ZHCSOZ5 May   2024 DRV7308

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 绝对最大额定值
  7. ESD 等级
  8. 建议运行条件
  9. 热性能信息
  10. 电气特性
  11. 10时序图
  12. 11典型特性
  13. 12详细说明
    1. 12.1 概述
    2. 12.2 功能方框图
    3. 12.3 特性说明
      1. 12.3.1 输出级
      2. 12.3.2 输入控制逻辑
      3. 12.3.3 使能 (EN) 引脚功能
      4. 12.3.4 温度传感器输出 (VTEMP)
      5. 12.3.5 制动功能
      6. 12.3.6 压摆率控制 (SR)
      7. 12.3.7 死区时间
      8. 12.3.8 电流限制功能 (ILIMIT)
      9. 12.3.9 引脚图
        1. 12.3.9.1 四电平输入引脚
        2. 12.3.9.2 开漏引脚
        3. 12.3.9.3 逻辑电平输入引脚(内部下拉)
    4. 12.4 保护功能
      1. 12.4.1 GVDD 欠压锁定
      2. 12.4.2 自举欠压锁定
      3. 12.4.3 电流限制保护
      4. 12.4.4 GaNFET 过流保护
      5. 12.4.5 热关断 (OTS)
  14. 13布局
    1. 13.1 布局指南
    2. 13.2 布局示例
  15. 14修订历史记录
  16. 15机械、封装和可订购信息
    1. 15.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • REN|68
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

布局指南

放置大容量电容器时,必须尽量缩短通过电机驱动器器件的大电流路径的距离。连接金属布线宽度必须尽可能宽,并且在连接 PCB 层时必须使用许多过孔。这些做法可更大限度地减少电感并允许大容量电容器提供大电流。

GVDD 去耦电容、VM 引脚至 PGND 的高频电容以及自举电容等小容值电容必须靠近器件引脚放置。

为了更大限度地减小电源回路面积,请将分流电阻放置在靠近器件 SLx 引脚的位置,在分流电阻的末端使用铜多边形,并在顶层使用更宽的布线,或通过具有足够数量拼接过孔的底层上的铜多边形,将电流返回到 VM 引脚上的去耦电容器。

为了提高热性能,应更大限度地增大 OUTx 和 PGND 网络上的铜平面。为了更大限度地提高热性能,请在 OUTx 焊盘和 PGND 焊盘上使用多个拼接过孔,并在顶层和底层使用更大的铜平面,如图 13-1 所示。

VM 引脚上的去耦电容器可以连接到任意一侧的 VM 引脚或连接到两个引脚。VM 引脚在器件内部短接,无需在 PCB 上进行外部短接。