ZHCSV74 June 2024 DRV2911-Q1
PRODUCTION DATA
该器件受到全面保护,可防止 MOSFET 发生任何跨导 - 在高侧和低侧 MOSFET 切换期间,DRV2911-Q1 通过插入死区时间 (tdead) 来避免击穿事件。这是通过检测高侧和低侧 MOSFET 的栅源电压 (VGS) 并确保高侧 MOSFET 的 VGS 已达到低于关断电平,然后再打开同一半桥的低侧 MOSFET(反之亦然)来实现的,如图 6-15 和图 6-16 所示。