ZHCSRD7B January 2023 – March 2024 DRV8145-Q1
PRODUCTION DATA
使用额定电压为 VM、推荐值为 0.1μF 的低 ESR 陶瓷旁路电容器将每个 VM 引脚旁路至接地。这些电容器应尽可能靠近 VM 引脚放置，并通过较宽的引线或接地层连接至器件 GND 引脚。
需要额外的大容量电容器来绕过高电流路径。放置此大容量电容器时应做到尽可能缩短任何高电流路径的长度。连接金属走线应尽可能宽，并具有许多连接 PCB 层的过孔。这些做法最大限度地减少了电感并允许大容量电容器提供大电流。
在 VCP 和 VM 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。该电容器的容值应为 1µF，额定电压为 6.3V，类型为 X5R 或 X7R。
对于 SPI (P) 器件型号，可以使用一个推荐电容为 0.1µF 的低 ESR 陶瓷 6.3V 旁路电容器将 VDD 引脚旁路至接地。