ZHCSKQ6B July   2020  – June 2021 DRV8106-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
    1.     器件比较表
  5. 5 引脚配置
    1.     DRV8106-Q1_RHB 封装 (VQFN) 引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 外部元件
      2. 7.3.2 器件接口类型
        1. 7.3.2.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.2.2 硬件 (H/W)
      3. 7.3.3 输入 PWM 模式
        1. 7.3.3.1 半桥控制
      4. 7.3.4 智能栅极驱动器
        1. 7.3.4.1 功能方框图
        2. 7.3.4.2 压摆率控制 (IDRIVE)
        3. 7.3.4.3 栅极驱动状态机 (TDRIVE)
      5. 7.3.5 倍增（单级）电荷泵
      6. 7.3.6 宽共模差分电流分流放大器
      7. 7.3.7 引脚图
        1. 7.3.7.1 逻辑电平输入引脚（DRVOFF，IN1/EN，nHIZx，nSLEEP，nSCS，SCLK，SDI）
        2. 7.3.7.2 逻辑电平推挽输出 (SDO)
        3. 7.3.7.3 逻辑电平开漏输出 (nFAULT)
        4. 7.3.7.4 四电平输入（GAIN）
        5. 7.3.7.5 六电平输入（IDRIVE，VDS）
      8. 7.3.8 保护和诊断
        1. 7.3.8.1  栅极驱动器禁用和启用（DRVOFF 和 EN_DRV）
        2. 7.3.8.2  故障复位 (CLR_FLT)
        3. 7.3.8.3  DVDD 逻辑电源上电复位 (DVDD_POR)
        4. 7.3.8.4  PVDD 电源欠压监控器 (PVDD_UV)
        5. 7.3.8.5  PVDD 电源过压监控器 (PVDD_OV)
        6. 7.3.8.6  VCP 电荷泵欠压锁定 (VCP_UV)
        7. 7.3.8.7  MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        8. 7.3.8.8  栅极驱动器故障 (VGS_GDF)
        9. 7.3.8.9  热警告 (OTW)
        10. 7.3.8.10 热关断 (OTSD)
        11. 7.3.8.11 离线短路和开路负载检测（OOL 和 OSC）
        12. 7.3.8.12 故障检测和响应汇总表
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 非运行或睡眠状态
      2. 7.4.2 待机状态
      3. 7.4.3 运行状态
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SPI 接口
      2. 7.5.2 SPI 格式
      3. 7.5.3 用于连接多个从器件的 SPI 接口
        1. 7.5.3.1 用于连接菊花链中多个从器件的 SPI 接口
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 状态寄存器
      2. 7.6.2 控制寄存器
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 栅极驱动器配置
          1. 8.2.2.1.1 VCP 负载计算示例
          2. 8.2.2.1.2 IDRIVE 计算示例
        2. 8.2.2.2 电流分流放大器配置
        3. 8.2.2.3 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
      2. 11.1.2 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 11.5 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RHB|32
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

4.9V ≤ VPVDD ≤ 37V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）。VPVDD = 13.5V 且 TJ = 25°C 时，适用典型限值。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源（DRAIN、DVDD、PVDD、VCP）
IPVDDQ PVDD 睡眠模式电流 VPVDD，VDRAIN = 13.5V，nSLEEP = 0V，
–40 ≤ TJ ≤ 85°C		 2.25 3 µA
IDRAINQ DRAIN 睡眠模式电流 VPVDD，VDRAIN = 13.5V，nSLEEP = 0V，
–40 ≤ TJ ≤ 85°C		 2 2.75 µA
IDVDDQ DVDD 睡眠模式电流 VPVDD，VDRAIN = 13.5V，nSLEEP = 0V，
–40 ≤ TJ ≤ 85°C		 2 3.5 µA
IPVDD PVDD 运行模式电流 VPVDD，VDRAIN = 13.5V，nSLEEP = 5V 2 3 mA
IDRAIN DRAIN 运行模式电流 VPVDD，VDRAIN = 13.5V，nSLEEP = 5V，VDS_LVL ≤ 500mV 250 325 µA
