如果 V_DS 过流比较器上的电压高于 V_{DS_LVL} 的时间超过 t_{DS_DG} 时间，则 DRV8106-Q1 会检测到 V_DS 过流条件。电压阈值和抗尖峰脉冲时间可通过 VDS_LVL 和 VDS_DG 寄存器设置进行调整。此外，在独立半桥和分离式 HS/LS PWM 控制（BRG_MODE = 00b、11b）中，可将器件配置为禁用所有半桥，或仅通过 VDS_IND 寄存器设置来禁用发生了故障的相关半桥。

在 SPI 器件型号上，V_DS 过流监控器可以在通过 VDS_MODE 寄存器设置进行设定的四种不同模式下执行响应和恢复。

• 锁存故障模式：检测到过流事件后，将启用栅极驱动器下拉电阻，并且 nFAULT 引脚、FAULT 寄存器位和相关的 VDS 寄存器位会被置位。过流事件消失后，仍会锁存故障状态，直到发出 CLR_FLT。
• 逐周期模式：检测到过流事件后，将启用栅极驱动器下拉电阻，并且 nFAULT 引脚、FAULT 寄存器位和相关的 VDS 寄存器位会被置位。下一个 PWM 输入将清除 nFAULT 引脚和 FAULT 寄存器位，并自动重新启用驱动器。相关的 VDS 寄存器位将保持置位状态，直到发出 CLR_FLT。
• 仅警告报告模式：在 WARN 和相关 VDS 寄存器位中报告过流事件。器件不会执行任何操作。在发出 CLR_FLT 之前，警告将保持锁存状态。
• 禁用模式：V_DS 过流监控器被禁用，不会响应或报告。

在 H/W 器件型号上，V_DS 过流模式固定为逐周期，t_{VDS_DG} 固定为 4 µs。对于独立半桥和分离式 HS/LS PWM 控制模式，会自动启用独立半桥关断功能。此外，可通过 VDS 引脚多电平输入电平 6 来禁用 V_DS 过流保护功能。

当发生 V_DS 过流故障时，可配置栅极下拉电流，以便增加或减少禁用外部 MOSFET 的时间。这有助于避免在大电流短路条件下关断速度过慢的问题。此设置通过 SPI 器件上的 VDS_IDRVN 寄存器设置进行配置。在硬件器件上，此设置自动匹配已设定的 I_DRVN 电流。