IPROPI 引脚会根据流经 H 桥中的低侧功率 MOSFET 并经过 (A_IPROPI) 电流镜增益调节的电流，输出与之成比例的模拟电流。可使用以下公式计算 IPROPI 输出电流。只有当电流在低侧 MOSFET 中从漏极流向源极时，公式中的 I_LSx 才有效。如果电流从源极流向漏极或流经体二极管，则该通道的 I_LSx 值为零。例如，如果电桥处于制动/慢速衰减状态，则 IPROPI 外的电流仅与其中一个低侧 MOSFET 中的电流成正比。

“电气特性”表中的 A_ERR 参数是与 A_IPROPI 增益相关的误差。它表示 I_OUT 电流中增加的偏移量误差和增益误差带来的综合影响。

电流镜增益 A_IPROPI 取决于 CS_GAIN_SEL 位设置，如下表所示：

因此，CS_GAIN_SEL 位可降低 OCP 限值并在电机电流较低时增加电流镜增益，从而优化各种应用的设计。

电机电流由低侧 FET 上的内部电流镜架构测得，而无需使用外部功率检测电阻，如下所示。电流镜架构能够检测驱动和制动低侧慢速衰减期间的电机绕组电流，从而在典型双向有刷直流电机应用中持续监测电流。在滑行模式下，电流是续流电流，无法被感测到，原因是电流从源极流向漏极。但是，可以在驱动或慢速衰减模式下短暂重新启用驱动器，并在再次切换回滑行模式之前测量此电流，从而对电流进行采样。

表 8-7 列出了具有最大电流值的总体 CS_GAIN_SEL 设置。

图 8-4 集成电流检测

应将 IPROPI 引脚连接到外部接地电阻器 (R_IPROPI)，从而利用 I_IPROPI 模拟电流输出在 IPROPI 引脚上产生一个成比例电压 (V_IPROPI)。这样即可使用标准模数转换器 (ADC) 将负载电流作为 R_IPROPI 电阻器两端的压降进行测量。可以根据应用中的预期负载电流来调节 R_IPROPI 电阻器的大小，以利用控制器 ADC 的整个量程。

此外，DRV8214 采用了一个内部 IPROPI 电压钳位电路，可基于 VREF 引脚上的 V_VREF 限制 V_IPROPI，并在发生输出过流或意外高电流事件时保护外部 ADC。TI 建议在 V_VM 与 ADC 要测量的最大 V_IPROPI 电压 (V_{IPROPI_MAX}) 之间设计至少 1.25V 的余量。这可确保 ADC 测量的所有 VIPROPI 电压具有准确性。例如，V_VM 为 4.55V 至 11V 时，V_{IPROPI_MAX} 可以高达 3.3V；V_VM 为 3.3V 时，VIPROPI 可准确确定为高达 2.05V。

可以使用如下公式计算对应于输出电流的 IPROPI 电压：

IPROPI 输出带宽受内部电流检测电路的检测延迟时间 (t_DELAY) 限制。此时间是指从低侧 MOSFET 启用命令（来自 INx 引脚）到 IPROPI 输出准备就绪这两个时间点之间的延迟。

在 H 桥 PWM 信号中，如果器件在驱动和慢速衰减（制动）之间交替切换，则感测电流的低侧 MOSFET 会持续导通，但感测延迟时间对 IPROPI 输出不会产生任何影响。如果 INx 引脚上的命令禁用低侧 MOSFET（根据真值表），则 IPROPI 输出将与输入逻辑信号一同禁用。虽然低侧 MOSFET 在根据器件压摆率（在“电气特性”表中以 t_RISE 时间指定）禁用时仍可能传导电流，但 IPROPI 在此关断时间内不会出现低侧 MOSFET 中的电流。