ZHCSKQ6B July   2020  – June 2021 DRV8106-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
    1.     器件比较表
  5. 5 引脚配置
    1.     DRV8106-Q1_RHB 封装 (VQFN) 引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 外部元件
      2. 7.3.2 器件接口类型
        1. 7.3.2.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.2.2 硬件 (H/W)
      3. 7.3.3 输入 PWM 模式
        1. 7.3.3.1 半桥控制
      4. 7.3.4 智能栅极驱动器
        1. 7.3.4.1 功能方框图
        2. 7.3.4.2 压摆率控制 (IDRIVE)
        3. 7.3.4.3 栅极驱动状态机 (TDRIVE)
      5. 7.3.5 倍增（单级）电荷泵
      6. 7.3.6 宽共模差分电流分流放大器
      7. 7.3.7 引脚图
        1. 7.3.7.1 逻辑电平输入引脚（DRVOFF，IN1/EN，nHIZx，nSLEEP，nSCS，SCLK，SDI）
        2. 7.3.7.2 逻辑电平推挽输出 (SDO)
        3. 7.3.7.3 逻辑电平开漏输出 (nFAULT)
        4. 7.3.7.4 四电平输入（GAIN）
        5. 7.3.7.5 六电平输入（IDRIVE，VDS）
      8. 7.3.8 保护和诊断
        1. 7.3.8.1  栅极驱动器禁用和启用（DRVOFF 和 EN_DRV）
        2. 7.3.8.2  故障复位 (CLR_FLT)
        3. 7.3.8.3  DVDD 逻辑电源上电复位 (DVDD_POR)
        4. 7.3.8.4  PVDD 电源欠压监控器 (PVDD_UV)
        5. 7.3.8.5  PVDD 电源过压监控器 (PVDD_OV)
        6. 7.3.8.6  VCP 电荷泵欠压锁定 (VCP_UV)
        7. 7.3.8.7  MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        8. 7.3.8.8  栅极驱动器故障 (VGS_GDF)
        9. 7.3.8.9  热警告 (OTW)
        10. 7.3.8.10 热关断 (OTSD)
        11. 7.3.8.11 离线短路和开路负载检测（OOL 和 OSC）
        12. 7.3.8.12 故障检测和响应汇总表
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 非运行或睡眠状态
      2. 7.4.2 待机状态
      3. 7.4.3 运行状态
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SPI 接口
      2. 7.5.2 SPI 格式
      3. 7.5.3 用于连接多个从器件的 SPI 接口
        1. 7.5.3.1 用于连接菊花链中多个从器件的 SPI 接口
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 状态寄存器
      2. 7.6.2 控制寄存器
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 栅极驱动器配置
          1. 8.2.2.1.1 VCP 负载计算示例
          2. 8.2.2.1.2 IDRIVE 计算示例
        2. 8.2.2.2 电流分流放大器配置
        3. 8.2.2.3 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
      2. 11.1.2 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 11.5 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RHB|32
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.5 倍增（单级）电荷泵

外部 MOSFET 的高侧栅极驱动电压是使用倍增电荷泵产生的，而该电荷泵采用 PVDD 电压电源输入端运行。该电荷泵使高侧栅极驱动器能够在宽输入电源电压范围内相对于源极电压适当地偏置外部 N 沟道 MOSFET。电荷泵输出经过调节可保持相对于 VPVDD 的固定电压，并支持 15 mA 的平均输出电流能力。电荷泵会受到持续监控以确定是否发生欠压事件，从而防止 MOSFET 出现驱动不足的情况。

电荷泵会被调节到 PVDD 引脚电压，因此该器件不支持 PVDD 和 DRAIN 引脚之间过大的电压差，这些电压差应该受到限制。

电荷泵需要在 PVDD 和 VCP 引脚之间放置一个低 ESR、1 µF、16V 陶瓷电容器（推荐使用 X5R 或 X7R）作为储能电容器。此外，还需要在 CPH 和 CPL 引脚之间放置一个低 ESR、100 nF、PVDD 额定的陶瓷电容器（推荐使用 X5R 或 X7R）作为飞跨电容器。

GUID-6AFA9E0E-78A5-4DE8-88F6-B3C761F2A333-low.gif图 7-6 电荷泵架构
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