ZHCSML9A June   2021  – July 2021 DRV8212P

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议工作条件
    4. 7.4 热信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 外部元件
      2. 8.3.2 控制模式
        1. 8.3.2.1 PWM 控制
      3. 8.3.3 保护电路
        1. 8.3.3.1 电源欠压锁定（UVLO）
        2. 8.3.3.2 OUTx 过流保护（OCP）
        3. 8.3.3.3 热关断（TSD）
      4. 8.3.4 引脚图
        1. 8.3.4.1 逻辑电平输入
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 工作模式
      2. 8.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 8.4.3 故障模式
  9. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 全桥驱动
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 电源电压
          2. 9.2.1.2.2 控制接口
          3. 9.2.1.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 双线圈继电器驱动
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 电源电压
          2. 9.2.2.2.2 控制接口
          3. 9.2.2.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.2.3 应用曲线
      3. 9.2.3 电流检测
        1. 9.2.3.1 设计要求
        2. 9.2.3.2 详细设计过程
          1. 9.2.3.2.1 分流电阻器阻值调整
    3. 9.3 电流能力和热性能
      1. 9.3.1 功率耗散和输出电流能力
      2. 9.3.2 热性能
        1. 9.3.2.1 稳态热性能
        2. 9.3.2.2 瞬态热性能
  10. 10电源建议
    1. 10.1 大容量电容
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.3.3 热关断（TSD）

如果内核温度超过过热限值 TTSD，将会禁用 H 桥中的所有 MOSFET。当过热条件消失且裸片温度降至 VTSD 阈值以下时，将恢复正常运行。
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