ZHCSML7B February 2020 – August 2021 DRV8210
PRODUCTION DATA
如果内核温度超过过热限值 TTSD,将会禁用 H 桥中的所有 MOSFET。当过热条件消失且裸片温度降至 VTSD 阈值以下时,将恢复正常运行。