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ZHCSVS8 April 2024 DRV8235

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RTE|16
- MPQF149D

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

RTE|16
- QFND525B

订购信息

6.5 电气特性

4.5V ≤ V_VM ≤ 38V，–40°C ≤ T_J ≤ 150°C（除非另有说明）。典型值是在 T_J = 27°C 且 V_VM = 24V 时测得。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电源 (VM)
I_VMQ	VM 睡眠模式电流	nSLEEP = 0V，V_VM = 24V，T_J = 27°C		0.1	1	µA
I_VM	VM 工作模式电流	nSLEEP = 3.3V，IN1 = 3.3V，IN2 = 0V，V_VM = 24V		3.5	4	mA
t_WAKE	开通时间	nSLEEP = 1 至 I²C 就绪			410	μs
逻辑电平输入（IN1、IN2、SDA、SCL、nSLEEP）
V_IL	输入逻辑低电平电压		0		0.5	V
V_IH	输入逻辑高电平电压		1.5		5.5	V
V_HYS	输入迟滞			160		mV
V_HYS	输入迟滞	nSLEEP 引脚		60
I_IL	输入逻辑低电平电流	V_I = 0V	-1		1	µA
I_IH	输入逻辑高电流	V_I = 5V		33	100	µA
R_PD	输入下拉电阻，INx	至 GND		100		kΩ
t_DEGLITCH	输入逻辑抗尖峰，INx			50		ns
三电平输入（A1、A0）
V_TIL	三电平输入逻辑低电压		0		0.6	V
V_TIHZ	三电平输入高阻抗电压		1.8	2	2.2	V
V_TIH	三电平输入逻辑高电压		2.7		5.5	V
R_TPD	三电平下拉电阻	至 GND		200		kΩ
I_TPU	三电平上拉电流	至 3.3V		10		µA
开漏输出（nFAULT、SDA）
V_OL	输出逻辑低电压	I_OD = 5mA			0.3	V
I_OZ	输出逻辑高电流	V_OD = 3.3V	-1		1	µA
t_{PW_nFAULT}	nFAULT 低脉冲宽度	RC 计数溢出，RC_REP = 11b	30	50	70	µs
C_B	每条总线的 SDA 容性负载				400	pF
驱动器输出（OUTx）
R_{DS(ON)_HS}	高侧 MOSFET 导通电阻	I_OUTx = 1A；T_J = 25°C		300	360	mΩ
R_{DS(ON)_HS}	高侧 MOSFET 导通电阻	I_OUTx = 1A；T_J = 125°C		450	540	mΩ
R_{DS(ON)_HS}	高侧 MOSFET 导通电阻	I_OUTx = 1A；T_J = 150°C		500	600	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低侧 MOSFET 导通电阻	I_OUTx = -1A；T_J = 25°C		300	360	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低侧 MOSFET 导通电阻	I_OUTx = -1A；T_J = 125°C		450	540	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低侧 MOSFET 导通电阻	I_OUTx = -1A；T_J = 150°C		500	600	mΩ
V_SD	体二极管正向电压	I_OUTx = -1A		0.8		V
t_RISE	输出上升时间	V_OUTx 从 V_VM 的 10% 上升至 90%		200		ns
t_FALL	输出下降时间	V_OUTx 从 V_VM 的 90% 下降至 10%		140		ns
t_PD	输入至输出传播延迟	输入至 OUTx		650		ns
t_DEAD	输出死区时间			200		ns
电流检测和调节（IPROPI、VREF）
V_{REF_INT}	内部基准电压	INT_VREF = 1b	2.88	3	3.12	V
A_IPROPI	电流比例因子			1500		µA/A
A_ERR	电流镜总误差	I_OUT = 0.1A，V_VM ≥ 5.5V	-10		10	%
A_ERR	电流镜总误差	0.15A ≤ I_OUT < 0.5A，V_VM ≥ 5.5V	-7		7	%
A_ERR	电流镜总误差	I_OUT ≥ 0.5A，V_VM ≥ 5.5V	-5		5	%
t_OFF	电流调节关断时间			20		µs
t_BLANK	电流检测消隐时间	TBLANK = 0b		1.8		µs
t_BLANK	电流检测消隐时间	TBLANK = 1b		1		µs
t_DEG	电流调节和失速检测抗尖峰脉冲时间	TDEG = 0b		2		µs
t_DEG	电流调节和失速检测抗尖峰脉冲时间	TDEG = 1b		1		µs
t_INRUSH	用于失速检测的浪涌时间消隐		5		6716	ms
电压调节
ΔV_LINE	线性调节	5.5V ≤ V_VM ≤ 38V，V_OUT = 5V，I_OUT = 2A		±2%
ΔV_LOAD	负载调节	V_VM = 24V，V_OUT = 5V，I_OUT = 100mA 至 2A		±1%
保护电路
V_{UVLO_VM}	VM 电源欠压锁定 (UVLO)	电源上升	4.15	4.3	4.45	V
V_{UVLO_VM}	VM 电源欠压锁定 (UVLO)	电源下降	4.05	4.2	4.35	V
V_{UVLO_HYS}	电源 UVLO 迟滞	上升至下降阈值		100		mV
t_UVLO	电源欠压抗尖峰脉冲时间	V_VM 下降至 OUTx 已禁用		10		µs
V_RST	VM UVLO 复位	VM 下降，器件复位，无 I²C 通信			3.9	V
V_{OVP_TH}	过压保护阈值	V_OUT - V_VM		200		mV
t_{OVP_ON}	过压保护开通时间			10		µs
t_{OVP_OFF}	过压保护关断时间			250		µs
I_OCP	过流保护跳变点		3.7			A
t_OCP	过流保护抗尖峰脉冲时间			2		µs
t_RETRY	重试时间			1.7		ms
T_TSD	热关断温度		150	175		°C
T_HYS	热关断迟滞			40		°C