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ZHCSU74 December 2023 DRV8234

PRODUCTION DATA

表 7-36 列出了 DRV8234_CONFIG 寄存器的存储器映射寄存器。表 7-36中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的存储单元，并且不应修改寄存器内容。

表 7-36 DRV8234_CONFIG 寄存器

偏移	缩写	寄存器名称	部分
9h	CONFIG0	配置寄存器 - 故障 (1/5)。	节 7.6.2.1
Ah	CONFIG1	配置寄存器 - (2/5)。	节 7.6.2.2
Bh	CONFIG2	配置寄存器 - (3/5)。	节 7.6.2.3
Ch	CONFIG3	配置寄存器 - (4/5)。	节 7.6.2.4
Dh	CONFIG4	配置寄存器 - (5/5)。	节 7.6.2.5

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 7-37 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 7-37 DRV8234_CONFIG 访问类型代码

7.6.2.1 CONFIG0 寄存器（偏移 = 9h）[复位 = 60h]

表 7-38 展示了 CONFIG0。

返回到汇总表。

启用/禁用 OCP、OVP、STALL 等各种故障

表 7-38 CONFIG0 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	EN_OUT	R/W	0h	0b：所有驱动器 FET 均为高阻态。 1b：启用驱动器输出。
6	EN_OVP	R/W	1h	启用 OVP 特性。默认为 1b，上电后可设置为 0b 以禁用 OVP 特性。有关进一步说明，请参阅节 7.3.8.4。
5	EN_STALL	R/W	1h	启用失速检测特性。通过将该位设置为 0b，可禁用失速检测特性。有关进一步说明，请参阅节 7.3.5下的 EN_STALL 配置。
4	VSNS_SEL	R/W	0h	0b：使用模拟低通滤波器对输出电压求平均值以进行电压调节。有关模拟低通滤波器的进一步说明，请参阅 OUT_FLT。0b 是建议值。 1b：使用数字低通滤波器进行电压调节。该选项将占空比与 VM 相乘，得到输出电压。
3	RSVD	R	0h	保留
2	CLR_CNT	R/W	0h	将纹波计数器复位为 0，并复位 CNT_DONE。当 RC_REP = 10b 时，也会释放 nFAULT。CLR_CNT 将自动复位。
1	CLR_FLT	R/W	0h	当设置为 1b 时，清除所有锁存故障。CLR_FLT 将自动复位。
0	DUTY_CTRL	R/W	0h	当速度调节禁用且 DUTY_CTRL 位为 1b 时，用户可以将所需的 PWM 占空比写入 EXT_DUTY 位。占空比范围为 0% (000000b) 至 100% (111111b)。

表 7-39 展示了 CONFIG1。

返回到汇总表。

配置浪涌时间 (1/2)。

表 7-39 CONFIG1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-0	TINRUSH_7:0	R/W	0h	16 位总输出中的下半部分 8 位输出，用于失速检测的浪涌时间消隐。设置失速检测方案忽略电机浪涌电流的时间量。有关进一步说明，请参阅节 7.3.7.3.1。

表 7-40 展示了 CONFIG2。

返回到汇总表。

配置浪涌时间 (2/2)。

表 7-40 CONFIG2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-0	TINRUSH_15:8	R/W	0h	16 位总输出中的上半部分 8 位输出，用于失速检测的浪涌时间消隐。设置失速检测方案忽略电机浪涌电流的时间量。有关进一步说明，请参阅节 7.3.7.3.1。

表 7-41 展示了 CONFIG3。

返回到汇总表。

启用/禁用 IMODE、SMODE 等各种器件模式以及消隐时间等参数。

表 7-41 CONFIG3 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	IMODE	R/W	1h	决定电流调节的行为。有关进一步说明，请参阅节 7.3.4.2下的 IMODE 配置。
5	SMODE	R/W	1h	对器件对失速情况的响应进行编程。有关进一步说明，请参阅节 7.3.5下的 SMODE 配置。
4	INT_VREF	R/W	0h	如果设置为 1b，则在内部将 VREF 电压设置为 3V。如果 INT_VREF 设置为 0b，则电压不固定。有关进一步说明，请参阅节 7.3.5。
3	TBLANK	R/W	0h	设置电流检测消隐时间。如果设置为 0b，则 t_BLANK = 1.8µs。如果设置为 1b，则 t_BLANK = 1.0µs。
2	TDEG	R/W	0h	设置电流调节和失速检测抗尖峰脉冲时间。如果设置为 0b，则 t_DEG = 2µs。如果设置为 1b，则 t_DEG = 1µs。
1	OCP_MODE	R/W	1h	对器件对过流事件的响应进行编程。如果设置为 0b，则器件将在发生 OCP 事件时锁存。可以使用 CLR_FLT 清除。如果设置为 1b，则发生 OCP 事件时，器件会在 tretry 时间后自动重试。有关进一步说明，请参阅节 7.3.8.1。
0	TSD_MODE	R/W	1h	对器件对过热事件的响应进行编程。如果设置为 0b，则器件将在发生 TSD 事件时锁存。如果设置为 1b，则器件将在 T_J<T_TSD–T_HYS 时自动重试。

表 7-42 展示了 CONFIG4。

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配置报告寄存器，如 RC_REP 和 STALL_REP。

表 7-42 CONFIG4 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	RC_REP	R/W	0h	决定当 RC_CNT 超过阈值时是否将 nFAULT 拉至低电平，以及当 RC_CNT 达到最大值 (2¹⁶-1) 时的行为。有关进一步说明，请参阅节 7.3.6.3下的 RC_REP 设置。
5	STALL_REP	R/W	1h	决定是否在 nFAULT 引脚上报告失速。当设置为 1b 时，只要检测到失速，nFAULT 就会处于低电平。当设置为 0b 时，不会在 nFAULT 输出上报告失速。有关进一步说明，请参阅节 7.3.5。
4	CBC_REP	R/W	1h	当 REG_CTRL 设置为 01b 时，器件进入逐周期电流调节模式。在该模式下，每当 H 桥进入内部电流调节状态时，器件就会发出指示。CBC_REP 位用于确定逐周期模式下器件输出的行为。 1b：当 H 桥进入内部电流调节状态时，nFAULT 被拉至低电平。 0b：当 H 桥进入内部电流调节状态时，nFAULT 不被拉至低电平。有关进一步说明，请参阅节 7.3.4.2.2。
3	PMODE	R/W	1h	在相位/使能模式和 PWM 模式之间切换。 0b：PH/EN。 1b：PWM。
2	I2C_BC	R/W	0h	决定 H 桥控制接口。 0b：由 INx 引脚配置电桥控制。 1b：由 I2C 位 I2C_EN_IN1 和 I2C_PH_IN2 配置电桥控制。
1	I2C_EN_IN1	R/W	0h	用于内部电桥控制的使能/PWM 输入位 1。当 I2C_BC=1b 时使用。当 I2C_BC=0b 时忽略。
0	I2C_PH_IN2	R/W	0h	用于内部电桥控制的相位/PWM 输入位 2。当 I2C_BC=1b 时使用。当 I2C_BC=0b 时忽略。