ZHCSOZ5 May 2024 DRV7308
ADVANCE INFORMATION
放置大容量电容器时,必须尽量缩短通过电机驱动器器件的大电流路径的距离。连接金属布线宽度必须尽可能宽,并且在连接 PCB 层时必须使用许多过孔。这些做法可更大限度地减少电感并允许大容量电容器提供大电流。
GVDD 去耦电容、VM 引脚至 PGND 的高频电容以及自举电容等小容值电容必须靠近器件引脚放置。
为了更大限度地减小电源回路面积,请将分流电阻放置在靠近器件 SLx 引脚的位置,在分流电阻的末端使用铜多边形,并在顶层使用更宽的布线,或通过具有足够数量拼接过孔的底层上的铜多边形,将电流返回到 VM 引脚上的去耦电容器。
为了提高热性能,应更大限度地增大 OUTx 和 PGND 网络上的铜平面。为了更大限度地提高热性能,请在 OUTx 焊盘和 PGND 焊盘上使用多个拼接过孔,并在顶层和底层使用更大的铜平面,如图 13-1 所示。
VM 引脚上的去耦电容器可以连接到任意一侧的 VM 引脚或连接到两个引脚。VM 引脚在器件内部短接,无需在 PCB 上进行外部短接。