1 特性

具有集成 650V 增强模式 GaNFET 的三相 PWM 电机驱动器
高达 450V 的工作电压
- 650V 绝对最大电压
高输出电流能力：5A 峰值电流
低导通损耗：每个 GaN FET 具有低导通状态电阻：TA = 25°C 时为 205mΩ R_DS(ON)
低开关损耗：零反向恢复、低输出电容、压摆率控制
低失真：< 135ns 的超低传播延迟，< 200ns 的超低自适应死区时间
具有相位节点电压压摆率控制功能的集成式栅极驱动器
- 5V/ns 至 40V/ns 压摆率选项
通过集成式快速自举 GaN 整流器实现 500ns 最低低侧导通时间支持
低侧 GaN FET 开源引脚，支持 1、2 或 3 分流器电流检测
支持高达 60kHz 硬开关
集成 11MHz、15V/μs 放大器，用于单分流器电流检测
支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
集成 BRAKE 功能，可一起导通所有低侧 GaN FET
集成温度传感器
OUTx 和 OUTx、VM 和 OUTx 以及 OUTx 和 PGND 之间的间隙大于 1.6mm。
VM 和 PGND 之间的间隙为 2mm
集成保护特性
- GVDD 和自举欠压锁定
- 每个 GaN FET 的过流保护
- 过热保护
- PWM 输入死区时间
- 对全部三个相位使用集成比较器实现电流限制保护
- 故障条件指示引脚 (HV_nFAULT)