ZHCSM98D August 2020 – December 2023 DP83TD510E
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
上电时序(单电源和双电源模式) | ||||||
T1 | 电源斜坡延迟偏移:适用于所有电源(DVDD、VDDA、VDDIO) | 第一个电源斜坡到最后一个电源斜坡 | 200 | ms | ||
T2 | 最后一次电源上电到复位完成且 SMI 就绪:用于寄存器访问的前导码前上电稳定时间 | 60 | ms | |||
T4 | 电源斜坡速率:适用于所有电源(DVDD、VDDA、VDDIO) | (20% 至 80%) | 0.2 | 40 | ms | |
上电至搭接锁存:硬件配置引脚转换为输出驱动器 | 60 | ms | ||||
电源斜坡前 DVDD、VDDA、VDDIO 上的基座电压 | 0.3 | V | ||||
复位时序 | ||||||
T1 | 复位脉冲宽度:能够复位的最小复位脉冲宽度 | 10 | us | |||
T2 | 重置为 SMI 就绪:用于寄存器访问的前导码前复位后稳定时间 | 30 | us | |||
重置为搭接锁存:硬件配置引脚转换为输出驱动器 | 1050 | ns | ||||
复位为 10Base-T1L 自动协商信令 | 9000 | us | ||||
重置为 RMII 主时钟 | 35 | us | ||||
MII 10M 时序 | ||||||
T1 | TX_CLK 高电平/低电平时间 | 190 | 200 | 210 | ns | |
T2 | TX_D[3:0],TX_ER、TX_EN 设置为 TX_CLK | 25 | ns | |||
T3 | TX_D[3:0],来自 TX_CLK 的 TX_ER、TX_EN 保持 | 0 | ns | |||
T1 | RX_CLK 高电平/低电平时间 | 160 | 200 | 240 | ns | |
T2 | RX_D[3:0],从 RX_CLK 上升的 RX_ER、RX_DV 延迟 | 100 | 300 | ns | ||
RGMII 输出时序 (10M) | ||||||
TskewT | 数据到时钟输出偏斜(非延迟模式) | 5pF 负载 | -2 | 2 | ns | |
TskewT (delay) | 数据到时钟输出偏斜(集成延迟模式) | 5pF 负载 | 40 | ns | ||
Tcyc | 时钟周期时长 | -360 | 400 | 440 | ns | |
占空比 | 45 | 50 | 55 | % | ||
上升/下降时间(20% 至 80%) | 3 | ns | ||||
RGMII 输入时序 (10M) | ||||||
TskewR | TX 数据到时钟输入偏斜(集成延迟模式) | -4 | 4 | ns | ||
TsetupR | TX 数据到时钟输入设置(非延迟模式) | 40 | ns | |||
TholdR | TX 时钟到数据输入保持(非延迟模式) | 40 | ns | |||
RMII 主模式时序 | ||||||
T1 | RMII 主时钟周期 | 20 | ns | |||
RMII 主时钟占空比 | 35 | 65 | % | |||
T2 | TX_D[1:0],TX_ER、TX_EN 设置至 RMII 主时钟 | 25pF 负载 | 4 | ns | ||
T3 | TX_D[1:0],来自 RMII 主时钟的 TX_ER、TX_EN 保持 | 25pF 负载 | 2 | ns | ||
T4 | RX_D[1:0],来自 RMII 主时钟上升沿的 RX_ER、CRS_DV 延迟 | 25pF 负载 | 4 | 10 | 14 | ns |
RMII 从模式时序 | ||||||
T1 | 输入基准时钟周期 | 20 | ns | |||
基准时钟占空比 | 35 | 65 | % | |||
T2 | TX_D[1:0]、TX_ER、TX_EN 设置,到 XI 时钟上升 | 4 | ns | |||
T3 | TX_D[1:0]、TX_ER、TX_EN 保持,从 XI 时钟上升 | 2 | ns | |||
T4 | RX_D[1:0]、RX_ER、CRS_DV 延迟,从 XI 时钟上升 | 4 | 14 | ns | ||
RMII 主模式时序 (5MHz) | ||||||
频率 | 5 | MHz | ||||
占空比 | 40 | 60 | % | |||
T2 | TX_D[3:0]、TX_ER、TX_EN 设置,到主时钟 | 10 | ns | |||
T3 | TX_D[3:0]、TX_ER、TX_EN 保持,从主时钟 | 10 | ns | |||
T4 | RX_D[3:0]、RX_ER、RX_DV 延迟,从 5MHz 时钟 | 50 | 100 | 150 | ns | |
SMI 时序 | ||||||
T1 | MDC 至 MDIO(输出)延迟时间 | 0 | 10 | ns | ||
T2 | MDIO(输入)至 MDC 建立时间 | 10 | ns | |||
T3 | MDIO(输入)至 MDC 保持时间 | 10 | ns | |||
T4 | MDC 频率 | 1 | 1.75 | MHz | ||
输出时钟时序(25MHz 时钟输出) | ||||||
频率 (PPM) | -100 | 100 | - | |||
占空比 | 40 | 60 | % | |||
上升时间 | 5000 | ps | ||||
下降时间 | 5000 | ps | ||||
抖动(RMS - 长期) | 40 | ps | ||||
频率 | 25 | MHz | ||||
RefCLK 到时钟输出延迟 | 3000 | ps | ||||
输出时钟 50MHz 时序 | ||||||
频率 (PPM) | -50 | 50 | ppm | |||
占空比 | 35 | 65 | % | |||
上升时间 | 5000 | ps | ||||
下降时间 | 5000 | ps | ||||
抖动(长期 10,000 周期) | 650 | ps | ||||
25MHz 输入时钟容差 | ||||||
频率容限 | -100 | +100 | ppm | |||
抖动容差 (RMS) | 40 | ps | ||||
上升/下降时间 (10%-90%) | 8 | ns | ||||
抖动容差(累积) | 500 | ps | ||||
占空比 | 40 | 60 | % | |||
50MHz 输入时钟容差 | ||||||
频率容限 | -100 | +100 | ppm | |||
抖动容差 (RMS) | 40 | ps | ||||
上升/下降时间 (10%-90%) | 4 | ns | ||||
抖动容差(累积) | 250 | ps | ||||
占空比 | 40 | 60 | % | |||
发送延迟时序 | ||||||
铜 | RGMII 到 Cu (10M):TX_CTRL 置位的上升沿 TX_CLK 到 MDI 上的 SSD 符号 | 3000 | ns | |||
铜 | MII 到 Cu (10M):在 MDI 上设置 TX_EN 至 SSD 符号的上升沿 TX_CLK | 750 | ns | |||
Tx_RMII | TX_EN 置位的从模式 RMII 上升沿 XI 时钟到 MDI 上的 SSD 符号 (10M) | 2800 | ns | |||
Tx_RMII | TX_EN 置位的主模式 RMII 上升沿时钟到 MDI 上的 SSD 符号 (10M) | 2800 | ns | |||
接收延迟时序 | ||||||
铜 | Cu 到 RGMII (10M):MDI 上的 SSD 符号到 RX_CTRL 置位的 RX_CLK 上升沿 | 5000 | ns | |||
铜 | Cu 到 MII (10M):MDI 上的 SSD 符号到 RX_DV 置位的 RX_CLK 上升沿 | 5100 | ns | |||
Rx_RMII | MDI 上的 SSD 符号到 CRS_DV 置位的 XI 时钟从模式 RMII 上升沿 (10M) | 5700 | ns | |||
Rx_RMII | MDI 上的 SSD 符号到 CRS_DV 置位的主时钟主模式 RMII 上升沿 (10M) | 5800 | ns |