ZHCSVS8 April 2024 DRV8235
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 应用
- 3 说明
- 4 器件比较
- 5 引脚配置和功能
- 6 规格
- 7 详细说明
- 8 寄存器映射
- 9 应用和实施
- 10器件和文档支持
- 11修订历史记录
- 12机械、封装和可订购信息
7.3.3 电桥控制
DRV8235 输出包含四个用于驱动高电流的 N 沟道 MOSFET。这些输出由 EN/IN1 和 PH/IN2 两个输入或 I2C_EN_IN1 和 I2C_PH_IN2 两个 I2C 位控制。
I2C_BC 位决定电桥是由 EN/IN1 和 PH/IN2 引脚控制，还是由 I2C_EN_IN1 和 I2C_PH_IN2 位控制，如下所示。
| I2C_BC | 说明 |
|---|---|
| 0b | 使用 EN/IN1 和 PH/IN2 引脚配置电桥控制。 |
| 1b | 使用 I2C_EN_IN1 和 I2C_PH_IN2 位配置电桥控制。 |
控制接口由 PMODE 位选择。DRV8235 允许用户选择相位使能模式或 PWM 模式，如下所述。
| PMODE | 控制模式 |
|---|---|
| 0b | PH/EN |
| 1b | PWM |
输入可设置为静态电压以实现 100% 占空比驱动，也可设置为脉宽调制 (PWM) 以实现可变电机转速。下图显示了电机电流如何流经 H 桥。可以在应用 VM 之前为输入引脚供电。
图 7-1 H 桥电流路径每种控制模式的真值表如下所示。请注意，这些表并未考虑内部电流调节功能。此外，当输出从驱动高电平变为驱动低电平，或从驱动低电平变为驱动高电平时，会自动插入死区时间以防止击穿。
PH/EN 模式允许根据接口的速度和方向类型来控制 H 桥。PH/EN 模式的真值表如下所示。
nSLEEP | 启用 | 相位 | OUT1 | OUT2 | 说明 |
|---|---|---|---|---|---|
0 | X | X | 高阻态 | 高阻态 | 睡眠模式（H 桥高阻态） |
1 | 1 | 0 | L | H | 反向（电流 OUT2 → OUT1） |
1 | 1 | 1 | H | L | 正向（电流 OUT1 → OUT2） |
1 | 0 | X | L | L | 制动；低侧慢速衰减 |
当电桥控制为外部控制 (I2C_BC=0b) 时，使能参照 EN 引脚；当电桥控制为内部控制 (I2C_BC=1b) 时，使能参照 I2C_EN_IN1 位。
当电桥控制为外部控制 (I2C_BC=0b) 时，相位参照 PH 引脚；当电桥控制为内部控制 (I2C_BC=1b) 时，相位参照 I2C_PH_IN2 位。
PWM 模式允许 H 桥在器件处于唤醒状态时进入高阻态。PWM 模式的真值表如下所示。
|
nSLEEP |
Input1 | Input2 | OUT1 | OUT2 | 说明 |
|---|---|---|---|---|---|
|
0 |
X | X | 高阻态 | 高阻态 | 睡眠模式（H 桥高阻态） |
|
1 |
0 |
0 |
高阻态 | 高阻态 | 滑行（H 桥高阻态） |
|
1 |
0 | 1 | L | H | 反向（电流 OUT2 → OUT1） |
|
1 |
1 |
0 | H | L | 正向（电流 OUT1 → OUT2） |
|
1 |
1 |
1 |
L |
L |
制动；低侧慢速衰减 |
当电桥控制为外部控制 (I2C_BC=0b) 时，Input1 参照 IN1 引脚；当电桥控制为内部控制 (I2C_BC=1b) 时，Input2 参照 I2C_EN_IN1 位。
当电桥控制为外部控制 (I2C_BC=0b) 时，Input2 参照 IN2 引脚；当电桥控制为内部控制 (I2C_BC=1b) 时，Input2 参照 I2C_PH_IN2 位。
以下时序图显示了电机驱动器的输入和输出时序。
图 7-2 H 桥时序图tDEAD 时间是输出为高阻态时的中间时间。tDEAD 期间的输出引脚电压取决于输出电流方向。如果电流来自引脚，则电压为低于地电平的二极管压降。如果电流灌入引脚，则电压为高于 VM 的二极管压降。该二极管是高侧或低侧 FET 的体二极管。
传播延迟时间 (tPD) 是输入边沿与输出变化之间的时间。该时间考虑了输入抗尖峰脉冲时间和其他内部逻辑传播延迟。输入抗尖峰脉冲时间可防止输入引脚上的噪声影响输出状态。附加的输出压摆延迟时序考虑了 FET 导通或关断时间（tRISE 和 tFALL）。