ZHCSWC4A May   2024  – July 2024 DRV8161 , DRV8162

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 1pkg 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序图
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 7.3.1.1.1 2 引脚 PWM 模式
          2. 7.3.1.1.2 1 引脚 PWM 模式（仅为预发布状态）
          3. 7.3.1.1.3 独立 PWM 模式
        2. 7.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 7.3.1.2.1 涓流电荷泵 (TCP)
          2. 7.3.1.2.2 死区时间和跨导保护（击穿保护）
      2. 7.3.2 引脚图
        1. 7.3.2.1 四电平输入引脚 (CSAGAIN)
        2. 7.3.2.2 数字输出 nFAULT（DRV8162、DRV8162L）
        3. 7.3.2.3 数字输入输出 nFAULT/nDRVOFF (DRV8161)
        4. 7.3.2.4 多电平输入（IDRIVE1 和 IDRIVE2）
        5. 7.3.2.5 多电平数字输入 (VDSLVL)
        6. 7.3.2.6 多电平数字输入 DT/MODE
      3. 7.3.3 低侧电流检测放大器
        1. 7.3.3.1 双向电流检测操作
      4. 7.3.4 栅极驱动器关断序列 (nDRVOFF)
        1. 7.3.4.1 nDRVOFF 诊断
      5. 7.3.5 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.5.1 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        2. 7.3.5.2 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        3. 7.3.5.3 热关断 (OTSD)
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 DRV8161 的典型应用
      2. 8.2.2 DRV8162 和 DRV8162L 的典型应用
      3. 8.2.3 外部组件
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 社区资源
    5. 10.5 商标
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

 VGVDD = 12V，VVDRAIN = 48V，CSAREF = 5V，TJ = 25℃（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源（GVDD、BST）
IVDRAIN_UNPWR GVDD 未供电状态下的 VDRAIN 漏电流  GVDD = 0V，VDRAIN = 48V，VBST-SH = 0V

 3.5 5 µA
IGVDD GVDD 工作模式电流 INH = INL = 开关 @ 20kHz；VBST = VGVDD；未连接 FET，DT/MODE 引脚断开。  VDS_LVL = 2V 2 mA
tWAKE 开通时间 GVDD = 0V 至 12V
VGVDD = VGVDD_UV 到工作模式（输出就绪：nFAULT = 高电平）		 0.4 ms
ILBS_TCPON 高侧上拉期间的自举引脚漏电流 INH = 高电平；TCP_ON 30 µA
逻辑电平输入（INH、INL、nDRVOFF）
VIL 输入逻辑低电平电压 INL、INH、nDRVOFF 0.8 V
VIH 输入逻辑高电平电压 INL、INH、nDRVOFF 2.2 V
RPU 输入上拉电阻 nDRVOFF 至内部稳压器，无外部连接 250 kΩ
RPD 输入下拉电阻 INH、INL 至 GND 250 kΩ
tnDRVOFF_DEG nDRVOFF 输入抗尖峰脉冲时间 nDRVOFF 下降和上升

 2.1 µs
tnDRVOFF_DIAG nDRVOFF 诊断脉冲有效输入时间 仅适用于 DRV8162 和 DRV8162L 0.5 µs
开漏输出 (nFAULT)
VOL 输出逻辑低电平电压 IOD = 5mA，GVDD > 4V 0.4 V
自举二极管 (BST)
VBOOTD 自举二极管正向电压 IBOOT = 10mA 0.8 V
IBOOT = 100mA 1.3
RBOOTD 自举动态电阻 (ΔVBOOTD/ΔIBOOT) IBOOT = 100mA 和 50mA 4.8 Ω
电荷泵 (BST)
VTCP 涓流电荷泵输出电压
VBST-SH，INH = 高电平，VSH = VVDRAIN = 20V，VBST > VGVDD，外部负载 ITRICKLE = 2uA，TJ = 25℃		 8.5 V

VBST-SH，INH = 高电平，VSH = VVDRAIN = 20V，VBST > VGVDD，外部负载 ITRICKLE = 2uA，TJ = 150℃		 4.9
栅极驱动器（GH、GL、SH、SL）
IDRIVEP0 峰值栅极拉电流 VBST-VSH = VGVDD = 12V 16 mA
IDRIVEP1 VBST-VSH = VGVDD = 12V 32
IDRIVEP2 VBST-VSH = VGVDD = 12V 64
IDRIVEP3 VBST-VSH = VGVDD = 12V 96
IDRIVEP4 VBST-VSH = VGVDD = 12V 128
IDRIVEP5 VBST-VSH = VGVDD = 12V 160
IDRIVEP6 VBST-VSH = VGVDD = 12V 192
IDRIVEP7 VBST-VSH = VGVDD = 12V 224
IDRIVEP8 VBST-VSH = VGVDD = 12V 256
IDRIVEP9 VBST-VSH = VGVDD = 12V 288
IDRIVEP10 VBST-VSH = VGVDD = 12V 320
IDRIVEP11 VBST-VSH = VGVDD = 12V 384
IDRIVEP12 VBST-VSH = VGVDD = 12V 448
IDRIVEP13 VBST-VSH = VGVDD = 12V 512
IDRIVEP14 VBST-VSH = VGVDD = 12V 768
IDRIVEP15 VBST-VSH = VGVDD = 12V 1024
IDRIVEN0
峰值栅极灌电流

