智能栅极驱动架构的 TDRIVE 元件是一个集成的栅极驱动状态机，可提供自动死区时间插入、dV/dt 栅极寄生耦合预防和 MOSFET 栅极故障检测等功能。

TDRIVE 状态机的第一个作用是自动死区时间握手。死区时间是外部高侧和低侧 MOSFET 开关期间体二极管导通的一段时间，旨在防止发生任何跨导或击穿。DRV8106-Q1 使用 V_GS 监控器来实施断路，然后通过测量外部 MOSFET V_GS 电压来确定正确启用外部 MOSFET 的时间，从而建立死区时间方案。该方案使栅极驱动器能够针对系统变化（例如温度漂移、老化、电压波动和外部 MOSFET 参数变化）来调整死区时间。如有需要，可插入一个额外的固定数字死区时间 (t_{DEAD_D})，并可通过 SPI 寄存器对其进行调整。

第二个作用侧重于防止 dV/dt 栅极电荷寄生耦合。为实现这一点，每当半桥中相反状态的 MOSFET 开关时可启用栅极强下拉电流 (I_STRONG)。当半桥开关节点快速转换时，使用此功能可以消除耦合到外部 MOSFET 栅极中的寄生电荷。

第三个作用是实施栅极故障检测方案以检测栅极电压问题。这个方案用于检测引脚对引脚的焊接缺陷、MOSFET 栅极故障或者栅极卡在高电压或低电压的情况。为此，需使用 V_GS 监控器在 t_DRIVE 时间结束后测量栅极电压。如果栅极电压没有达到适当的阈值，栅极驱动器将报告相应的故障情况。为确保不会检测到伪故障，应选择比 MOSFET 栅极充放电所需时间更长的 t_DRIVE 时间。t_DRIVE 时间不会影响 PWM 最小持续时间，如果收到另一个 PWM 命令，此时间将提前终止。

图 7-5 TDRIVE 状态机