ZHCSOZ5 May 2024 DRV7308
ADVANCE INFORMATION
DRV7308 集成了 GaN FET 过流保护 (GaN_OCP)、过热关断 (OTSD)、GVDD 和自举电源欠压保护（GVDD_UVLO 和 VBOOT_UVLO）以及电流限制 (ILIMIT)。表 12-3 总结了各种故障详细信息。
| 故障 | 条件 | 报告 | GaN 桥 | 恢复 |
|---|---|---|---|---|
| GaN 过流保护 (GaN_OCP) | GaN FET 电流 > IOCP | HV_nFAULT | 所有 GaN 前置驱动器关断，从而出现高阻态（全部三个相位） | 锁存。EN 引脚上的 20μs 至 40μs 开关脉冲或 GVDD 电源上电下电 |
| SLx 过流限制 (OCL) | VSLx > VILIMIT | HV_nFAULT | 所有 GaN 前置驱动器关断，从而出现高阻态（全部三个相位） | 重试。在故障清除时间 > tF_CLR 后 |
| GVDD 欠压 | VGVDD < VGVDD_UV | HV_nFAULT | 所有 GaN 前置驱动器关断，从而出现高阻态（全部三个相位） | 自动： VGVDD_UVLO > VGVDD_UVLO_ON |
| BOOT 电源欠压（BOOTx 和 OUTx 引脚之间的电压） | VBOOTx < VBST_UV | - | 受影响的高侧 GaN 前置驱动器关断。所有其他 GaNFET 继续运行。 | 自动： VBOOTx > VBST_UV_ON |
| 热关断 (OTSD) | TJ > TSD，适用于任何 GaNFET | HV_nFAULT | 所有 GaN 前置驱动器关断，从而出现高阻态（全部三个相位） | 锁存。EN 引脚上的 20μs 至 40μs 开关脉冲或 GVDD 电源上电下电 |