ZHCSVS7 April   2024 DRV8215

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 I2C 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型工作特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 外部组件
      2. 7.3.2 特性汇总
      3. 7.3.3 电桥控制
      4. 7.3.4 电流检测和调节 (IPROPI)
        1. 7.3.4.1 电流检测和电流镜增益选择
        2. 7.3.4.2 电流调节
          1. 7.3.4.2.1 固定关断时间电流调节
          2. 7.3.4.2.2 逐周期电流调节
      5. 7.3.5 失速检测
      6. 7.3.6 电机电压和转速调节
        1. 7.3.6.1 内部电桥控制
        2. 7.3.6.2 设置速度/电压调节参数
          1. 7.3.6.2.1 速度和电压设置
          2. 7.3.6.2.2 速度比例因子
            1. 7.3.6.2.2.1 目标速度设置示例
          3. 7.3.6.2.3 电机电阻倒数
          4. 7.3.6.2.4 电机电阻倒数范围
          5. 7.3.6.2.5 KMC 比例因子
          6. 7.3.6.2.6 KMC
          7. 7.3.6.2.7 VSNS_SEL
        3. 7.3.6.3 软启动和软停止
          1. 7.3.6.3.1 TINRUSH
      7. 7.3.7 保护电路
        1. 7.3.7.1 过流保护 (OCP)
        2. 7.3.7.2 热关断（TSD）
        3. 7.3.7.3 VCC 欠压锁定 (UVLO)
        4. 7.3.7.4 过压保护 (OVP)
        5. 7.3.7.5 nFAULT 输出
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 工作模式
      2. 7.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 7.4.3 故障模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 通信
        1. 7.5.1.1 I2C 写入
        2. 7.5.1.2 I2C 读取
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 DRV8215_STATUS 寄存器
    2. 8.2 DRV8215_CONFIG 寄存器
    3. 8.3 DRV8215_CTRL 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用：有刷直流电机
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 失速检测
        1. 9.2.2.1 应用描述
          1. 9.2.2.1.1 失速检测时序
          2. 9.2.2.1.2 硬件失速阈值选择
      3. 9.2.3 电机转速和电压调节应用
        1. 9.2.3.1 调整参数
          1. 9.2.3.1.1 电阻参数
          2. 9.2.3.1.2 KMC 和 KMC_SCALE
            1. 9.2.3.1.2.1 案例 I
            2. 9.2.3.1.2.2 案例 II
              1. 9.2.3.1.2.2.1 方法 1：从头开始调优
                1. 9.2.3.1.2.2.1.1 KMC_SCALE 调优
                2. 9.2.3.1.2.2.1.2 KMC 调优
              2. 9.2.3.1.2.2.2 方法 2：使用比例因子
                1. 9.2.3.1.2.2.2.1 工作示例
      4. 9.2.4 电机电压
      5. 9.2.5 电机电流
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 大容量电容
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

0V ≤ VVM ≤ 11V 且 1.65V ≤ VVCC ≤ 11V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）。
典型值在 TJ = 27°C、VVM = 5V、VVCC = 3.3V 下测得。
参数测试条件最小值典型值最大值单位
电源（VM、VCC）
IVMQVM 睡眠模式电流nSLEEP = 0V，VVM = 5V，VVCC = 3.3V，TJ = 27°C，OVP 已禁用100170nA
IVMQ_OVPVM 睡眠模式电流nSLEEP = 0V，VVM = 5V，VVCC = 3.3V，TJ = 27°C，OVP 已启用0.11µA
IVMVM 工作模式电流nSLEEP = 3.3V，EN/IN1 = 3.3V，PH/IN2 = 0V，VVM = 5V，VVCC = 3.3V1.31.9mA
IVCCQVCC 睡眠模式电流nSLEEP = 0V，VVM = 5V，VVCC = 3.3V，TJ = 27°C13.0nA
IVCCVCC 活动模式电流nSLEEP = 3.3V，EN/IN1 = 3.3V，PH/IN2 = 0V，VVM = 5V，VVCC = 3.3V1.52mA
tWAKE开通时间nSLEEP = 1 至 I2C 就绪410μs
逻辑电平输入（EN/IN1、PH/IN2、SDA、SCL、nSLEEP）
VIL输入逻辑低电平电压00.4V
VIH输入逻辑高电平电压1.455.5V
VHYS输入迟滞49mV
IIL输入逻辑低电平电流VI = 0V-11µA
IIH输入逻辑高电流VI = 5V1535µA
RPD输入下拉电阻，INx200kΩ
