DRV816x 器件具有可调节的 V_DS 电压监视器，可检测外部功率 MOSFET 上的过流或短路情况。可以通过监测外部 MOSFET R_DS(on) 上的 V_DS 压降来检测 MOSFET 过流事件。高侧 VDS 监控在 VDRAIN 和 SH 引脚之间测量。高侧 VDS 监控在 SH 和 SL 引脚之间测量。如果外部 MOSFET 两端的电压超过 V_VDSLVL 阈值的时间大于 t_{DS_DG} 抗尖峰脉冲时间，则会识别到 VDS_OCP 事件。检测到 VDS 过流事件后，所有栅极驱动器输出都被驱动为低电平以禁用外部 MOSFET，并且 nFAULT 引脚被驱动为低电平。通过 VDSLVL 引脚可以在 0.1V 至 2.0V 之间设置 VDS 阈值。VDS 抗尖峰脉冲时间固定在 t_VDSDEG。可通过使 VDSLVL 引脚保持断开来禁用 VDS OCP。清除过流条件后，故障状态保持锁存，并可以在 INH(IN) 和 INL(EN) 在 t_CLRFLT 时间内保持低电平时清除。

图 7-19 DRV816x MOSFET V_DS 过流保护