ZHCSOZ5 May   2024 DRV7308

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 绝对最大额定值
  7. ESD 等级
  8. 建议运行条件
  9. 热性能信息
  10. 电气特性
  11. 10时序图
  12. 11典型特性
  13. 12详细说明
    1. 12.1 概述
    2. 12.2 功能方框图
    3. 12.3 特性说明
      1. 12.3.1 输出级
      2. 12.3.2 输入控制逻辑
      3. 12.3.3 使能 (EN) 引脚功能
      4. 12.3.4 温度传感器输出 (VTEMP)
      5. 12.3.5 制动功能
      6. 12.3.6 压摆率控制 (SR)
      7. 12.3.7 死区时间
      8. 12.3.8 电流限制功能 (ILIMIT)
      9. 12.3.9 引脚图
        1. 12.3.9.1 四电平输入引脚
        2. 12.3.9.2 开漏引脚
        3. 12.3.9.3 逻辑电平输入引脚(内部下拉)
    4. 12.4 保护功能
      1. 12.4.1 GVDD 欠压锁定
      2. 12.4.2 自举欠压锁定
      3. 12.4.3 电流限制保护
      4. 12.4.4 GaNFET 过流保护
      5. 12.4.5 热关断 (OTS)
  14. 13布局
    1. 13.1 布局指南
    2. 13.2 布局示例
  15. 14修订历史记录
  16. 15机械、封装和可订购信息
    1. 15.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • REN|68
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

概述

DRV7308 是一款三相 IPM,采用三个集成式半 H 桥 205mΩ、650V 增强型氮化镓 (GaN),用于驱动高达 450V 直流电源轨的三相 BLDC/PMSM 电机。这类器件应用包括 BLDC 电机的场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流控制。该器件为所有 GaNFET 集成了前置驱动器,并对相位节点电压进行了压摆率控制。低 RDS_ON、压摆率控制、零反向恢复和低输出电容有助于在三相调制、FOC 驱动、250W 电机驱动应用中实现 99% 以上的效率,而无需散热器。

该器件集成了一套保护功能,包括过流限制、过热保护、所有 GaN FET 的过流保护、GVDD 和自举电源的欠压保护,以及用于避免击穿情况的自适应死区时间插入。

该器件集成了自举整流器,该整流器集成了 GaN FET 且具有瞬态电流限制,无需使用外部自举二极管。DRV7308 提供 GaN FET 的全部三个低侧源极引脚,用于支持 3 分流器、2 分流器或 1 分流器电流检测。该器件集成了一个 11MHz、15V/μs 运算放大器,用于实现 BLDC 电机 FOC 和梯形控制中的单分流器电流检测。

低死区时间有助于在 BLDC/PMSM 电机中实现超静音运行。低传播延迟有助于实现更低的失真和准确的平均电流检测。

DRV7308 采用 VQFN 12mm x 12mm 封装。