IDVDD DVDD 运行模式电流 VDVDD = 5V，SDO = 0V 3.5 5.5 mA
fDVDD 数字振荡器开关频率 展频的主频率。 14.25 MHz
tWAKE 开通时间 nSLEEP = 5V 进入运行模式 1 ms
tSLEEP 关断时间 nSLEEP = 0V 进入睡眠模式 1 ms
VVCP 相对于 PVDD 的电荷泵稳压器电压 VPVDD ≥ 13V，IVCP ≤ 15mA 9.5 10.5 11 V
VPVDD = 11V，IVCP ≤ 15mA 8.4 10 11
VPVDD = 9V，IVCP ≤ 11mA 7 8 9
VPVDD = 7V，IVCP ≤ 7.5mA 5.5 6 7
VPVDD = 5.5V，IVCP ≤ 5mA 4.5 5 5.5
fVCP 电荷泵开关频率 展频的主频率。 400 kHz
逻辑电平输入（DRVOFF，IN1/EN，nHIZx，nSLEEP，nSCS，SCLK，SDI）
VIL 输入逻辑低电压 DRVOFF，IN1/EN，nHIZx，nSLEEP，SCLK，SDI 0 VDVDD x 0.3 V
VIH 输入逻辑高电压 DRVOFF，IN1/EN，nHIZx，nSLEEP，SCLK，SDI VDVDD x 0.7 5.5 V
VHYS 输入迟滞 VDVDD x 0.1 V
IIL 输入逻辑低电流 VDIN = 0V，DRVOFF，IN1/EN，nHIZx，nSLEEP，SCLK，SDI -5 5 µA
VDIN = 0V，nSCS 50 100
IIH 输入逻辑大电流 VDIN = 5V，DRVOFF，IN1/EN，nHIZx，nSLEEP，SCLK，SDI 50 100 µA
VDIN = 5V，VDVDD = 5V，nSCS -5 5
RPD 输入下拉电阻 至 GND，DRVOFF，IN1/EN，nHIZx，nSLEEP，SCLK，SDI 50 100 150 kΩ
RPU 输入上拉电阻 至 DVDD，nSCS 50 100 150 kΩ
多电平输入（GAIN，IDRIVE，VDS）
VQI1 四电平输入 1 GAIN
电压连接至所设置的电平 1		 0 VDVDD x 0.1 V
RQI2 四电平输入 2 GAIN
接地电阻连接至所设置的电平 2		 44.65 47 49.35 kΩ
RQI3 四电平输入 3 GAIN
接地电阻连接至所设置的电平 3		 500 高阻态 kΩ
VQI4 四电平输入 4 GAIN
电压连接至所设置的电平 4		 VDVDD x 0.9 5.5 V
RQPD 四电平下拉电阻 GAIN，接地 98 kΩ
RQPU 四电平上拉电阻 GAIN，至 DVDD 98 kΩ
VSI1 六电平输入 1 IDRIVE，VDS
电压连接至所设置的电平 1		 0 VDVDD x 0.1 V
RSI2 六电平输入 2 IDRIVE，VDS
接地电阻连接至所设置的电平 2		 28.5 30 31.5 kΩ
RSI3 六电平输入 3 IDRIVE，VDS
接地电阻连接至所设置的电平 3		 95 100 105 kΩ
RSI4 六电平输入 4 IDRIVE，VDS
接地电阻连接至所设置的电平 4		 500 高阻态 kΩ
RSI5 六电平输入 5 IDRIVE，VDS
DVDD 电阻连接至所设置的电平 5		 58.9 62 65.1 kΩ
RSI6 六电平输入 6 IDRIVE，VDS
电压连接至所设置的电平 6		 VDVDD x 0.9 5.5 V
RSPD 六电平下拉电阻 IDRIVE，VDS，接地 98 kΩ
RSPU 六电平上拉电阻 IDRIVE，VDS，至 DVDD 69 kΩ
逻辑电平输出（nFAULT，SDO）
VOL 输出逻辑低电压 IDOUT = 5mA 0.5 V
VOH 输出逻辑高电压 IDOUT = –5mA，SDO VDVDD x 0.8 V
IODZ 开漏逻辑大电流 VOD = 5V，nFAULT -10 10 µA
栅极驱动器（GHx，GLx）
VGHx_L GHx 低电平输出电压 IDRVN_HS = ISTRONG，IGHx = 1mA，
GHx 至 SHx		 0 0.25 V
VGLx_L GLx 低电平输出电压 IDRVN_LS = ISTRONG，IGLx = 1mA，
GLx 至 SLx		 0 0.25 V
VGHx_H GHx 高电平输出电压 IDRVP_HS = IHOLD，IGHx = 1mA，
VCP 至 GHx		 0 0.25 V
VGLx_H GLx 高电平输出电压 IDRVP_LS = IHOLD，IGLx = 1mA，
10.5V ≤ VPVDD ≤ 37V，GLx 至 SLx		 10.25 10.5 12.5 V
IDRVP_LS = IHOLD，IGLx = 1mA，
4.9V ≤ VPVDD ≤ 10.5V，GLx 至 SLx		 VPVDD - 0.25 VPVDD VPVDD V
IDRVP, SPI 峰值栅极电流（拉电流）
SPI 器件		 IDRVP = 0000b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 0.2 0.5 0.8 mA
IDRVP = 0001b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 0.5 1 1.5
IDRVP = 0010b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 1.3 2 2.7
IDRVP = 0011b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 2.1 3 3.9
IDRVP = 0100b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 2.9 4 5.1
IDRVP = 0101b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 4.5 6 7.5
