ZHCSV74 June 2024 DRV2911-Q1
PRODUCTION DATA
DRV2911-Q1 器件包含集成 95mΩ(高侧和低侧 FET 的导通状态电阻之和)NMOS FET(以两个半桥配置连接)。电荷泵加倍器可在宽工作电压范围内为高侧 NMOS FET 提供适合的栅极偏置电压,此外还提供 100% 占空比支持。内部线性稳压器为低侧 MOSFET 提供栅极偏置电压。该器件具有三个 PVDD 电源引脚,这些引脚连接到电源电压。