ZHCSML8B June   2021  – August 2021 DRV8212

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议工作条件
    4. 7.4 热信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性 DSG 封装
    7. 7.7 典型特性 DRL 封装
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 外部元件
      2. 8.3.2 控制模式
        1. 8.3.2.1 PWM 控制模式（DSG：MODE = 0 和 DRL）
        2. 8.3.2.2 PH/EN 控制模式（DSG：MODE = 1）
        3. 8.3.2.3 半桥控制模式（DSG：MODE = 高阻态）
      3. 8.3.3 保护电路
        1. 8.3.3.1 电源欠压锁定（UVLO）
        2. 8.3.3.2 OUTx 过流保护（OCP）
        3. 8.3.3.3 热关断（TSD）
      4. 8.3.4 引脚图
        1. 8.3.4.1 逻辑电平输入
        2. 8.3.4.2 三电平输入
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 工作模式
      2. 8.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 8.4.3 故障模式
  9. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 全桥驱动
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 电源电压
          2. 9.2.1.2.2 控制接口
          3. 9.2.1.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 半桥驱动
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 电源电压
          2. 9.2.2.2.2 控制接口
          3. 9.2.2.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.2.3 应用曲线
      3. 9.2.3 双线圈继电器驱动
        1. 9.2.3.1 设计要求
        2. 9.2.3.2 详细设计过程
          1. 9.2.3.2.1 电源电压
          2. 9.2.3.2.2 控制接口
          3. 9.2.3.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.3.3 应用曲线
      4. 9.2.4 电流检测
        1. 9.2.4.1 设计要求
        2. 9.2.4.2 详细设计过程
          1. 9.2.4.2.1 分流电阻器大小调整
          2. 9.2.4.2.2 RC 滤波器
    3. 9.3 电流能力和热性能
      1. 9.3.1 功率耗散和输出电流能力
      2. 9.3.2 热性能
        1. 9.3.2.1 稳态热性能
        2. 9.3.2.2 瞬态热性能
  10. 10电源建议
    1. 10.1 大容量电容
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.4.2 低功耗睡眠模式

DRV8212 支持低功耗睡眠模式，以在驱动器未工作时减少 VM 和 VCC 的电流消耗。有两种方法可以进入低功耗睡眠模式：自动睡眠和使用 VCC 引脚。在自动睡眠模式下，器件消耗的电流最少，由 IVCCQ 和 IVMQ 表示。DSG 和 DRL 封装都支持自动睡眠。在 VCC 睡眠模式下，器件消耗的电流最少，由 IVMQ_UV 和 IVCCQ_UV 表示。只有 DSG 封装可以使用 VCC 引脚进入低功耗模式。表 8-7 介绍了如何进入低功耗睡眠模式。

表 8-7 睡眠模式汇总
型号 输入引脚状态 OUT1 OUT2 说明
DRL IN1 = IN2 = 0 高阻态 高阻态 PWM 或半桥接口自动睡眠：进入该状态后，输出将被禁用。器件将保持工作模式 tSLEEP，然后进入低功耗模式。
DSG MODE = 0，IN1 = IN2 = 0 高阻态 高阻态
MODE = 1，EN = 0 L → 高阻态 L → 高阻态 PH/EN 接口自动睡眠：进入该状态后，通过接通低侧 FET，两个输出都进入制动模式。器件将保持此状态 tSLEEP 时间，然后进入低功耗模式。处于低功耗模式后，输出将被禁用。
VCC = 0 V 高阻态 高阻态 VCC 电源作为睡眠引脚：VCC 引脚可以由 GPIO 引脚供电，用于使器件进入睡眠状态。通过将 GPIO 引脚设置为低电平，器件通过使用 UVLO 进入低功耗模式。要唤醒器件，请将 GPIO 引脚设置为高电平（VCC > VUVLO），然后在 MODE = 1 时设置 EN = 1，或者在 MODE = 高阻态或 1 时，将任一 INx 输入设置/切换为 1。有关使用 VCC 引脚进入睡眠状态的更多信息，请参阅Topic Link Label9.2.2.2.3。

当输入引脚转为表 8-7 中所述状态之外的其他状态时，该器件将返回工作模式。要将器件从自动睡眠模式唤醒，INx 引脚或 EN 引脚（取决于 MODE 状态和封装型号）必须设置为高电平超过 tWAKE 时间，然后才能接收 PWM 输入信号。

要将器件从 VCC 睡眠模式唤醒，VCC 引脚电压必须大于 VUVLO,VCC。VCC 引脚具有有效电压后，必须将一个或两个 INx 引脚设置为高电平超过 tWAKE 时间才能完全唤醒器件。为了保护微控制器 GPIO 引脚免受去耦电容充电电流造成的过电流影响，可能需要在 GPIO 和 VCC 引脚上的去耦电容之间添加一个电阻。有关设计此限流电阻的更多信息，请参阅Topic Link Label9.2.2.2.3。

为确保最低的电源电流消耗，TI 建议将所有输入引脚设置为逻辑低电平，以消除睡眠模式下通过下拉电阻器的电流消耗。如果 MODE 引脚设置为高阻态或逻辑低电平，它将不会在睡眠模式下消耗电流。但是，当 MODE 引脚为逻辑高电平时，它会在睡眠模式下消耗一些电流。
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