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ZHCSU34 November 2023 DRV8214

PRODUCTION DATA

DRV8214 输出包含四个用于驱动高电流的 N 沟道 MOSFET。这些输出由 EN/IN1 和 PH/IN2 两个输入或 I2C_EN_IN1 和 I2C_PH_IN2 两个 I²C 位控制。

I2C_BC 位决定电桥是由 EN/IN1 和 PH/IN2 引脚控制，还是由 I2C_EN_IN1 和 I2C_PH_IN2 位控制，如下所示。

表 8-2 H 桥控制接口

I2C_BC	说明
0b	使用 EN/IN1 和 PH/IN2 引脚配置电桥控制。
1b	使用 I2C_EN_IN1 和 I2C_PH_IN2 位配置电桥控制。

控制接口由 PMODE 位选择，如下所示。

表 8-3 PMODE 功能

PMODE	控制模式
0b	PH/EN
1b	PWM

输入可设置为静态电压以实现 100% 占空比驱动，也可设置为脉宽调制 (PWM) 以实现可变电机转速。下图显示了电机电流如何流经 H 桥。可以在应用 VM 或 VCC 之前为输入引脚供电。

图 8-1 H 桥电流路径

每种控制模式的真值表如下所示。请注意，这些表并未考虑内部电流调节功能。此外，当输出从驱动高电平变为驱动低电平，或从驱动低电平变为驱动高电平时，会自动插入死区时间以防止击穿。

PH/EN 模式允许根据接口的速度和方向类型来控制 H 桥。PH/EN 模式的真值表如下所示。

表 8-4 PH/EN 控制模式 (PMODE = 0b)

nSLEEP	启用	相位	OUT1	OUT2	说明
0	X	X	高阻	高阻态	睡眠模式（H 桥高阻态）
1	1	0	L	H	反向（电流 OUT2 → OUT1）
1	1	1	H	L	正向（电流 OUT1 → OUT2）
1	0	X	L	L	制动；低侧慢速衰减

注：

当电桥控制为外部控制 (I2C_BC=0b) 时，使能参照 EN 引脚；当电桥控制为内部控制 (I2C_BC=1b) 时，使能参照 I2C_EN_IN1 位。

当电桥控制为外部控制 (I2C_BC=0b) 时，相位参照 PH 引脚；当电桥控制为内部控制 (I2C_BC=1b) 时，相位参照 I2C_PH_IN2 位。

PWM 模式允许 H 桥在器件处于唤醒状态时进入高阻态。PWM 模式的真值表如下所示。

表 8-5 PWM 控制模式 (PMODE = 1b)

nSLEEP	Input1	Input2	OUT1	OUT2	说明
0	X	X	高阻	高阻态	睡眠模式（H 桥高阻态）
1	0	0	高阻态	高阻态	滑行（H 桥高阻态）
1	0	1	L	H	反向（电流 OUT2 → OUT1）
1	1	0	H	L	正向（电流 OUT1 → OUT2）
1	1	1	L	L	制动；低侧慢速衰减

注：

当电桥控制为外部控制 (I2C_BC=0b) 时，Input1 参照 IN1 引脚；当电桥控制为内部控制 (I2C_BC=1b) 时，Input1 参照 I2C_EN_IN1 位。

当电桥控制为外部控制 (I2C_BC=0b) 时，Input2 参照 IN2 引脚；当电桥控制为内部控制 (I2C_BC=1b) 时，Input2 参照 I2C_PH_IN2 位。

以下时序图显示了电机驱动器的输入和输出时序。

图 8-2 H 桥时序图

t_DEAD 时间是输出为高阻态时的中间时间。t_DEAD 期间的输出引脚电压取决于输出电流方向。如果电流来自引脚，则电压为低于地电平的二极管压降。如果电流灌入引脚，则电压为高于 VM 的二极管压降。该二极管是高侧或低侧 FET 的体二极管。

传播延迟时间 (t_PD) 是输入边沿与输出变化之间的时间。该时间考虑了输入抗尖峰脉冲时间和其他内部逻辑传播延迟。输入抗尖峰脉冲时间可防止输入引脚上的噪声影响输出状态。附加的输出压摆延迟时序考虑了 FET 导通或关断时间（t_RISE 和 t_FALL）。