ZHCSWC4A May 2024 – July 2024 DRV8161 , DRV8162
ADVANCE INFORMATION
栅极驱动器器件采用适用于高侧和低侧驱动器的互补推挽拓扑。该拓扑允许对外部 MOSFET 栅极进行强上拉和强下拉。低侧栅极驱动器由 GVDD 稳压器电源直接供电。对于高侧栅极驱动器,自举二极管和电容器用于生成浮动高侧栅极电压电源。集成了自举二极管,并在 BST 引脚上使用了一个外部自举电容器。
高侧栅极驱动器具有半有源下拉功能,而低侧栅极驱动器具有无源下拉功能,有助于防止外部 MOSFET 在电源断开时导通。