ZHCSV74 June 2024 DRV2911-Q1
PRODUCTION DATA
DRV2911-Q1 中的功率损耗包括待机功率损耗、LDO 功率损耗、FET 导通和开关损耗以及二极管损耗。FET 导通损耗在 DRV2911-Q1 的总功率耗散中占主导地位。总器件耗散是两个半桥中每个半桥耗散的总功率。器件可耗散的最大功率取决于环境温度和散热。请注意,RDS,ON 随温度升高而增加,因此随着器件发热,功率耗散也会增大。在设计 PCB 和散热时,应考虑这一点。
用于计算每个损耗的公式摘要如表 9-1 所示。
损耗类型 |
功率损耗近似值计算 |
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待机功耗 |
Pstandby = VPVDD x IPVDD_TA | |
LDO |
PLDO = (VPVDD-VAVDD) x IAVDD | |
FET 导通 |
PCON = 2 x (IPK)2 x Rds,on(TA) | |
FET 开关 |
PSW = IPK x VPVDD x trise/fall x fPWM | |
Diode |
Pdiode = 2 x IPK x VF(diode)x tDEADTIME x fPWM |