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ZHCSKQ6B July 2020 – June 2021 DRV8106-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

RHB|32

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

RHB|32
- QFND589

订购信息

DRV8106-Q1_RHB 封装 (VQFN) 引脚功能

引脚			I/O	类型	说明
编号	名称	名称
编号	DRV8106S-Q1	DRV8106H-Q1
1	GND		I/O	接地	器件接地。连接到系统接地端。
2	DVDD		I	功率	器件逻辑和数字输出电源输入。在 DVDD 与 GND 引脚之间连接一个 1.0 µF、6.3V 的陶瓷电容器。
3	nSCS	—	I	数字	串行芯片选择。此引脚上的逻辑低电平支持串行接口通信。内部上拉电阻。
3	—	GAIN	I	模拟	放大器增益设置。由外部电阻设置的 4 电平输入引脚。
4	SCLK	—	I	数字	串行时钟输入。串行数据会移出并在此引脚上的相应上升沿和下降沿被捕捉。内部下拉电阻。
4	—	VDS	I	模拟	VDS 监控阈值设置。由外部电阻设置的 6 电平输入引脚。
5	SDI	—	I	数字	串行数据输入。在 SCLK 引脚的下降沿捕捉数据。内部下拉电阻。
5	—	IDRIVE	I	模拟	栅极驱动器输出电流设置。由外部电阻设置的 6 电平输入引脚。
6	SDO	—	O	数字	串行数据输出。在 SCLK 引脚的上升沿移出数据。推挽式输出。
6	—	RSVD	—	—	保留。可以保持悬空或连接到 GND。
7	IN1/EN		I	数字	半桥控制输入。请查看 PWM 模式了解详细信息。内部下拉电阻。
8	nHIZ1		I	数字	半桥控制输入。请查看 PWM 模式了解详细信息。内部下拉电阻。
9	NC		—	—	无连接。
10	NC		—	—	无连接。
11	nSLEEP		I	数字	器件使能引脚。置为逻辑低电平可关断器件并进入睡眠模式。内部下拉电阻。
12	DRVOFF		I	数字	驱动器关断引脚。置为逻辑高电平可将高侧和低侧栅极驱动器输出拉低。内部下拉电阻。
13	nFAULT		O	数字	故障指示灯输出。此引脚被拉至逻辑低电平可指示故障情况。开漏输出。需要外部上拉电阻。
14	SO		O	模拟	分流放大器输出。
15	RSVD		—	—	保留。接地或保持断开。
16	AREF		I	功率	电流感测放大器的外部电压基准和电源。在 AREF 与 AGND 引脚之间连接一个 0.1 µF、6.3V 的陶瓷电容器。
17	AGND		I/O	电源	器件接地。连接到系统接地端。
18	SP		I	模拟	分流放大器正输入。连接到分流电阻的高侧。
19	SN		I	模拟	分流放大器负输入。连接到分流电阻的低侧。
20	GH1		O	模拟	高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
21	SH1		I	模拟	高侧源极感测输入。连接到高侧功率 MOSFET 源极。
22	GL1		O	模拟	低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
23	SL1		I	模拟	低侧 MOSFET 栅极驱动感测和电源返回。通过指向低侧 MOSFET 接地回路的低阻抗路径连接到系统接地端。
24	NC		—	—	无连接。
25	NC		—	—	无连接。
26	NC		—	—	无连接。
27	NC		—	—	无连接。
28	DRAIN		I	模拟	桥式 MOSFET 漏极电压感测引脚。连接到高侧 MOSFET 漏极的公共点。
29	PVDD		I	功率	器件驱动器电源输入。连接到电桥电源。在 PVDD 和 GND 引脚之间连接一个 0.1 µF、PVDD 额定的陶瓷电容器和大于或等于 10 µF 的局部大容量电容。
30	VCP		I/O	电源	电荷泵输出。在 VCP 与 PVDD 引脚之间连接一个 1 µF、16V 的陶瓷电容器。
31	CPH		I/O	电源	电荷泵开关节点。在 CPH 与 CPL 引脚之间连接一个 100 nF、PVDD 额定的陶瓷电容器。
32	CPL		I/O	电源	电荷泵开关节点。在 CPH 与 CPL 引脚之间连接一个 100 nF、PVDD 额定的陶瓷电容器。