ZHCSRD7B January   2023  – March 2024 DRV8145-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 HW 型号
      1. 5.1.1 VQFN-HR(16) 封装
    2. 5.2 SPI 型号
      1. 5.2.1 HTSSOP (28) 封装
      2. 5.2.2 VQFN-HR(16) 封装
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
      1. 6.5.1  电源和初始化
      2. 6.5.2  逻辑 I/O
      3. 6.5.3  SPI I/O
      4. 6.5.4  配置引脚 - 仅限 HW 型号
      5. 6.5.5  功率 FET 参数
      6. 6.5.6  具有高侧再循环的开关参数
      7. 6.5.7  具有低侧再循环的开关参数
      8. 6.5.8  IPROPI 和 ITRIP 调节
      9. 6.5.9  过流保护 (OCP)
      10. 6.5.10 过热保护 (TSD)
      11. 6.5.11 电压监控
      12. 6.5.12 负载监测
      13. 6.5.13 故障重试设置
      14. 6.5.14 瞬态热阻抗和电流能力
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 开关波形
      1. 6.7.1 输出开关瞬态
        1. 6.7.1.1 高侧再循环
        2. 6.7.1.2 低侧再循环
      2. 6.7.2 唤醒瞬态
        1. 6.7.2.1 HW 型号
        2. 6.7.2.2 SPI 型号
      3. 6.7.3 故障反应瞬态
        1. 6.7.3.1 重试设置
        2. 6.7.3.2 锁存设置
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
      1. 7.2.1 HW 型号
      2. 7.2.2 SPI 型号
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 外部元件
        1. 7.3.1.1 HW 型号
        2. 7.3.1.2 SPI 型号
      2. 7.3.2 电桥控制
        1. 7.3.2.1 寄存器 - 引脚控制 - 仅限 SPI 型号
      3. 7.3.3 器件配置
        1. 7.3.3.1 压摆率 (SR)
        2. 7.3.3.2 IPROPI
        3. 7.3.3.3 ITRIP 调节
        4. 7.3.3.4 DIAG
          1. 7.3.3.4.1 HW 型号
          2. 7.3.3.4.2 SPI 型号
      4. 7.3.4 保护和诊断
        1. 7.3.4.1 过流保护 (OCP)
        2. 7.3.4.2 过热保护 (TSD)
        3. 7.3.4.3 关断状态诊断 (OLP)
        4. 7.3.4.4 导通状态诊断 (OLA) - 仅限 SPI 型号
        5. 7.3.4.5 VM 过压监视器
        6. 7.3.4.6 VM 欠压监视器
        7. 7.3.4.7 电荷泵欠压监控
        8. 7.3.4.8 上电复位 (POR)
        9. 7.3.4.9 事件优先级
    4. 7.4 编程 - 仅限 SPI 型号
      1. 7.4.1 SPI 接口
      2. 7.4.2 标准帧
      3. 7.4.3 用于多个外设的 SPI 接口
        1. 7.4.3.1 用于多个外设的菊花链帧
  9. 8 寄存器映射 - 仅限 SPI 型号
    1. 8.1 用户寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 负载概要
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 HW 型号
      2. 9.2.2 SPI 型号
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 确定大容量电容器的大小
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 社区资源
    4. 10.4 商标
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5.14 瞬态热阻抗和电流能力

基于热模拟的信息

表 6-1 瞬态热阻抗 (RθJA) 和电流能力 - 半桥
器件型号 封装 RθJA [°C/W](1) 电流 [A](3)
没有脉宽调制（PWM）(3) 有脉宽调制（PWM）(4)
0.1s 1s 10s 直流 0.1s 1s 10s 直流 10s 直流
DRV8145-Q1 VQFN-HR 3.8 8.8 13.1 29.7 33.5 22.0 18.1 12.0 13.6 7.9
DRV8145-Q1 HTSSOP 2.6 6.5 11.5 28.3 36.3 22.9 17.2 11.0 13.6 7.6
(1) 基于热模拟，采用 40mm x 40mm x 1.6mm 4 层 PCB – 顶部/底部层使用 2 盎司铜，内部层使用 1 盎司铜，热过孔钻孔直径为 0.3mm，镀铜层为 0.025mm，最小过孔间距为 1mm。
(3) 在 85°C 环境温度下，估计结温升高至 150°C的瞬态电流能力
(3) 仅考虑导通损耗 (I2R)
(4) 通过如下公式粗略估计开关损耗：
方程式 1. PSW = VVM x ILoad x fPWM x VVM/SR，其中 VVM = 13.5V，fPWM = 20KHz，SR = 23V/µs
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