ZHCSHE8C January   2018  – December 2023 DRV5055

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 磁特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 磁通量方向
      2. 6.3.2 磁响应
      3. 6.3.3 灵敏度线性度
      4. 6.3.4 比例式架构
      5. 6.3.5 工作 VCC 范围
      6. 6.3.6 磁体的灵敏度温度补偿
      7. 6.3.7 开通时间
      8. 6.3.8 霍尔元件位置
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 选择灵敏度选项
      2. 7.1.2 磁体的温度补偿
      3. 7.1.3 添加一个低通滤波器
      4. 7.1.4 断线检测设计
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 优秀设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.2 磁响应

当 DRV5055 通电后，DRV5055 根据方程式 1 输出模拟电压：

方程式 1. V O U T = V Q + B × S e n s i t i v i t y ( 25 ° C ) × 1 + S T C × T A) - 25 ° C

其中

  • VQ 通常是 VCC 的一半
  • B 是施加的磁通密度
  • Sensitivity(25°C) 取决于器件选项和 VCC
  • 对于器件选项 DRV5055A1 - DRV5055A4，通常为 0.12%/°C，对于 DRV5055Z1 - DRV5055Z4 选项，通常为 0%/°C
  • TA 是环境温度
  • VOUT 处于 VL 范围之内

例如，考虑 DRV5055A3，VCC = 3.3V，温度为 50°C，施加 67mT。
在不考虑容差的情况下，VOUT = 1650mV + 67mT × (15mV/mT × (1 + 0.0012/°C × (50°C – 25°C))) = 2685mV
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