使用推荐容值为 0.1 µF 的低 ESR 陶瓷旁路电容器将 PVDD 引脚旁路至 GND 引脚。将该电容器放置在尽可能靠近 PVDD 引脚的位置，并通过较宽的迹线或接地平面连接到 GND 引脚。此外，使用额定电压为 VM 的大容量电容器将 PVDD 引脚旁路掉。该元件可以是电解电容器。其容值必须至少为 10 µF。如果该电容与外部功率 MOSFET 的大容量电容共享，也是可接受的。

需要额外的大容量电容来旁路掉外部 MOSFET 上的大电流路径。放置此大容量电容时应做到尽可能缩短通过外部 MOSFET 的大电流路径的长度。连接金属迹线应尽可能宽，并具有许多连接 PCB 层的过孔。这些做法最大限度地减少了电感并允许大容量电容器提供大电流。

在 CPL 和 CPH 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。该电容器的容值应为 0.1 µF，额定电压为 PVDD，类型为 X5R 或 X7R。此外，在 VCP 和 PVDD 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。该电容器的容值应为 1 µF，额定电压为 16V，类型为 X5R 或 X7R。

使用一个容值为 1.0 µF、额定电压为 6.3V 且类型为 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷电容器将 DVDD 引脚旁路至 GND 引脚。将此电容器尽可能靠近引脚放置，并尽量缩短从电容器到 GND 引脚的路径。如果另一个旁路电容器靠近用于外部低压电源的器件，并且电源上的噪声很小，则可以选择移除该元件。

使用一个容值为 0.1 µF、额定电压为 6.3V 且类型为 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷电容器将 AREF 引脚旁路至 GND 引脚。将此电容器尽可能靠近引脚放置，并尽量缩短从电容器到 GND 引脚的路径。如果另一个旁路电容器靠近用于外部低压电源的器件，并且电源上的噪声很小，则可以选择移除该元件。

DRAIN 引脚可以直接短接到 PVDD 引脚。但是，如果器件和外部 MOSFET 之间的距离很大，请使用专用迹线连接到高侧外部 MOSFET 的漏极公共点。不要将 SLx 引脚直接连接到接地平面，而是应该使用专用迹线将这些引脚连接到低侧外部 MOSFET 的源极。遵循这些建议有助于更准确地感测外部 MOSFET 的 V_DS 以实现过流检测。

最大限度地缩短高侧和低侧栅极驱动器的回路长度。高侧环路是从器件的 GHx 引脚到高侧功率 MOSFET 栅极，然后沿着高侧 MOSFET 源极返回到 SHx 引脚。低侧环路是从器件的 GLx 引脚到低侧功率 MOSFET 栅极，然后沿着低侧 MOSFET 源极返回到 SLx 引脚。