ZHCSRD9A January 2023 – March 2024 DRV8144-Q1
PRODUCTION DATA
在 VVM = 13.5V 时测得
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
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RHS_ON | 高侧 FET 导通电阻,VQFN-HR 封装 | IOUT = 12A,TJ = 25°C | 11.8 | mΩ | ||
IOUT = 12A,TJ = 150°C | 22.4 | mΩ | ||||
RLS_ON | 低侧 FET 导通电阻,VQFN-HR 封装 | IOUT = 12A,TJ = 25°C | 11.8 | mΩ | ||
IOUT = 12A,TJ = 150°C | 22.4 | mΩ | ||||
VSD | 当体二极管被正向偏置时的低侧和高侧 FET 源漏电压 | IOUT = +/- 12A(两个方向) | 0.4 | 0.9 | 1.5 | V |
RHi-Z | 处于休眠或待机状态时的 OUT 接地电阻 | VOUTx = VVM = 13.5V | 0.75 | 38 | kΩ |