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ZHCSV74 June 2024 DRV2911-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RGF|40
- MPQF173F

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

RGF|40
- QFND710

订购信息

5.5 电气特性

T_J = –40°C 至 +150°C，V_PVDD = 4.5V 至 35V（除非另有说明）。典型限值适用于 T_A = 25°C、V_PVDD = 24V

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电源
I_PVDDQ	PVDD 睡眠模式电流	V_PVDD> 6V，RESETZ = 0，T_A = 25°C		1.5	2.5	µA
I_PVDDQ	PVDD 睡眠模式电流	RESETZ = 0		2.5	5	µA
I_PVDDS	PVDD 待机模式电流	V_PVDD> 6V，RESETZ = 1，PWMx = 0，I_BK = 0，T_A = 25°C		5	6	mA
I_PVDDS	PVDD 待机模式电流	RESETZ = 1，PWMx = 0，I_BK = 0		6	10	mA
I_PVDD	PVDD 工作模式电流	V_PVDD> 6V，RESETZ = 1，f_PWM = 25kHz，T_A = 25°C		11	13	mA
		V_PVDD> 6V，RESETZ = 1，f_PWM = 200kHz，T_A = 25°C		19	22	mA
		RESETZ = 1，f_PWM = 25kHz		12	17	mA
		RESETZ = 1，f_PWM = 200kHz		18	30	mA
V_AVDD	模拟稳压器电压	0mA ≤ I_AVDD≤ 30mA	3.1	3.3	3.465	V
I_AVDD	外部模拟稳压器负载				30	mA
V_VCP	电荷泵稳压器电压	VCP，以 PVDD 为基准	3.6	4.7	5.25	V
t_WAKE	唤醒时间	V_PVDD > V_UVLO，RESETZ = 1 以使输出就绪，且 FAULTZ 已释放			1	ms
t_SLEEP	睡眠脉冲时间	RESETZ = 0 进入睡眠模式的周期	120			µs
t_RST	复位脉冲时间	RESETZ = 0 复位故障的周期	20		40	µs
降压稳压器
V_BK	降压稳压器平均电压（L_BK = 47µH，C_BK = 22µF）	V_PVDD > 6V，0mA ≤ I_BK ≤ 200mA，VSEL_BK 引脚连接至高阻态	4.6	5.0	5.4	V
		V_PVDD> 6.7V，0mA ≤ I_BK ≤ 200mA，VSEL_BK 引脚连接至 AVDD	5.2	5.7	5.8	V
		V_PVDD< 6.0V，0mA ≤ I_BK ≤ 200mA		V_PVDD–I_BK*(R_LBK+2)⁽¹⁾		V
V_BK	降压稳压器平均电压（L_BK = 22µH，C_BK = 22µF）	V_PVDD > 6V，0mA ≤ I_BK ≤ 50mA，VSEL_BK 引脚连接至高阻态	4.6	5.0	5.4	V
		V_PVDD> 6.7V，0mA ≤ I_BK ≤ 50mA，VSEL_BK 引脚连接至 AVDD	5.2	5.7	5.8	V
		V_PVDD< 6.0V，0mA ≤ I_BK ≤ 50mA		V_PVDD–I_BK*(R_LBK+2)⁽¹⁾		V
V_BK	降压稳压器平均电压（R_BK = 22Ω，C_BK = 22µF）	V_PVDD > 6V，0mA ≤ I_BK ≤ 40mA，VSEL_BK 引脚连接至高阻态	4.6	5.0	5.4	V
		V_PVDD> 6.7V，0mA ≤ I_BK ≤ 40mA，VSEL_BK 引脚连接至 AVDD	5.2	5.7	5.8	V
		V_PVDD< 6.0V，0mA ≤ I_BK ≤ 40mA		V_PVDD–I_BK*(R_BK+2)		V
V_{BK_RIP}	降压稳压器纹波电压	V_PVDD> 6V，0mA ≤ I_BK ≤ 200mA，带电感器的降压稳压器，L_BK= 47µH，C_BK = 22µF	-100		100	mV
		V_PVDD> 6V，0mA ≤ I_BK ≤ 50mA，带电感器的降压稳压器，L_BK= 22µH，C_BK = 22µF	-100		100	mV
		V_PVDD> 6V，0mA ≤ I_BK ≤ 50mA，带电阻器的降压稳压器；R_BK= 22Ω，C_BK = 22µF	-100		100	mV
