ZHCSOL3C November 2021 – August 2022 DRV8245-Q1
PRODMIX
在 VVM = 13.5V 时测得
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
RHS_ON | 高侧 FET 导通电阻,HTSSOP 封装 | IOUT = 6A,TJ = 25°C | 20 | mΩ | ||
IOUT = 6A,TJ = 150°C | 38 | mΩ | ||||
高侧 FET 导通电阻,VQFN-HR 封装 | IOUT = 6A,TJ = 25°C | 15.6 | mΩ | |||
IOUT = 6A,TJ = 150°C | 30.4 | mΩ | ||||
RLS_ON | 低侧 FET 导通电阻,HTSSOP 封装 | IOUT = 6A,TJ = 25°C | 20 | mΩ | ||
IOUT = 6A,TJ = 150°C | 38 | mΩ | ||||
低侧 FET 导通电阻,VQFN-HR 封装 | IOUT = 6A,TJ = 25°C | 15.2 | mΩ | |||
IOUT = 6A,TJ = 150°C | 30.4 | mΩ | ||||
VSD | 当体二极管被正向偏置时的低侧和高侧 FET 源漏电压 | IOUT = +/- 6A(两个方向) | 0.4 | 0.9 | 1.5 | V |
RHi-Z | 处于休眠或待机状态时的 OUT 接地电阻 | VOUTx = VVM = 13.5V | 0.9 | 5.63 | kΩ |