 VBST-VSH = VGVDD = 12V 32 mA
IDRIVEN1 VBST-VSH = VGVDD = 12V 64
IDRIVEN2 VBST-VSH = VGVDD = 12V 128
IDRIVEN3 VBST-VSH = VGVDD = 12V 192
IDRIVEN4 VBST-VSH = VGVDD = 12V 256
IDRIVEN5 VBST-VSH = VGVDD = 12V 320
IDRIVEN6 VBST-VSH = VGVDD = 12V 384
IDRIVEN7 VBST-VSH = VGVDD = 12V 448
IDRIVEN8 VBST-VSH = VGVDD = 12V 512
IDRIVEN9 VBST-VSH = VGVDD = 12V 576
IDRIVEN10 VBST-VSH = VGVDD = 12V 640
IDRIVEN11 VBST-VSH = VGVDD = 12V 768
IDRIVEN12 VBST-VSH = VGVDD = 12V 896
IDRIVEN13 VBST-VSH = VGVDD = 12V 1024
IDRIVEN14 VBST-VSH = VGVDD = 12V 1536
IDRIVEN15 VBST-VSH = VGVDD = 12V 2048
RPD_LS 低侧无源下拉电阻 GL 至 SL，VGL - VSL = 2V 85 kΩ
RPDSA_HS 高侧半有源下拉电阻 VGVDD < VGVDD_UV  
GH 至 SH，VGH - VSH = 2V
 4 kΩ
IPUHOLD_HS 高侧上拉保持电流 512 mA
IPDHOLD_HS 高侧下拉保持电流 2048 mA
IPDSTRONG_LS 低侧下拉强电流 2048 mA
IPDSTRONG_HS 高侧下拉强电流 2048 mA
IDRVIVENSD_LS 低侧峰值栅极关断灌电流 IDRIVENx 设置为 IDRIVEN13（1024mA 典型值）或更小的设置 32 mA
IDRVIVENSD_LS 低侧峰值栅极关断灌电流 IDRIVENx 设置为 IDRIVEN14（1536mA 典型值）或 IDRIVEN15（2048mA 典型值） 64 mA
IDRIVENSD_HS 高侧峰值栅极关断灌电流 IDRIVENx 设置为 IDRIVEN13（1024mA 典型值）或更小的设置 32 mA
IDRIVENSD_HS 高侧峰值栅极关断灌电流 IDRIVENx 设置为 IDRIVEN14（1536mA 典型值）或 IDRIVEN15（2048mA 典型值） 64 mA
栅极驱动器时序
tPDR_LS 低侧上升传播延迟 INL 至 GL 上升，GL 上无负载 50 ns
tPDF_LS 低侧下降传播延迟 INL 至 GL 下降，GL 上无负载 50 ns
tPDR_HS 高侧上升传播延迟 INH 至 GH 上升，GH 上无负载 50 ns
tPDF_HS 高侧下降传播延迟 INH 至 GH 下降，GH 上无负载 50 ns
tPD_MATCH 匹配低侧栅极驱动器的传播延迟 GL 打开至 GL 关闭，从 VGL-SL = 1V 至 VGL-SL = VGVDD - 1V；GL 上无负载 ±4 ns
tPD_MATCH 匹配高侧栅极驱动器的传播延迟 GH 打开至 GH 关闭，从 VGH-SH = 1V 至 VGH-SH = VBST-SH - 1V；GH 上无负载 ±4 ns
tPD_MATCH_PH 匹配从 GL 关闭到 GH 打开期间每相位的传播延迟 禁用死区时间。GL 关闭至 GH 打开，从 VGL-SL= VGVDD - 1V 至 VGH-SH = 1V ±4 ns
tPD_MATCH_PH 匹配从 GH 关闭到 GL 打开期间每相位的传播延迟 禁用死区时间。GH 关闭至 GL 打开，从 VGH-SH = VBST-SH - 1V 至 VGL-SL = 1V ±4 ns
tDEAD 栅极驱动死区时间 RDT = 470Ω 2 引脚 PWM 模式；IDRIVEN15 20
ns
RDT = 1.3kΩ 2 引脚 PWM 模式；IDRIVEN15 100
RDT = 3.3KΩ 2 引脚 PWM 模式；IDRIVEN15 370
tMINDEAD_VGS VGS 监控模式的最短栅极驱动死区时间（可用的最短时间） VGS 监控死区时间插入；tDEAD_CFG < 130ns；HS 下降至 LS 上升，LS 下降至 HS 上升 280 ns
电流采样放大器（SN、SO、SP、CSAREF）
ACSA 检测放大器增益 CSAGAIN = 连接至 GND (LEVEL0) 5 V/V
CSAGAIN = 10kΩ 典型值，连接至 GND (LEVEL1) 10 V/V
CSAGAIN = 30kΩ 典型值，连接至 GND (LEVEL2) 20 V/V
CSAGAIN = 开路；(LEVEL3) 40 V/V
tSET 精度达 ±1% 的稳定时间 VSTEP = 1.6V，ACSA = 5V/V，CSO = 500pF 0.6 µs
VSTEP = 1.6V，ACSA = 40V/V，CSO = 500pF 0.8 µs
BW 带宽 ACSA = 5V/V，CLOAD = 60pF，小信号 -3dB 5 MHz
VSWING 输出电压范围 VCSAREF = 3V 至 5.5V

