ZHCSSN3A November   2023  – March 2024 DRV8242-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 HW 型号
      1. 5.1.1 VQFN (20) 封装
    2. 5.2 SPI 型号
      1. 5.2.1 VQFN (20) 封装
      2. 5.2.2 VQFN (20) 封装
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息 VQFN-RHL 封装
    5. 6.5  电气特性
    6. 6.6  瞬态热阻抗和电流能力
    7. 6.7  SPI 时序要求
    8. 6.8  开关波形
      1. 6.8.1 输出开关瞬态
        1. 6.8.1.1 高侧再循环
    9. 6.9  唤醒瞬态
      1. 6.9.1 HW 型号
      2. 6.9.2 SPI 型号
    10. 6.10 故障反应瞬态
      1. 6.10.1 重试设置
      2. 6.10.2 锁存设置
    11. 6.11 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
      1. 7.2.1 HW 型号
      2. 7.2.2 SPI 型号
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 外部元件
        1. 7.3.1.1 HW 型号
        2. 7.3.1.2 SPI 型号
      2. 7.3.2 电桥控制
        1. 7.3.2.1 PH/EN 模式
        2. 7.3.2.2 PWM 模式
        3. 7.3.2.3 寄存器 - 引脚控制 - 仅限 SPI 型号
      3. 7.3.3 器件配置
        1. 7.3.3.1 压摆率 (SR)
        2. 7.3.3.2 IPROPI
        3. 7.3.3.3 ITRIP 调节
        4. 7.3.3.4 DIAG
          1. 7.3.3.4.1 HW 型号
          2. 7.3.3.4.2 SPI 型号
      4. 7.3.4 保护和诊断
        1. 7.3.4.1 过流保护 (OCP)
        2. 7.3.4.2 过热保护 (TSD)
        3. 7.3.4.3 关断状态诊断 (OLP)
        4. 7.3.4.4 导通状态诊断 (OLA) - 仅限 SPI 型号
        5. 7.3.4.5 VM 过压监视器
        6. 7.3.4.6 VM 欠压监视器
        7. 7.3.4.7 上电复位 (POR)
        8. 7.3.4.8 事件优先级
    4. 7.4 器件功能状态
      1. 7.4.1 休眠状态
      2. 7.4.2 待机状态
      3. 7.4.3 唤醒至待机状态
      4. 7.4.4 活动状态
      5. 7.4.5 nSLEEP 复位脉冲（HW 型号，仅限锁存设置）
    5. 7.5 编程 - 仅限 SPI 型号
      1. 7.5.1 SPI 接口
      2. 7.5.2 标准帧
      3. 7.5.3 用于多个外设的 SPI 接口
        1. 7.5.3.1 用于多个外设的菊花链帧
  9. 8 寄存器映射 - 仅限 SPI 型号
    1. 8.1 用户寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 负载概要
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 HW 型号
      2. 9.2.2 SPI 型号
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 确定大容量电容器的大小
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 社区资源
    4. 10.4 商标
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

4.5V ≤ VVM ≤ 35V，-40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源（VM）
VVM_REV 反向电流期间的电源引脚电压 未通电状态，IVM = - 5A 1.85 V
IVMQ 处于休眠状态下的 VM 电流 VVM = 13.5V，TA = 25°C，nSLEEP = 0 1.5 µA