I_BK	外部降压稳压器负载	L_BK= 47µH，C_BK = 22µF			200 – I_AVDD	mA
		L_BK= 22µH，C_BK = 22µF			50 – I_AVDD	mA
		R_BK= 22Ω，C_BK = 22µF			40 – I_AVDD	mA
f_{SW_BK}	降压稳压器开关频率	调节模式	20		535	kHz
f_{SW_BK}	降压稳压器开关频率	线性模式	20		535	kHz
V_{BK_UV}	降压稳压器欠压锁定	V_BK 上升，VSEL_BK 引脚连接至高阻态	2.7	2.8	2.9	V
		V_BK 下降，VSEL_BK 引脚连接至高阻态	2.5	2.6	2.7	V
		V_BK 上升，VSEL_BK 引脚连接至 AVDD	4.2	4.4	4.55	V
		V_BK 下降，VSEL_BK 引脚连接至 AVDD	4.0	4.2	4.35	V
V_{BK_UV_HYS}	降压稳压器欠压锁定迟滞	上升至下降阈值	90	200	320	mV
I_{BK_CL}	降压稳压器电流限制阈值		360	600	900	mA
I_{BK_OCP}	降压稳压器过流保护跳变点		2	3	4	A
t_{BK_RETRY}	过流保护重试时间		0.7	1	1.3	ms
逻辑电平输入（OUTOFF、PWMx、RESETZ）
V_IL	输入逻辑低电平电压		0		0.6	V
V_IH	输入逻辑高电平电压	其他引脚	1.5		5.5	V
V_IH	输入逻辑高电平电压	RESETZ	1.6		5.5	V
V_HYS	输入逻辑迟滞	其他引脚	180	300	420	mV
V_HYS	输入逻辑迟滞	RESETZ	95	250	420	mV
I_IL	输入逻辑低电平电流	V_PIN（引脚电压）= 0V	-1		1	µA
I_IH	输入逻辑高电平电流	RESETZ，V_PIN（引脚电压）= 5V	10		30	µA
I_IH	输入逻辑高电平电流	其他引脚，V_PIN（引脚电压）= 5V	30		75	µA
R_PD	输入下拉电阻	RESETZ	150	200	300	kΩ
R_PD	输入下拉电阻	其他引脚	70	100	130	kΩ
C_ID	输入电容			30		pF
四电平输入 (SLEW)
V_L1	输入模式 1 电压 (25V/μs)	连接至 AGND	0		0.2*AVDD	V
V_L2	输入模式 2 电压 (50V/μs)	高阻态	0.27*AVDD	0.5*AVDD	0.545*AVDD	V
V_L3	输入模式 3 电压 (125V/μs)	47kΩ +/- 5% 连接至 AVDD	0.606*AVDD	0.757*AVDD	0.909*AVDD	V
V_L4	输入模式 4 电压 (200V/μs)	连接至 AVDD	0.945*AVDD		AVDD	V
R_PU	输入上拉电阻	至 AVDD	70	100	130	kΩ
R_PD	输入下拉电阻	至 AGND	70	100	130	kΩ
两电平输入 (VSEL_BK)
V_L1	输入模式 1 电压 (5.0V)	高阻态	0.27*AVDD	0.5*AVDD	0.545*AVDD	V
V_L2	输入模式 2 电压 (5.7V)	连接至 AVDD	0.945*AVDD		AVDD	V
R_PU	输入上拉电阻	至 AVDD	70	100	130	kΩ
R_PD	输入下拉电阻	至 AGND	70	100	130	kΩ
两电平输入 (OCP)
V_L1	输入模式 1 电压（16A 限制）	连接至 AGND	0		0.09*AVDD	V
V_L2	输入模式 2 电压（24A 限制）	22kΩ ± 5% 至 AGND	0.12*AVDD	0.15*AVDD	0.55*AVDD	V
R_PU	输入上拉电阻	至 AVDD	80	100	120	kΩ
R_PD	输入下拉电阻	至 AGND	80	100	120	kΩ
开漏输出 (FAULTZ)
V_OL	输出逻辑低电平电压	I_OD = 5mA			0.4	V
I_OH	输出逻辑高电平电流	V_OD = 5V	-1		1	µA
C_OD	输出电容				30	pF
驱动器输出
R_DS(ON)	MOSFET 总导通电阻（高侧 + 低侧）	V_PVDD> 6V，I_OUT = 1A，T_A = 25°C		95	120	mΩ
		V_PVDD < 6V，I_OUT = 1A，T_A = 25°C		105	130	mΩ
		V_PVDD > 6V，I_OUT = 1A，T_J = 150°C		140	185	mΩ
		V_PVDD < 6V，I_OUT = 1A，T_J = 150°C		145	190	mΩ
SR	相位引脚压摆率从低切换到高（从 20% 上升到 80%）	V_PVDD = 24V，SLEW 引脚连接至 AGND	14	25	45	V/µs