IDRVP = 0110b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 6 8 10
IDRVP = 0111b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 9 12 15
IDRVP = 1000b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 12 16 20
IDRVP = 1001b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 15 20 25
IDRVP = 1010b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 18 24 30
IDRVP = 1011b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 21 28 35
IDRVP = 1100b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 23.25 31 38.75
IDRVP = 1101b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 26.5 40 50
IDRVP = 1110b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 28 48 60
IDRVP = 1111b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 30 62 77.5
IDRVP, H/W 峰值栅极电流（拉电流）
H/W 器件		 IDRIVE 电平 1，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 0.5 1 1.5 mA
IDRIVE 电平 2，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 2.9 4 5.1
IDRIVE 电平 3，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 6 8 10
IDRIVE 电平 4，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 12 16 20
IDRIVE 电平 5，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 23.25 31 38.75
IDRIVE 电平 6，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 30 62 77.5
IDRVN, SPI 峰值栅极电流（灌电流）
SPI 器件		 IDRVN = 0000b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 0.15 0.5 0.85 mA
IDRVN = 0001b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 0.35 1 1.65
IDRVN = 0010b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 0.85 2 3.15
IDRVN = 0011b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 1.4 3 4.6
IDRVN = 0100b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 2.1 4 5.9
IDRVN = 0101b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 3.5 6 8.5
IDRVN = 0110b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 5 8 11
IDRVN = 0111b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 8 12 16
IDRVN = 1000b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 11.5 16 20
IDRVN = 1001b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 14.7 20 25
IDRVN = 1010b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 18 24 30
IDRVN = 1011b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 21 28 35
IDRVN = 1100b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 23.25 31 38.75
IDRVN = 1101b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 30 40 52
IDRVN = 1110b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 36 48 62
IDRVN = 1111b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 46.5 62 80
IDRVN, H/W 峰值栅极电流（灌电流）
H/W 器件		 IDRIVE 电平 1，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 0.35 1 1.65 mA
