智能栅极驱动架构的 IDRIVE 组件实现了可调节的栅极驱动电流控制，可调整外部 MOSFET V_DS 压摆率。实现此目标的方法是为内部栅极驱动器架构实施可调节的上拉 (I_DRVP) 和下拉 (I_DRVN) 电流源。

外部 MOSFET V_DS 压摆率是用于优化辐射和传导发射、二极管反向恢复、dV/dt 栅极寄生耦合以及半桥开关节点上的过压或欠压瞬态的关键因素。IDRIVE 的工作原理是，V_DS 压摆率主要取决于 MOSFET Q_GD 或米勒充电区域中提供的栅极电荷（或栅极电流）的速率。通过让栅极驱动器调节栅极电流，可以有效地控制外部功率 MOSFET 的压摆率。

IDRIVE 允许 DRV8106-Q1 通过 IDRVP_x 和 IDRVN_x SPI 寄存器或 H/W 接口器件上的 IDRIVE 引脚动态地更改栅极驱动器电流设置。该器件为拉电流和灌电流提供了介于 0.5 mA 和 62 mA 范围之间的 16 种设置值，如表 7-4 所示。在 t_DRIVE 持续时间内可使用峰值栅极驱动电流。在 MOSFET 进行开关并且 t_DRIVE 持续时间结束后，对于上拉的拉电流，栅极驱动器将切换到保持电流 (I_HOLD)，以便在短路条件下限制输出电流，并提高驱动器的效率。