		V_PVDD = 24V，SLEW 引脚连接至高阻态	30	50	80	V/µs
		V_PVDD = 24V，SLEW 引脚连接至 47kΩ +/- 5% 至 AVDD	80	125	185	V/µs
		V_PVDD = 24V，SLEW 引脚连接至 AVDD	130	200	280	V/µs
SR	相位引脚压摆率从高切换到低（从 80% 下降到 20%）	V_PVDD = 24V，SLEW 引脚连接至 AGND	14	25	45	V/µs
		V_PVDD = 24V，SLEW 引脚连接至高阻态	30	50	80	V/µs
		V_PVDD = 24V，SLEW 引脚连接至 47kΩ +/- 5% 至 AVDD	80	125	185	V/µs
		V_PVDD = 24V，SLEW 引脚连接至 AVDD	110	200	280	V/µs
I_LEAK	OUTx 上的漏电流	V_OUTx = V_PVDD，RESETZ = 1			5	mA
I_LEAK	OUTx 上的漏电流	V_OUTx = 0V，RESETZ = 1			1	µA
t_DEAD	输出死区时间（高电平到低电平/低电平到高电平）	V_PVDD = 24V，SR = 25V/µs，HS 驱动器关闭到 LS 驱动器开启，以及 LS 驱动器关闭到 HS 驱动器开启		1800	3400	ns
		V_PVDD = 24V，SR = 50V/µs，HS 驱动器关闭到 LS 驱动器开启，以及 LS 驱动器关闭到 HS 驱动器开启		1100	1550	ns
		V_PVDD = 24V，SR = 125V/µs，HS 驱动器关闭到 LS 驱动器开启，以及 LS 驱动器关闭到 HS 驱动器开启		650	1000	ns
		V_PVDD = 24V，SR = 200V/µs，HS 驱动器关闭到 LS 驱动器开启，以及 LS 驱动器关闭到 HS 驱动器开启		500	750	ns
t_PD	传播延迟（高侧/低侧开/关）	V_PVDD = 24V，INHx/INLx = 1 至 OUTx 转换，SR = 25V/µs		2000	4550	ns
		V_PVDD = 24V，INHx/INLx = 1 至 OUTx 转换，SR = 50V/µs		1200	2150	ns
		V_PVDD = 24V，INHx/INLx = 1 至 OUTx 转换，SR = 125V/µs		800	1350	ns
		V_PVDD = 24V，INHx/INLx = 1 至 OUTx 转换，SR = 200V/µs		650	1050	ns
t_{MIN_PULSE}	最小输出脉冲宽度	SR = 200V/µs	600			ns
保护电路
V_UVLO	电源欠压锁定 (UVLO)	PVDD 上升	4.3	4.4	4.5	V
V_UVLO	电源欠压锁定 (UVLO)	PVDD 下降	4.1	4.2	4.3	V
V_{UVLO_HYS}	电源欠压锁定迟滞	上升至下降阈值	140	200	350	mV
t_UVLO	电源欠压锁定抗尖峰脉冲时间		3	5	7	µs
V_CPUV	电荷泵欠压锁定（高于 PVDD）	电源上升	2.3	2.5	2.7	V
V_CPUV	电荷泵欠压锁定（高于 PVDD）	电源下降	2.2	2.4	2.6	V
V_{CPUV_HYS}	电荷泵 UVLO 迟滞	上升至下降阈值	75	100	140	mV
V_{AVDD_UV}	模拟稳压器欠压锁定	电源上升	2.7	2.85	3	V
V_{AVDD_UV}	模拟稳压器欠压锁定	电源下降	2.5	2.65	2.8	V
V_{AVDD_}_{UV_HYS}	模拟稳压器欠压锁定迟滞	上升至下降阈值	180	200	240	mV
I_OCP	过流保护跳变点	OCP 引脚连接至 AGND	10	16	22	A
I_OCP	过流保护跳变点	OCP 引脚连接至 22kΩ ± 5% 至 AGND	15	24	30	A
t_OCP	过流保护抗尖峰脉冲时间		0.06	0.3	0.6	µs
t_RETRY	过流保护重试时间		4	5	6	ms
T_OTW	热警告温度	芯片温度 (T_J)	135	145	155	°C
T_{OTW_HYS}	热警告迟滞	芯片温度 (T_J)	15	20	26	°C
T_TSD	热关断温度	芯片温度 (T_J)	170	180	190	°C
T_{TSD_HYS}	热关断迟滞	芯片温度 (T_J)	15	20	25	°C
T_{TSD_FET}	热关断温度 (FET)	芯片温度 (T_J)	165	175	187	°C
T_{TSD_FET_HYS}	热关断迟滞 (FET)	芯片温度 (T_J)	18	25	30	°C

(1) R_LBK 为电感器 L_BK 的阻值