VVM = 13.5V，TA = 125°C，nSLEEP = 0 5.8 µA
IVMS 处于待机状态下的 VM 电流，驱动器为高阻态 VVM = 13.5V，nSLEEP = 1'b1，DRVOFF = 1'b1，EN/IN1 = PH/IN2 = 1'b0 3 5 mA
tRESET nSLEEP 引脚上寄存器 nSLEEP_RESET 脉冲的滤波时间 nSLEEP = 1'b1 至 1'b0，仅限 HW 型号 5 20 µs
tSLEEP nSLEEP 引脚上寄存器 SLEEP 命令的滤波时间，仅限 HW 型号 nSLEEP = 1'b1 至 1'b0 40 120 µs
tSLEEP_SPI nSLEEP 引脚上寄存器 SLEEP 命令的滤波时间，仅限 SPI 型号 nSLEEP = 1'b1 至 1'b0 5 20 µs
tCOM 从唤醒到 nFAULT 引脚置位为低电平的时间，之后可进行器件通信 nSLEEP = 1'b0 至 1'b1 0.4 ms
tREADY 从唤醒到器件准备好处理驱动器输入的时间 nSLEEP = 1'b0 至 1'b1 1 ms
控制器（nSLEEP、DRVOFF、EN/IN1、PH/IN2、）和 SPI 输入（SDI、SDO、nSCS、SCLK）
VIL nSLEEP 引脚上的输入逻辑低电平电压 0.65 V
VIH nSLEEP 引脚上的输入逻辑高电平电压 1.55 V
VIHYS nSLEEP 引脚上的输入迟滞 0.2 V
VIL 输入逻辑低电平电压 DRVOFF、输入引脚、SPI 引脚 0.7 V
VIH 输入逻辑高电平电压 DRVOFF、输入引脚、SPI 引脚 1.5 V
VIHYS 输入滞后 DRVOFF、输入引脚、SPI 引脚 0.1 V
RPD_nSLEEP nSLEEP 至 GND 的输入下拉电阻 在最低 VIH 电平下测得 100 400 kΩ
RPU_DRVOFF DRVOFF 至 5V 内部的输入上拉电阻 在最低 VIH 电平下测得 180 550 kΩ
RPD_EN/IN1 EN/IN1 上连接至 GND 的输入下拉电阻 在最高 VIL 电平下测得 200 500 kΩ
RPD_PH/IN2 PH/IN2 上连接至 GND 的输入下拉电阻 在最高 VIL 电平下测得 200 500 kΩ
RPU_nSCS nSCS 至 5V 内部的输入上拉电阻（二极管被阻止），仅限 SPI 型号 在最低 VIH 电平下测得 200 500 kΩ
RPD_SDI SDI 至 GND 上的输入下拉电阻，仅限 SPI 型号 在最高 VIL 电平下测得 150 500 kΩ
RPD_SCLK SCLK 至 GND 上的输入下拉电阻，仅限 SPI 型号 在最低 VIH 电平下测得 150 500 kΩ
VOL_SDO 输出逻辑低电压，仅限 SPI 型号 流入引脚的 0.5mA 灌电流 0.4 V
VOH_SDO5 输出逻辑高电压，仅限 SPI 型号 - 5V 接口 从引脚流出的 0.5mA 拉电流，V(nSLEEP) = 5V，VM > 7V，S 型号 4.1 V
VOH_SDO 输出逻辑高电压，仅限 SPI 型号 - 3.3V 接口 从引脚流出的 0.5mA 拉电流，V(nSLEEP) = 3.3V，VM > 5V，S 型号 2.7 V
VOH_SDO5 输出逻辑高电压，仅限 SPI 型号 - 5V 接口 从引脚流出的 0.5mA 拉电流，V(nSLEEP) = 5V，VDD = 5V，P 型号 4.5 V
VOH_SDO5_NL 输出逻辑高电压，仅限 SPI 型号 - 5V 接口 引脚无电流流出，V(nSLEEP) = 5V，VM > 7V，S 型号 5.5 V
VOH_SDO_NL 输出逻辑高电压，仅限 SPI 型号 - 3.3V 接口 引脚无电流流出，V(nSLEEP) = 3.3V，VM > 5V，S 型号 3.8 V
适用于 ITRIP、SR 和 DIAG 引脚的 6 级硬接线配置
RLVL1 短接至 GND 物理短接至 GND 10 Ω
RLVL2 电阻器至 GND +/-10% 电阻器 7.4 8.2 9 kΩ
RLVL3 电阻器至 GND +/-10% 电阻器 19.8 22 24.2 kΩ
RLVL4 电阻器至 GND +/-10% 电阻器 42.3 47 51.7 kΩ
RLVL5 电阻器至 GND +/-10% 电阻器 90 100 110 kΩ
RLVL6 无连接 悬空（无连接） 250 kΩ
适用于 MODE 引脚的 2 级硬接线配置
RLVL1 电阻器至 GND 物理短接至 GND 10 Ω
RLVL2 无连接 悬空（无连接） 250 kΩ
驱动器输出 (OUTx)
RHS_DS(on) 高边 MOSFET 导通电阻，RHL VVM = 13.5V、IO = 2A、TJ = 25°C 125 mΩ
VVM = 13.5V、IO = 2A、TJ = 150°C 220 mΩ