tDEGLITCH输入逻辑抗尖峰，INx50ns
三电平输入（A1、A0）
VTHYS三电平输入逻辑低电压00.4V
ITIL三电平输入高阻抗电压0.751.05V
ITIZ三电平输入逻辑高电压1.455.5V
RTPD三电平下拉电阻至 GND90kΩ
ITPU三电平上拉电流至 VCC10µA
开漏输出（nFAULT、SDA）
VOL输出逻辑低电压IOD = 5mA0.4V
IOZ输出逻辑高电流VOD = VCC-11µA
tPW_nFAULTnFAULT 低脉冲宽度RC 计数溢出，RC_REP = 11b305070µs
CB每条总线的 SDA 容性负载400pF
驱动器输出（OUTx）
RDS(ON)_HS高侧 MOSFET 导通电阻IOUTx = 1A；TJ = 25°C120155mΩ
RDS(ON)_HS高侧 MOSFET 导通电阻IOUTx = 1A；TJ = 125°C180220mΩ
RDS(ON)_HS高侧 MOSFET 导通电阻IOUTx = 1A；TJ = 150°C200250mΩ
RDS(ON)_LS低侧 MOSFET 导通电阻，CS_GAIN_SEL = 00XbIOUTx = -1A；TJ = 25°C120145mΩ
RDS(ON)_LS低侧 MOSFET 导通电阻，CS_GAIN_SEL = 00XbIOUTx = -1A；TJ = 125°C180220mΩ
RDS(ON)_LS低侧 MOSFET 导通电阻，CS_GAIN_SEL = 00XbIOUTx = -1A；TJ = 150°C200250mΩ
RDS(ON)_LS低侧 MOSFET 导通电阻，CS_GAIN_SEL = 01XbIOUTx = -250mA；TJ = 25°C440530mΩ
RDS(ON)_LS低侧 MOSFET 导通电阻，CS_GAIN_SEL = 01XbIOUTx = -250mA；TJ = 125°C660800mΩ
RDS(ON)_LS低侧 MOSFET 导通电阻，CS_GAIN_SEL = 01XbIOUTx = -250mA；TJ = 150°C750900mΩ
RDS(ON)_LS低侧 MOSFET 导通电阻，CS_GAIN_SEL = 11XbIOUTx = -50mA；TJ = 25°C20402450mΩ
RDS(ON)_LS低侧 MOSFET 导通电阻，CS_GAIN_SEL = 11XbIOUTx = -50mA；TJ = 125°C30503650mΩ
RDS(ON)_LS低侧 MOSFET 导通电阻，CS_GAIN_SEL = 11XbIOUTx = -50mA；TJ = 150°C34504150mΩ
VSD体二极管正向电压IOUTx = -1A0.9V
tRISE输出上升时间VOUTx 从 VVM 的 10% 上升至 90%100ns
tFALL输出下降时间VOUTx 从 VVM 的 90% 下降至 10%50ns
tPD输入至输出传播延迟输入至 OUTx650ns
tDEAD输出死区时间500ns
电流检测和调节（IPROPI、VREF）
VREF_INT内部基准电压INT_VREF = 1b480500520mV
AIPROPI_H电流比例因子CS_GAIN_SEL = 000b，350mA 至 2A244µA/A
AIPROPI_M电流比例因子CS_GAIN_SEL = 010b，60mA 至 350mA1156µA/A
AIPROPI_L电流比例因子CS_GAIN_SEL = 110b，10mA 至 60mA5320µA/A
AERR_H电流镜总误差，CS_GAIN_SEL = 000bIOUT = 1A，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ VVM ≤ 11V-55%
IOUT = 1A，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ VVM ≤ 3.3V-55%
AERR_M电流镜总误差，CS_GAIN_SEL = 010bIOUT = 250mA，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ VVM ≤ 11V-55%
IOUT = 250mA，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ VVM ≤ 3.3V-55%
AERR_L电流镜总误差，CS_GAIN_SEL = 110bIOUT = 50mA，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ VVM ≤ 11V-6.56.5%
IOUT = 50mA，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ VVM ≤ 3.3V-6.56.5%
tOFF电流调节关断时间20µs
tBLANK电流检测消隐时间TBLANK = 0b1.8µs
tBLANK电流检测消隐时间TBLANK = 1b1µs
tDEG电流调节和失速检测抗尖峰脉冲时间TDEG = 0b2µs
tDEG电流调节和失速检测抗尖峰脉冲时间TDEG = 1b1µs
tINRUSH用于失速检测的浪涌时间消隐56716ms
电压调节
ΔVLINE线性调节4V ≤ VVM ≤ 11V，VVCC = 3.3V，VOUT = 3.3V，IOUT = 2A±1%
ΔVLOAD负载调节VVM = 5V，VVCC = 3.3V，VOUT = 3.3V，IOUT = 100mA 至 2A±3%
保护电路
VUVLO_VCCVCC 电源欠压锁定 (UVLO)电源上升1.65V
电源下降1.30V
VUVLO_HYS电源 UVLO 迟滞上升至下降阈值120mV
tUVLO电源欠压抗尖峰脉冲时间VVCC 下降至 OUTx 已禁用10µs
VOVP_TH过压保护阈值VOUT - VVM200mV
tOVP_ON过压保护开通时间13µs
tOVP_OFF过压保护关断时间250µs
IOCP过流保护触发点，CS_GAIN_SEL = 000b4A
IOCP过流保护触发点，CS_GAIN_SEL = 010b0.8A
IOCP过流保护触发点，CS_GAIN_SEL = 110b0.16A
tOCP过流保护抗尖峰脉冲时间2µs
tRETRY重试时间1.7ms
TTSD热关断温度157175193°C
THYS热关断迟滞18°C
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