ZHCSKQ6B July   2020  – June 2021 DRV8106-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
    1.     器件比较表
  5. 引脚配置
    1.     DRV8106-Q1_RHB 封装 (VQFN) 引脚功能
  6. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  7. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 外部元件
      2. 7.3.2 器件接口类型
        1. 7.3.2.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.2.2 硬件 (H/W)
      3. 7.3.3 输入 PWM 模式
        1. 7.3.3.1 半桥控制
      4. 7.3.4 智能栅极驱动器
        1. 7.3.4.1 功能方框图
        2. 7.3.4.2 压摆率控制 (IDRIVE)
        3. 7.3.4.3 栅极驱动状态机 (TDRIVE)
      5. 7.3.5 倍增(单级)电荷泵
      6. 7.3.6 宽共模差分电流分流放大器
      7. 7.3.7 引脚图
        1. 7.3.7.1 逻辑电平输入引脚(DRVOFF,IN1/EN,nHIZx,nSLEEP,nSCS,SCLK,SDI)
        2. 7.3.7.2 逻辑电平推挽输出 (SDO)
        3. 7.3.7.3 逻辑电平开漏输出 (nFAULT)
        4. 7.3.7.4 四电平输入(GAIN)
        5. 7.3.7.5 六电平输入(IDRIVE,VDS)
      8. 7.3.8 保护和诊断
        1. 7.3.8.1  栅极驱动器禁用和启用(DRVOFF 和 EN_DRV)
        2. 7.3.8.2  故障复位 (CLR_FLT)
        3. 7.3.8.3  DVDD 逻辑电源上电复位 (DVDD_POR)
        4. 7.3.8.4  PVDD 电源欠压监控器 (PVDD_UV)
        5. 7.3.8.5  PVDD 电源过压监控器 (PVDD_OV)
        6. 7.3.8.6  VCP 电荷泵欠压锁定 (VCP_UV)
        7. 7.3.8.7  MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        8. 7.3.8.8  栅极驱动器故障 (VGS_GDF)
        9. 7.3.8.9  热警告 (OTW)
        10. 7.3.8.10 热关断 (OTSD)
        11. 7.3.8.11 离线短路和开路负载检测(OOL 和 OSC)
        12. 7.3.8.12 故障检测和响应汇总表
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 非运行或睡眠状态
      2. 7.4.2 待机状态
      3. 7.4.3 运行状态
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SPI 接口
      2. 7.5.2 SPI 格式
      3. 7.5.3 用于连接多个从器件的 SPI 接口
        1. 7.5.3.1 用于连接菊花链中多个从器件的 SPI 接口
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 状态寄存器
      2. 7.6.2 控制寄存器
  8. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 栅极驱动器配置
          1. 8.2.2.1.1 VCP 负载计算示例
          2. 8.2.2.1.2 IDRIVE 计算示例
        2. 8.2.2.2 电流分流放大器配置
        3. 8.2.2.3 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
      2. 11.1.2 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 11.5 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RHB|32
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

绝对最大额定值

在工作温度范围内(除非另有说明)(1)
最小值 最大值 单位
驱动器电源引脚电压 PVDD -0.3 40 V
MOSFET 漏极感测引脚电压 DRAIN -0.3 40 V
接地引脚之间的电压差 AGND、GND -0.3 0.3 V
电荷泵引脚电压 VCP –0.3 55 V
电荷泵高侧引脚电压 CPH VPVDD – 0.3 VVCP + 0.3 V
电荷泵低侧引脚电压 CPL -0.3 VPVDD + 0.3 V
数字电源引脚电压 DVDD -0.3 5.75 V
逻辑引脚电压 DRVOFF、GAIN、IDRIVE、IN1/EN、nHIZx、nSLEEP、nFAULT、nSCS、SCLK、SDI、VDS -0.3 5.75 V
输出逻辑引脚电压 SDO –0.3 VDVDD + 0.3 V
高侧栅极驱动引脚电压 GHx(2) -2 VVCP + 0.3 V
高侧栅极驱动引脚 1 µs 瞬态电压 -5 VVCP + 0.3
与 SHx 相关的高侧栅极驱动引脚电压 –0.3 13.5
高侧感测引脚电压 SHx(2) -2 40 V
高侧感测引脚 1 µs 瞬态电压 -5 40
低侧栅极驱动引脚电压 GLx(2) -2 13.5 V
低侧栅极驱动引脚 1 µs 瞬态电压 –3 13.5
与 SLx 相关的低侧栅极驱动引脚电压 –0.3 13.5
低侧感测引脚电压 SLx(2) -2 2 V
低侧感测引脚 1 µs 瞬态电压 -3 3
峰值栅极驱动电流 GHx、GLx 受内部限制 受内部限制 mA
放大器电源和基准引脚电压 AREF -0.3 5.75 V
放大器输入引脚电压 SN、SP -2 VVCP + 0.3 V
放大器输入引脚 1 µs 瞬态电压 -5 VVCP + 0.3
放大器输入差分电压 SN、SP -5.75 5.75 V
放大器输出引脚电压 SO –0.3 VAREF + 0.3 V
环境温度,TA -40 125 °C
结温,TJ -40 150 °C
贮存温度,Tstg -65 150 °C
超出绝对最大额定值下列出的压力可能会对器件造成永久损坏。这些仅是压力额定值,并不意味着器件在这些条件下以及在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
与 GHx、SHx、GLx 或 SLx 相关的 PVDD 和 DRAIN 不应超过 40V。当 PVDD 或 DRAIN 大于 35V 时,应限制 GHx、SHx、GLx 和 SLx 上的负电压,以确保不超过此额定值。当 PVDD 和 DRAIN 低于 35V 时,可使用 GHx、SHx、GLx 和 SLx 的完整负电压额定值。