RLS_DS(on) 低边 MOSFET 导通电阻，RHL VVM = 13.5V、IO = 2A、TJ = 25°C 125 mΩ
VVM = 13.5V、IO = 2A、TJ = 150°C 220 mΩ
VSD_LS 体二极管正向电压 IOUTx = -2A（流出引脚） -1.5 -0.9 -0.4 V
VSD_HS 体二极管正向电压 IOUTx = 2A（流入引脚） 0.4 0.9 1.5 V
RHIZ 处于高阻态时的 OUTx 接地电阻，V(OUTx) = VM = 13.5V SR = 3'b000 或 3'b001 或 3'b010 或 3'b111 或 LVL2 或 LVL5 7 82 kΩ
SR = 3'b011 或 LVL3 15 27 kΩ
SR = 3'b100 或 LVL4 13 21 kΩ
SR = 3'b101 或 LVL1 10 18 kΩ，
SR = 3'b110 或 LVL6 7 12 kΩ
SRLSOFF 输出电压上升时间，10% - 90%，HS RECIRC SR = 3'b000 或 LVL2 1.1 V/µs
SR = 3'b001（仅 SPI） 5 V/µs
SR = 3'b010（仅 SPI） 10 V/µs
SR = 3'b011 或 LVL3 15 V/µs
SR = 3'b100 或 LVL4 20 V/µs
SR = 3'b101 或 LVL1 25 V/µs
SR = 3'b110 或 LVL6 40 V/µs
SR = 3'b111 或 LVL5 50 V/µs
tPD_LSOFF 输出电压上升期间的传播时间，HS RECIRC SR = 3'b000 或 LVL2 0.3 µs
SR = 3'b001（仅 SPI） 0.3 µs
SR = 3'b010（仅 SPI） 0.3 µs
SR = 3'b011 或 LVL3 0.3 µs
SR = 3'b100 和 3'b101 或 LVL4 和 LVL1 0.3 µs
SR = 3'b110 和 3'b111 或 LVL6 和 LVL5（仅 SPI） 0.27 µs
tDEAD_LSOFF 输出电压上升期间的死区时间，HS RECIRC 所有 SR 0.7 µs
SRLSON 输出电压下降时间，90% - 10%，HS RECIRC SR = 3'b000 或 LVL2 1 V/µs
SR = 3'b001（仅 SPI） 5 V/µs
SR = 3'b010（仅 SPI） 10 V/µs
SR = 3'b011 或 LVL3 17 V/µs
SR = 3'b100 或 LVL4 22 V/µs
SR = 3'b101 或 LVL1 28 V/µs
SR = 3'b110 或 LVL6 46 V/µs
SR = 3'b111 或 LVL5 58 V/µs
tPD_LSON 输出电压下降期间的传播时间，HS RECIRC SR = 3'b000 或 LVL2 0.18 µs
SR = 3'b001（仅 SPI） 0.18 µs
SR = 3'b010（仅 SPI） 0.18 µs
SR = 3'b011 或 LVL3 0.18 µs
SR = 3'b100 或 LVL4 0.18 µs
SR = 3'b101 或 LVL1 0.18 µs
SR = 3'b110 或 3'b111 或 LVL6 或 LVL5 0.18 µs
tDEAD_LSON 输出电压下降期间的死区时间，HS RECIRC SR = 3'b000 或 LVL2 3 µs
SR = 3'b001（仅 SPI） 0.9 µs
SR = 3'b010（仅 SPI） 0.8 µs
SR = 3'b011 或 LVL3 0.8 µs
所有其他 SR 0.8 µs
MatchSRLS 输出电压上升和下降压摆率匹配，仅适用于高侧再循环 所有 SR -20 20 %
电流检测和调节（IPROPI、VREF）
AIPROPI_TOP 电流比例因子，RHL 电流范围：0.5 A 至 2 A
 		 1354 1425 1496 A/A
AIPROPI_MID 电流比例因子，RHL 电流范围：0.1 A 至 0.5 A 1283 1425 1567 A/A
AIPROPI_BOT 电流比例因子，RHL 电流范围：0.05A 至 0.1A 1140 1425 1710 A/A
AIPROPI_M_TOP TOP 范围中两个半桥之间的电流匹配 -2 2 %
OffsetIPROPI 负载电流为零时 IPROPI 上的失调电流 在活动状态下测得 15 µA
BWIPROPI_SNS IPROPI 内置电流检测电路的带宽 IPROPI 上无外部电容器 .4 MHz
VIPROPI_LIM IPROPI 上的内部钳位电压 4 5.5 V
VITRIP_LVL 对 VIPROPI 的电压限制，旨在触发 TOFF 周期以进行 ITRIP 调节 ITRIP = 3'b001 或 LVL2 1.06 1.18 1.3 V
ITRIP = 3'b010（仅 SPI） 1.27 1.41 1.55 V
