ZHCSEF4G December   2014  – March 2017 DRV5023-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Magnetic Characteristics
    8. 6.8 Typical Characteristics
  7. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Field Direction Definition
      2. 7.3.2 Device Output
      3. 7.3.3 Power-On Time
      4. 7.3.4 Output Stage
      5. 7.3.5 Protection Circuits
        1. 7.3.5.1 Overcurrent Protection (OCP)
        2. 7.3.5.2 Load Dump Protection
        3. 7.3.5.3 Reverse Supply Protection
        4. 7.3.5.4 Output Jitter Characteristic
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 Standard Circuit
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
          1. 8.2.1.2.1 Configuration Example
        3. 8.2.1.3 Application Curves
      2. 8.2.2 Alternative Two-Wire Application
        1. 8.2.2.1 Design Requirements
        2. 8.2.2.2 Detailed Design Procedure
  9. Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 器件命名规则
      2. 11.1.2 器件标记
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 社区资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

器件和文档支持

器件支持

器件命名规则

Figure 26 显示了读取 DRV5023-Q1 器件完整器件名称的图例。

DRV5023-Q1 dev_nomenclature_lis163.gif Figure 26. 器件命名规则

器件标记

DRV5023-Q1 package_sot_slis150.gif Figure 27. SOT-23 (DBZ) 封装
DRV5023-Q1 package_sip_slis150.gif Figure 28. TO-92 (LPG) 封装
DRV5023-Q1 inline_hall_sensor_slis150.gif 表示霍尔效应传感器(未按比例显示)。霍尔元件置于封装中央位置,容差为 ±100μm。在 DBZ 封装中,霍尔元件与封装底部的距离为 0.7mm ± 50μm;在 LPG 封装中,霍尔元件与封装底部的距离为 0.987mm ± 50μm。

文档支持

接收文档更新通知

要接收文档更新通知,请导航至 ti.com 上的器件米6体育平台手机版_好二三四文件夹。请单击右上角的通知我进行注册,即可收到任意米6体育平台手机版_好二三四信息更改每周摘要。有关更改的详细信息,请查看任意已修订文档中包含的修订历史记录。

社区资源

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商标

E2E is a trademark of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.

静电放电警告

esds-image

这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时,应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中,以防止 MOS 门极遭受静电损伤。

Glossary

SLYZ022TI Glossary.

This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.