IDRIVE 电平 2，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 2.1 4 5.9
IDRIVE 电平 3，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 5 8 11
IDRIVE 电平 4，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 11.5 16 20
IDRIVE 电平 5，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 23.25 31 38.75
IDRIVE 电平 6，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 46.5 62 80
IHOLD 栅极上拉保持电流 VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 5 16 30 mA
ISTRONG 栅极强下拉电流 VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V，
0.5 ≤ IDRVP ≤ 12mA		 30 62 100 mA
VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V，
16 ≤ IDRVP ≤ 62mA		 45 128 205 mA
RPDSA_LS 低侧半有源下拉电阻 GLx 至 SLx，VGSx = 3V 1.8 kΩ
GLx 至 SLx，VGSx = 1V 5 kΩ
RPD_HS 高侧无源下拉电阻 GHx 至 SHx 150 kΩ
RPD_LS 低侧无源下拉电阻 GLx 至 SLx 150 kΩ
ISHx 开关节点感测漏电流 进入 SHx，SHx = DRAIN ≤ 37V
GHx – SHx = 0V，nSLEEP = 0V		 -5 0 25 µA
进入 SHx，SHx = DRAIN ≤ 37V
GHx – SHx = 0V，nSLEEP = 5V		 –150 –100 –40 µA
栅极驱动器时序（GHx，GLx）
tPDR_LS 低侧上升传播延迟 输入至 GLx 上升 300 850 ns
tPDF_LS 低侧下降传播延迟 输入至 GLx 下降 300 600 ns
tPDR_HS 高侧上升传播延迟 输入至 GHx 上升 300 600 ns
tPDF_HS 高侧下降传播延迟 输入至 GHx 下降 300 600 ns
tDEAD 内部握手死区时间 VGSx_L/VGSx_H 下降 10% 至 VGSx_H/VGSx_L 上升 10% 350 ns
tDEAD_D, SPI 可插入的数字死区时间
SPI 器件		 VGS_TDEAD = 000b，仅握手 0 ns
VGS_TDEAD = 001b 150 250 350
VGS_TDEAD = 010b 400 500 600
VGS_TDEAD = 011b 600 750 900
VGS_TDEAD = 100b 800 1000 1200
VGS_TDEAD = 101b 1600 2000 2400
VGS_TDEAD = 110b 3400 4000 4600
VGS_TDEAD = 111b 7200 8000 8800
tDEAD_D, H/W 可插入的数字死区时间
H/W 器件		 仅握手 0 ns
电流分流放大器（AREF，SN，SO，SP）
VCOM 共模输入范围 -2 VPVDD + 2 V
GCSA, SPI 感测放大器增益
SPI 器件		 CSA_GAIN = 00b 9.9 10.15 10.4 V/V
CSA_GAIN = 01b 19.5 20 20.5
CSA_GAIN = 10b 39 40 41
CSA_GAIN = 11b 78 80 82
GCSA, H/W 感测放大器增益
H/W 器件		 GAIN 四电平 1 9.9 10.15 10.4 V/V
GAIN 四电平 2 19.5 20 20.5
GAIN 四电平 3 39 40 41
GAIN 四电平 4 78 80 82
tSET 感测放大器稳定时间至 ±1% VSO_ STEP = 1.5V，GCSA = 10V/V
CSO = 60pF		 2.2 µs
VSO_ STEP = 1.5V，GCSA = 20V/V
CSO = 60pF		 2.2
VSO_ STEP = 1.5V，GCSA = 40V/V
CSO = 60pF		 2.2
VSO_ STEP = 1.5V，GCSA = 80V/V
CSO = 60pF		 3
tBLK, SPI 感测放大器输出消隐时间
SPI 器件		 CSA_BLK = 000b，tDRIVE 周期的百分比 0 %
CSA_BLK = 001b，tDRIVE 周期的百分比 25
CSA_BLK = 010b，tDRIVE 周期的百分比 37.5
CSA_BLK = 011b，tDRIVE 周期的百分比 50
CSA_BLK = 100b，tDRIVE 周期的百分比 62.5
CSA_BLK = 101b，tDRIVE 周期的百分比 75
CSA_BLK = 110b，tDRIVE 周期的百分比 87.5
CSA_BLK = 111b，tDRIVE 周期的百分比 100
tBLK, H/W 感测放大器输出消隐时间
H/W 器件		 0 ns
tSLEW 输出压摆率 CSO = 60pF 2.5 V/µs
VBIAS, SPI 输出电压偏置
SPI 器件		 VSPx = VSNx = 0V，CSA_DIV = 0b VAREF / 2 V
VSPx = VSNx = 0V，CSA_DIV = 1b VAREF / 8
VBIAS, H/W 输出电压偏置
H/W 器件		 VAREF / 2 V
VLINEAR 线性输出电压范围 VAREF = 3.3V = 5V 0.25 VAREF – 0.25 V
VOFF 输入失调电压 VSPx = VSNx = 0V，TJ = 25℃ –1.5 1.5 mV