 0.25 VCSAREF - 0.25 V
VCOM 共模输入范围
-0.225 0.225 V
VOFF 输入失调电压 VSP = VSN = GND；TJ = 25℃，增益 ACSA = 10、20、40V/V
 -1.3 1.3 mV
VOFF 输入失调电压 VSP = VSN = GND；TJ = 25℃，增益 ACSA = 5V/V
 		 -2.6 2.6 mV
VOFF_DRIFT 输入漂移失调电压 VSP = VSN = GND；–40℃ ≤ TJ ≤ 150℃ 
 8 µV/℃
IBIAS 输入偏置电流 VSP = VSN = GND，VCSAREF = 3V 至 5.5V 100 µA
IBIAS_OFF 输入偏置电流失调 ISP – ISN -1 1 µA
CMRR 共模抑制比 直流 80 dB
20kHz 60 dB
ICSA_SUP CSA 的电源电流 CSAREF，VCSAREF = 3V 至 5.5V 1.5 mA
TCMREC 共模恢复时间 2 μs
保护电路
VGVDD_UV GVDD 欠压阈值 VGVDD 上升
 7.4 V
VGVDD 下降 6.7 V
VGVDD_UV GVDD 欠压阈值 VGVDD 上升，DRV8162L
 4.8 V
VGVDD 下降，DRV8162L 4.7
VBST_UV 自举欠压阈值 VBST - VSH；VBST 上升，GVDD = 12V 7.43 V
VBST - VSH；VBST 下降，GVDD = 12V  7.25
VBST - VSH；VBST 上升，GVDD = 5V，DRV8162L
 4.08
VBST - VSH；VBST 下降，GVDD = 5V，DRV8162L
 3.94
VDS_LVL0-0 VDS 过流保护阈值电平 (DC) RVDSLVL = 0.1KΩ 最大值 (LEVEL0) 0.1 V
VDS_LVL1-1 RVDSLVL = 2KΩ 典型值 (LEVEL1)；在 VDSLVL 引脚上检测到一个脉冲 0.15
VDS_LVL1-0 RVDSLVL = 2KΩ 典型值 (LEVEL1)；DC 0.2
VDS_LVL2-1 RVDSLVL = 5.6KΩ 典型值 (LEVEL2)；在 VDSLVL 引脚上检测到一个脉冲 0.3
VDS_LVL2-0 RVDSLVL = 5.6KΩ 典型值 (LEVEL2) 0.4
VDS_LVL3-1 RVDSLVL = 12KΩ 典型值 (LEVEL3)；在 VDSLVL 引脚上检测到一个脉冲 0.5
VDS_LVL3-0 RVDSLVL = 12KΩ 典型值 (LEVEL3) 0.6
VDS_LVL4-1 RVDSLVL = 26KΩ 典型值 (LEVEL4)；在 VDSLVL 引脚上检测到一个脉冲 0.7
VDS_LVL4-0 RVDSLVL = 26KΩ 典型值 (LEVEL4) 0.8
VDS_LVL5-1 RVDSLVL = 62KΩ 典型值 (LEVEL5)；在 VDSLVL 引脚上检测到一个脉冲 0.9
VDS_LVL5-0 RVDSLVL = 62KΩ 典型值 (LEVEL5) 1.0
VDS_LVL6-1 RVDSLVL = 130KΩ 典型值 (LEVEL6)；在 VDSLVL 引脚上检测到一个脉冲 1.5
VDS_LVL6-0 RVDSLVL = 130KΩ 典型值 (LEVEL6)； 2.0
tDS_DG VDS 保护抗尖峰脉冲时间  3 µs
tDS_BLK VDS 过流保护消隐时间  1 µs
tVDSLVLFIL VDSLVL 引脚数字输入 - LEVELx-1 的一个脉冲滤波时间  4 µs
VIHVDSLVL VDSLVL 引脚数字输入 - LEVELx-1 的一个脉冲高电平检测电压 1 V
TOTSD 热关断温度
 		 170 °C
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