即使发生了硬短路事件，每个 MOSFET 上的模拟电流限制电路也会限制器件输出的峰值电流。如果输出电流超过过流阈值 I_OCP 且持续时间超过过流抗尖峰时间 t_OCP，则会禁用 H 桥中的所有 MOSFET。在 t_RETRY 之后，MOSFET 会根据 PH/IN1 和 EN/IN2 引脚的状态重新启用。如果过流条件仍然存在，则会重复此周期，否则器件将恢复正常运行。

在半桥控制模式下，OCP 行为略有改动。如果检测到过流事件，将只禁用相应的半桥。另一个半桥会继续正常运行。这样，器件就可以在驱动独立的负载时管理独立的故障事件。如果在两个半桥中都检测到过流事件，将同时禁用两个半桥。两个半桥共用同一个过流重试计时器。如果在 OUT1 中首先发生过流事件，则该输出将在 t_RETRY 期间内禁用。如果 OUT2 在 OUT1 之后但在 t_RETRY 到期之前发生过流事件，则两个 OUTx 引脚将在 t_RETRY 的整个持续时间内保持禁用状态。