ZHCSOZ5 May   2024 DRV7308

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 绝对最大额定值
  7. 6 ESD 等级
  8. 7 建议运行条件
  9. 8 热性能信息
  10. 9 电气特性
  11. 10时序图
  12. 11典型特性
  13. 12详细说明
    1. 12.1 概述
    2. 12.2 功能方框图
    3. 12.3 特性说明
      1. 12.3.1 输出级
      2. 12.3.2 输入控制逻辑
      3. 12.3.3 使能 (EN) 引脚功能
      4. 12.3.4 温度传感器输出 (VTEMP)
      5. 12.3.5 制动功能
      6. 12.3.6 压摆率控制 (SR)
      7. 12.3.7 死区时间
      8. 12.3.8 电流限制功能 (ILIMIT)
      9. 12.3.9 引脚图
        1. 12.3.9.1 四电平输入引脚
        2. 12.3.9.2 开漏引脚
        3. 12.3.9.3 逻辑电平输入引脚（内部下拉）
    4. 12.4 保护功能
      1. 12.4.1 GVDD 欠压锁定
      2. 12.4.2 自举欠压锁定
      3. 12.4.3 电流限制保护
      4. 12.4.4 GaNFET 过流保护
      5. 12.4.5 热关断 (OTS)
  14. 13布局
    1. 13.1 布局指南
    2. 13.2 布局示例
  15. 14修订历史记录
  16. 15机械、封装和可订购信息
    1. 15.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • REN|68
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

12.3.7 死区时间

该器件针对 GaNFET 的任何跨导提供全面保护。在半桥配置中，通过插入死区时间 (tDEAD) 来控制高侧和低侧 GaNFET 的运行，从而避免任何击穿电流。使用自适应死区时间电路来实施此过程，该电路检测低侧 GaNFET 的栅源电压 (VGS) 和同一半桥的相位节点 (OUTx) 电压。
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