | 5 | 6 | mA | |||
RMII 从模式 (100BaseTx) | 3 | 6 | mA | |||
RMII 从模式 (10BaseTe) | 2 | 3 | mA | |||
功耗(工作模式最坏情况,100% 流量,数据包大小:1518、随机内容、150 米电缆) | ||||||
I(VDDA3V3=3V3) | MII (100BaseTx) | 44 | 55 | mA | ||
MII (10BaseTe) | 35 | 48 | mA | |||
RMII 主模式 (100BaseTx) | 44 | 55 | mA | |||
RMII 主模式 (10BaseTe) | 35 | 48 | mA | |||
RMII 从模式 (100BaseTx) | 44 | 55 | mA | |||
RMII 从模式 (10BaseTe) | 35 | 48 | mA | |||
I(VDDIO=3V3) | MII (100BaseTx) | 10 | 15 | mA | ||
MII (10BaseTe) | 5 | 12 | mA | |||
RMII 主模式 (100BaseTx) | 11 | 15 | mA | |||
RMII 主模式 (10BaseTe) | 9 | 12 | mA | |||
RMII 从模式 (100BaseTx) | 8 | 12 | mA | |||
RMII 从模式 (10BaseTe) | 5 | 10 | mA | |||
I(VDDIO=1V8) | MII (100BaseTx) | 6 | 9 | mA | ||
MII (10BaseTe) | 2 | 6 | mA | |||
RMII 主模式 (100BaseTx) | 6 | 9 | mA | |||
RMII 主模式 (10BaseTe) | 5 | 7 | mA | |||
RMII 从模式 (100BaseTx) | 4 | 8 | mA | |||
RMII 从模式 (10BaseTe) | 2 | 6 | mA | |||
功耗(低功耗模式) | ||||||
I(AVDD3V3=3V3) | 100 BaseTx EEE 模式 | 开启 LPI 时 EEE 模式下的 100 BaseTx 链路 | 15 | mA | ||
IEEE 断电 | 11 | mA | ||||
主动睡眠 | 18 | mA | ||||
复位 | 12.5 | mA | ||||
I(VDDIO=3V3) | 100 BaseTx EEE 模式 | 开启 LPI 时 EEE 模式下的 100 BaseTx 链路 | 6 | mA | ||
I(VDDIO=3V3) | IEEE 断电 | 10.5 | mA | |||
I(VDDIO=3V3) | 主动睡眠 | 10.5 | mA | |||
I(VDDIO=3V3) | 复位 | 10.5 | mA | |||
I(VDDIO=1V8) | 100 BaseTx EEE 模式 | 开启 LPI 时 EEE 模式下的 100 BaseTx 链路 | 4 | mA | ||
I(VDDIO=1V8) | IEEE 断电 | 5.5 | mA | |||
I(VDDIO=1V8) | 主动睡眠 | 5.5 | mA | |||
I(VDDIO=1V8) | 复位 | 5.5 | mA | |||
自举直流特性(2 级) | ||||||
VIH_3v3 | 高电平自举阈值:3V3 | 1.3 | V | |||
VIL_3v3 | 低电平自举阈值:3V3 | 0.6 | V | |||
VIH_1v8 | 高电平自举阈值:1V8 | 1.3 | V | |||
VIL_1v8 | 低电平自举阈值:1V8 | 0.6 | V | |||
晶体振荡器 | ||||||
负载电容 | 15 | 30 | pF | |||
IO | ||||||
3V3 | 高电平输入电压 | VDDIO = 3.3V ±10% | 1.7 | V | ||
低电平输入电压 | VDDIO = 3.3V ±10% | 0.8 | V | |||
高电平输出电压 | IOH =-2mA、VDDIO = 3.3V ±10% | 2.4 | V | |||
低电平输出电压 | IOL= 2mA、VDDIO = 3.3V ±10% | 0.8 | V | |||
1V8 | 高电平输入电压 | VDDIO = 1.8V ±10% | 0.65 x VDDIO | V | ||
低电平输入电压 | VDDIO = 1.8V ±10% | 0.35 x VDDIO | V | |||
高电平输出电压 | IOH =-2mA、VDDIO = 1.8V ±10% | VDDIO - 0.45 |
V | |||
低电平输出电压 | IOL= 2mA、VDDIO = 1.8V ±10% | 0.45 | V | |||
Iih (VIN=VCC) | TA = -40℃ 至 85℃,VIN=VDDIO | 15 | uA | |||
Iih (VIN=VCC) | TA = -40℃ 至 105℃,VIN=VDDIO | 25 | uA | |||
Iil (VIN=GND) | TA = -40℃ 至 85℃,VIN=GND | 15 | uA | |||
Iil (VIN=GND) | TA = -40℃ 至 105℃,VIN=GND | 25 | uA | |||
Iozh | 三态输出高电流(-40C 至 85C) | -15 | 15 | uA | ||
Iozh | 三态输出高电流(-40C 至 105C) | -25 | 25 | uA | ||
Iozl | 三态输出低电流(-40 至 85C) | -15 | 15 | uA | ||
Iozl | 三态输出低电流(-40 至 105C) | -25 | 25 | uA | ||
R 下拉 | 内部下拉电阻 | 7.5 | 10 | 12.5 | kΩ | |
R 上拉 | 内部上拉电阻器 | 7.5 | 10 | 12.5 | kΩ | |
CIN | 输入电容 XI | 1 | pF | |||
CIN | 输入电容输入引脚 | 5 | pF | |||
COUT | 输出电容 XO | 输入电容输入引脚 | 1 | pF | ||
COUT | 输出电容输出引脚 | 输出电容 XO | 5 | pF | ||
XI 输入 osc 时钟共模 VDDIO 1V8 | 0.9 | V | ||||
XI 输入 osc 时钟共模 VDDIO 3V3 | 1.65 | V | ||||
Rseries | 集成 MAC 串联终端电阻器 | RX_D[3:0]、RX_ER、RX_DV、RX_CLK、TX_CLK | 50 | Ω |