VOFF_D 输入失调电压漂移 VSPx = VSNx = 0V ±10 ±25 µV/℃
IBIAS 输入偏置电流 VSPx = VSNx = 0V，进入引脚 100 µA
IBIAS_OFF 输入偏置电流失调 ISPx – ISNx -1 1 µA
IAREF AREF 输入电流 VVREF = 3.3V = 5V 1 1.8 mA
CMRR 共模抑制比 直流，–40 ≤ TJ ≤ 125°C 72 90 dB
直流，–40 ≤ TJ ≤ 150°C 69 90
20kHz 80
PSRR 电源抑制比 PVDD 至 SOx，直流 100 dB
PVDD 至 SOx，20kHz 90
PVDD 至 SOx，400kHz 70
保护电路
VPVDD_UV PVDD 欠压阈值 VPVDD 上升 4.325 4.625 4.9 V
VPVDD 下降 4.25 4.525 4.8
VPVDD_UV_HYS PVDD 欠压迟滞 上升至下降阈值 100 mV
tPVDD_UV_DG PVDD 欠压抗尖峰脉冲时间 8 10 12.75 µs
VPVDD_OV PVDD 过压阈值 VPVDD 上升，PVDD_OV_LVL = 0b 21 22.5 24 V
VPVDD 下降，PVDD_OV_LVL = 0b 20 21.5 23
VPVDD 上升，PVDD_OV_LVL = 1b 27 28.5 30
VPVDD 下降，PVDD_OV_LVL = 1b 26 27.5 29
VPVDD_OV_HYS PVDD 过压迟滞 上升至下降阈值 1 V
tPVDD_OV_DG PVDD 过压抗尖峰脉冲时间 PVDD_OV_DG = 00b 0.75 1 1.5 µs
PVDD_OV_DG = 01b 1.5 2 2.5
PVDD_OV_DG = 10b 3.25 4 4.75
PVDD_OV_DG = 11b 7 8 9
VDVDD_POR DVDD 电源 POR 阈值 DVDD 下降 2.5 2.7 2.9 V
DVDD 上升 2.6 2.8 3
VDVDD_POR_HYS DVDD POR 迟滞 上升至下降阈值 100 mV
tDVDD_POR_DG DVDD POR 抗尖峰脉冲时间 5 8 12.75 µs
VCP_UV, SPI 电荷泵欠压阈值
SPI 器件		 VVCP - VPVDD，下降，VCP_UV = 0b 2 2.5 3 V
VVCP - VPVDD，下降，VCP_UV = 1b 4 5 6
VCP_UV, H/W 电荷泵欠压阈值
H/W 器件		 2 2.5 3 V
tCP_UV_DG 电荷泵欠压抗尖峰脉冲时间 8 10 12.75 µs
VGS_CLP 高侧驱动器 VGS 保护钳位 12.5 15 17 V
VGS_LVL 栅极电压监控阈值 VGH/Lx – VSH/Lx，VGS_LVL = 0b 1.1 1.4 1.75 V
VGH/Lx – VSH/Lx，VGS_LVL = 1b 0.8 1 1.2 V
tGS_FLT_DG VGS 故障监控抗尖峰脉冲时间 1.5 2 2.75 µs
tGS_HS_DG VGS 握手监控抗尖峰脉冲时间 210 ns
tDRIVE, SPI VGS 和 VDS 监控消隐时间
SPI 器件		 VGS_TDRV = 00b 80 96 120 µs
VGS_TDRV = 01b 1.5 2 2.5
VGS_TDRV = 10b 3.25 4 4.75
VGS_TDRV = 11b 7.5 8 9
tDRIVE, H/W VGS 和 VDS 监控消隐时间
H/W 器件		 3.25 4 4.75 µs
VDS_LVL, SPI VDS 过流保护阈值
SPI 器件		 VDS_LVL = 0000b 0.04 0.06 0.08 V
VDS_LVL = 0001b 0.06 0.08 0.10
VDS_LVL = 0010b 0.08 0.10 0.12
VDS_LVL = 0011b 0.10 0.12 0.14
VDS_LVL = 0100b 0.12 0.14 0.16
VDS_LVL = 0101b 0.14 0.16 0.18
VDS_LVL = 0110b 0.16 0.18 0.20
VDS_LVL = 0111b 0.18 0.2 0.22
VDS_LVL = 1000b 0.27 0.3 0.33
VDS_LVL = 1001b 0.36 0.4 0.44
VDS_LVL = 1010b 0.45 0.5 0.55
VDS_LVL = 1011b 0.54 0.6 0.66
VDS_LVL = 1100b 0.63 0.7 0.77
VDS_LVL = 1101b 0.9 1 1.1
VDS_LVL = 1110b 1.26 1.4 1.54
VDS_LVL = 1111b 1.8 2 2.2
VDS_LVL, H/W VDS 过流保护阈值
H/W 器件		 VDS 六电平输入 1 0.04 0.06 0.08 V
VDS 六电平输入 2 0.08 0.10 0.12
VDS 六电平输入 3 0.18 0.2 0.22
VDS 六电平输入 4 0.45 0.5 0.55
VDS 六电平输入 5 0.9 1 1.1
VDS 六电平输入 6 禁用
tDS_DG, SPI VDS 过流保护抗尖峰脉冲时间
SPI 器件		 VDS_DG = 00b 0.75 1 1.5 µs
VDS_DG = 01b 1.5 2 2.5
VDS_DG = 10b 3.25 4 4.75
VDS_DG = 11b 7.5 8 9
tDS_DG, H/W VDS 过流保护抗尖峰脉冲时间
H/W 器件		 3.25 4 4.75 µs
IOLD 离线诊断电流源 上拉电流 3 mA
下拉电流 3
TOTW 热警告温度 TJ 上升 130 150 170 °C
THYS 热警告迟滞 20 °C
TOTSD 热关断温度 TJ 上升 150 170 190 °C
THYS 热关断迟滞 20 °C
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