每个 FET 上的模拟电流限制电路都将通过在内部限制栅极驱动器来限制流经 FET 的电流。如果此模拟电流限制的持续时间超过 OCP 抗尖峰脉冲时间 (t_OCP)，则 H 桥中的所有 FET 将禁用，FAULT 和 OCP 位将变为 1b，并且 nFAULT 引脚将被拉至低电平。

OCP_MODE 位对器件对过流事件的响应进行编程。该器件可以锁存或执行自动重试，以便从过流事件中恢复。

在自动重试模式下，MOSFET 会禁用，nFAULT 引脚将在 t_RETRY 的持续时间内被驱动为低电平。经过 t_RETRY 时间后，MOSFET 会根据控制输入重新启用。如果过流条件仍然存在，则会重复此周期，否则器件将恢复正常运行。下图对此进行了说明 -

在闭锁模式下，MOSFET 将保持禁用状态，nFAULT 引脚将被驱动为低电平，直到通过 CLR_FLT 命令或通过对 VM 电源进行下电上电使器件复位。

在高侧和低侧 FET 上单独检测到过流情况。这意味着接地短路、电源短路或跨电机绕组短路都会导致过流关断。过流保护不使用用于电流调节的电流检测电路，因此无论 VREF 和 IPROPI 设置如何，它都能正常工作。