ITRIP = 3'b011（仅 SPI） 1.49 1.65 1.82 V
ITRIP = 3'b100 或 LVL3 1.78 1.98 2.18 V
ITRIP = 3'b101 或 LVL4 2.08 2.31 2.54 V
ITRIP = 3'b110 或 LVL5 2.38 2.64 2.9 V
ITRIP = 3'b111 或 LVL6 2.67 2.97 3.27 V
tOFF ITRIP 调节 - 关断时间 TOFF = 2'b00（仅 SPI） 16 20 25 µs
TOFF = 2'b01 (SPI)。仅适用于 HW 24 30 36 µs
TOFF = 2'b10（仅 SPI） 33 40 48 µs
TOFF = 2'b11（仅 SPI） 41 50 61 µs
保护电路
VVMOV 上升时的 VM 过压阈值 VMOV_SEL = 2'b00 (SPI)，仅适用于 HW 型号 33.6 37 V
VMOV_SEL = 2'b01（仅限 SPI） 28 31 V
VMOV_SEL = 2'b10（仅限 SPI） 18 21 V
VVMOV_HYS VM OV 迟滞 VM OV 迟滞 0.6 V
VVMUV VM 欠压 VM 下降 4.2 4.5 V
VVMUV_HYS VM UV 迟滞 VM UV 迟滞 0.2 V
tVMUV VM UV 抗尖峰脉冲时间 10 12 19 µs
tVMOV VM OV 抗尖峰脉冲时间 10 12 19 µs
VMPOR_FALL 器件进入 POR 时的 VM 电压 适用于 HW 和 SPI“S”型号 3.6 V
VMPOR_RISE 器件退出 POR 时的 VM 电压 适用于 HW 和 SPI“S”型号 3.9 V
VDDPOR_FALL 器件进入 POR 时的 VDD 电压 适用于 SPI“P”型号 3.5 V
VDDPOR_RISE 器件退出 POR 时的 VDD 电压 适用于 SPI“P”型号 3.8 V
IOCP_HS 高侧上的过流保护阈值 OCP_SEL = 2'b00 (SPI)，仅适用于 HW 6 12 A
OCP_SEL = 2'b10（仅 SPI） 4.5 9 A
OCP_SEL = 2'b01（仅 SPI） 3 6 A
IOCP_LS 低侧上的过流保护阈值 OCP_SEL = 2'b00 (SPI)，仅适用于 HW 6 12 A
OCP_SEL = 2'b10（仅 SPI） 4.5 9 A
OCP_SEL = 2'b01（仅 SPI） 3 6 A
tOCP 过流保护抗尖峰脉冲时间 TOCP_SEL = 2'b00 (SPI)，仅适用于 HW 4.5 6 7.3 µs
TOCP_SEL = 2'b01（仅 SPI） 2.2 3 4.1 µs
TOCP_SEL = 2'b10（仅 SPI） 1.1 1.75 2.3 µs
TOCP_SEL = 2'b11（仅 SPI） 0.15 0.35 0.55 µs
TTSD 热关断温度 155 170 185 °C
tTSD 热关断抗尖峰时间 10 12 19 µs
THYS 热关断滞后 30 °C
tRETRY 过流保护重试时间 4.1 5 6.2 ms
tCLEAR 在重试故障反应模式下自动清除 nFAULT 的无故障运行时间 80 200 µs
tCLEAR_TSD 在重试故障反应模式下自动清除 nFAULT 的无故障运行时间 4.2 6.7 ms
InFAULT_PD nFAULT 引脚上用于指示故障的下拉电流 VnFAULT = 0.3V 5 mA
开路负载检测电路
RS_GND OUT 至 GND 的电阻，将被检测为短路 1 kΩ
RS_VM OUT 至 VM 的电阻，将被检测为短路 1 kΩ
ROPEN_FB OUTx 之间的电阻，将被检测为开路，PH/EN 或 PWM 模式 1.5 kΩ
VOLP_REFH OLP 比较器基准电平高 2.65 V
VOLP_REFL OLP 比较器基准电平低 2 V
ROLP_PU OLP 期间 OUTx 对内部 5V 的电阻 VOUTx = VOLP_REFH + 0.1V 1 kΩ，
ROLP_PD OLP 期间 OUTx 接地电阻 VOUTx = VOLP_REFL - 0.1V 1 kΩ，
IPD_OLA 高侧再循环死区期间 OUT 至 GND 的内部灌电流 SR = 3'b000 或 3'b001 或 3'b010 或 3'b111 或 LVL2 或 LVL5 0.1 3.5 mA
SR = 3'b011 或 LVL3 0.5 0.8 mA
SR = 3'b100 或 LVL4 0.6 1 mA
SR = 3'b101 或 LVL1 0.5 1.5 mA
SR = 3'b110 或 LVL6 1 2 mA
VOLA_REF 相对于 VM 的 OLA 比较器基准 0.25 V
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