DRV816x 系列器件集成了高侧和低侧 FET 栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动 N 沟道功率 MOSFET。自举栅极驱动架构会在 PWM 开关期间生成高侧栅极驱动器电压。GVDD 引脚可同时为高侧和低侧栅极驱动器供电，并为 FET 设置 V_GS 电压。

DRV816x 器件支持半桥功率级架构。除了常规的 2 引脚 PWM 控制接口外，该器件还通过禁用击穿保护并允许单独控制高侧和低侧 FET 来提供独立的 PWM 模式。在驱动电磁阀和开关磁阻电机时，独立 FET 控制非常有用。DRV8162 和 DRV8162L 具有单独的电源引脚（GVDD 和 GVDD_LS），可用于高侧和低侧 FET 栅极驱动器。通过向栅极驱动电源引脚添加外部电源开关，系统可支持安全转矩关闭 (STO) 功能。