ZHCSMI0E September   2020  – November 2022 DP83TG720S-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
    2. 5.1 引脚状态
    3. 5.2 引脚电源域
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 LED 驱动特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 诊断工具套件
        1. 7.3.1.1 信号质量指示器
        2. 7.3.1.2 时域反射计
        3. 7.3.1.3 数据路径内置自检
          1. 7.3.1.3.1 环回模式
          2. 7.3.1.3.2 数据生成器
          3. 7.3.1.3.3 编程数据路径 BIST
        4. 7.3.1.4 温度和电压检测
        5. 7.3.1.5 静电放电检测
      2. 7.3.2 合规性测试模式
        1. 7.3.2.1 测试模式 1
        2. 7.3.2.2 测试模式 2
        3. 7.3.2.3 测试模式 4
        4. 7.3.2.4 测试模式 5
        5. 7.3.2.5 测试模式 6
        6. 7.3.2.6 测试模式 7
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1  断电
      2. 7.4.2  复位
      3. 7.4.3  待机
      4. 7.4.4  正常
      5. 7.4.5  睡眠
      6. 7.4.6  状态转换
        1. 7.4.6.1 状态转换 #1 - 待机到正常
        2. 7.4.6.2 状态转换 #2 - 正常到待机
        3. 7.4.6.3 状态转换 #3 - 正常到睡眠
        4. 7.4.6.4 状态转换 #4 - 睡眠到正常
      7. 7.4.7  媒体相关接口
        1. 7.4.7.1 MDI 主模式和 MDI 从模式配置
        2. 7.4.7.2 自动极性检测和校正
      8. 7.4.8  MAC 接口
        1. 7.4.8.1 简化千兆位媒体独立接口
        2. 7.4.8.2 串行千兆位媒体独立接口
      9. 7.4.9  串行管理接口
      10. 7.4.10 直接寄存器访问
      11. 7.4.11 扩展寄存器空间访问
      12. 7.4.12 写入地址操作
        1. 7.4.12.1 示例 - 写入地址操作
      13. 7.4.13 读取地址操作
        1. 7.4.13.1 示例 - 读取地址操作
      14. 7.4.14 写入操作（无后增量）
        1. 7.4.14.1 示例 - 写入操作（无后增量）
      15. 7.4.15 读取操作（无后增量）
        1. 7.4.15.1 示例 - 读取操作（无后增量）
      16. 7.4.16 写入操作（有后增量）
        1. 7.4.16.1 示例 - 写入操作（有后增量）
      17. 7.4.17 读取操作（有后增量）
        1. 7.4.17.1 示例 - 读取操作（有后增量）
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 搭接配置
      2. 7.5.2 LED 配置
      3. 7.5.3 PHY 地址配置
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 寄存器访问汇总
      2. 7.6.2 DP83TG720 Registers
        1. 7.6.2.1 基址寄存器
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
  9. 9 电源相关建议
  10. 10与 TI 的 100BT1 PHY 兼容
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 信号布线
      2. 11.1.2 返回路径
      3. 11.1.3 物理媒体连接
      4. 11.1.4 金属浇注
      5. 11.1.5 PCB 层堆叠
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 接收文档更新通知
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 12.5 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 封装选项附录
      1. 13.1.1 封装信息
      2. 13.1.2 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9 电源相关建议

DP83TG720S-Q1 能在宽 IO 电源电压范围（3.3V、2.5V 或 1.8V）内运行。不需要电源时序。建议电源去耦网络如下图所示：

GUID-B85A6067-9235-43AA-9A40-8F2838079AE8-low.gif图 9-1 建议电源去耦网络（如果应用采用睡眠模式）

GUID-E868E084-0A85-4899-AB08-F70B0D26700F-low.gif图 9-2 建议电源去耦网络（如果应用未采用睡眠模式）

表 9-1 电源网络的建议元件
设计参数 值
VDDIO 1.8V、2.5V 或 3.3V
去耦电容器 VDDIO（引脚 34） 10nF、100nF
去耦电容器 VDDIO（引脚 22） 10nF、100nF、2.2uF
用于 VDDIO 的组合铁氧体磁珠 BLM18HE102SN1
VDDA 3.3V
去耦电容器 VDDA（引脚 11） 10nF、100nF、2.2uF
用于 VDDA 的铁氧体磁珠 BLM18KG601SH1
VDD1p0 1V
去耦电容器 VDD1P0（引脚 9） 10nF、100nF、2.2uF
去耦电容器 VDDA（引脚 21） 10nF、100nF、2.2uF
用于 VDD1P0 的组合铁氧体磁珠 BLM18KG601SH1
Vsleep 3.3V

注： 有关 VDD1p0 和 Vsleep 的 LDO 建议，请参阅 DP83TC811、DP83TG730 正式推出文档 应用报告。
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