应使用一个推荐电容为 0.01 µF 且额定电压为 VM 的低 ESR 陶瓷旁路电容器将 VM 引脚旁路至 PGND。该电容器应尽可能靠近 VM 引脚放置，并通过粗迹线或接地平面与器件 PGND 引脚连接。

必须使用额定电压为 VM 的大容量电容器将 VM 引脚旁路至接地。该组件可以是电解电容器。

必须在 CPL 和 CPH 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 0.022 µF、额定电压为 VM 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。

必须在 VM 和 VCP 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 0.22 µF、额定电压为 16V 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。

OUT1 引脚（HTSSOP 封装的引脚 4、5、10、11；QFN 封装的引脚 3、6）必须使用粗 PCB 迹线连接在一起。同样，OUT2 引脚（HTSSOP 封装的引脚 6、7、8、9；QFN 封装的引脚 4、5）必须使用粗 PCB 迹线连接在一起。

使用低 ESR 陶瓷电容器将 DVDD 引脚旁路至接地。建议使用一个电容为 0.47 µF、额定电压为 6.3V 的电容器。将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。

散热焊盘必须连接到系统接地。若要驱动超过 5A 的峰值电流，可能需要在器件附近放置一个散热器。