ZHCSWC4A May   2024  – July 2024 DRV8161 , DRV8162

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 1pkg 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序图
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 7.3.1.1.1 2 引脚 PWM 模式
          2. 7.3.1.1.2 1 引脚 PWM 模式(仅为预发布状态)
          3. 7.3.1.1.3 独立 PWM 模式
        2. 7.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 7.3.1.2.1 涓流电荷泵 (TCP)
          2. 7.3.1.2.2 死区时间和跨导保护(击穿保护)
      2. 7.3.2 引脚图
        1. 7.3.2.1 四电平输入引脚 (CSAGAIN)
        2. 7.3.2.2 数字输出 nFAULT(DRV8162、DRV8162L)
        3. 7.3.2.3 数字输入输出 nFAULT/nDRVOFF (DRV8161)
        4. 7.3.2.4 多电平输入(IDRIVE1 和 IDRIVE2)
        5. 7.3.2.5 多电平数字输入 (VDSLVL)
        6. 7.3.2.6 多电平数字输入 DT/MODE
      3. 7.3.3 低侧电流检测放大器
        1. 7.3.3.1 双向电流检测操作
      4. 7.3.4 栅极驱动器关断序列 (nDRVOFF)
        1. 7.3.4.1 nDRVOFF 诊断
      5. 7.3.5 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.5.1 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        2. 7.3.5.2 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        3. 7.3.5.3 热关断 (OTSD)
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 DRV8161 的典型应用
      2. 8.2.2 DRV8162 和 DRV8162L 的典型应用
      3. 8.2.3 外部组件
  10. 布局
    1. 9.1 布局指南
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 社区资源
    5. 10.5 商标
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

概述

DRV816x 器件是集成的 100V 栅极驱动器,适用于各种机电负载,包括无刷直流 (BLDC) 电机、有刷直流电机、步进电机、开关磁阻电机和电磁阀。这些器件通过将半桥栅极驱动器与涓流电荷泵、自举二极管和 FET VDS 监控功能集成在一起,减少了系统元件数量、降低了成本和复杂性。FET VDS 监控功能保护外部 FET,防止受电源短路、接地短路或电机端子间短路的影响。DRV8161 集成了双向低侧电流检测放大器,用于向控制器 ADC 提供电流反馈。使用半桥架构可将栅极驱动器放置在功率级 FET 附近,从而简化信号布线、减少辐射 EMI 和减小整体 PCB 面积。

栅极驱动器支持外部 N 沟道高侧和低侧功率 MOSFET,可驱动高达 1A 的峰值拉电流、2A 的峰值灌电流。集成的自举二极管、外部自举电容器和集成涓流电荷泵可从 GVDD 引脚生成高侧栅极驱动电源电压。GVDD 引脚直接提供低侧栅极驱动电源电压。DRV8162 和 DRV8162L 器件型号提供单独的 GVDD 和 GVDD_LS 引脚,从而有助于系统设计安全转矩关闭 (STO)。

智能栅极驱动架构具备调整输出栅极驱动电流强度的功能,使栅极驱动器能够控制功率 MOSFET VDS 开关速度。这样一来便可以移除外部栅极驱动电阻器和二极管,从而减少 BOM 元件数量和 PCB 面积并降低成本。该架构还使用内部状态机来防止发生栅极驱动短路事件,控制半桥死区时间,并防止外部功率 MOSFET 发生 dV/dt 寄生导通。

除了高度的器件集成之外,DRV816x 器件还提供广泛的集成保护功能。这些功能包括电源欠压锁定 (UVLO)、VDS 过流监控 (OCP) 和过热关断 (OTSD)。nFAULT 引脚指示保护功能检测到的故障事件。