DRV7308 器件包含以三相桥接配置连接的集成式 205mΩ（一个 GaN FET 导通状态电阻）增强模式 GaN (eGaN) FET。该器件使用集成自举控制器和使用 GVDD 引脚上的低压外部电源的整流器，为低侧和高侧 GaN FET 集成了一个前置驱动器。正确使用外部自举电容，可以在一定时间内支持实现 100% 占空比。