可通过 VREF 电压 (V_VREF) 与 IPROPI 输出电阻器 (R_IPROPI) 设置电流斩波阈值 (I_TRIP)。可通过将外部 R_IPROPI 电阻器和 V_VREF 之间的压降与内部比较器进行比较来执行此操作。

例如，在双路 H 桥模式下，要将 I_TRIP 设置为 5A，而 V_VREF 为 3.3V，R_IPROPI 必须为：

R_IPROPI = V_VREF/(I_TRIP x A_IPROPI) = 3.3/(5 x 212 x 10^–6) = 3.09kΩ

在单路 H 桥模式下，将两个 IPROPI 引脚连接在一起。在双路 H 桥模式下，有两个 VREF 引脚，这允许为每个有刷直流电机设置单独的电流斩波阈值。

可以禁用内部电流调节，方法是将 IPROPI 绑定到 GND 并将 VREF 引脚电压设置为高于 GND 的值（如果不需要电流反馈）。如果需要电流反馈但不需要电流调节，则需要设置 V_VREF 和 R_IPROPI，使 V_IPROPI 永远不会达到 V_VREF 阈值。

图 6-5 电流调节

流经电机绕组的电流由一个可调节关断时间的 PWM 电流调节电路进行调节。在 PWM 电流斩波期间，将启用 H 桥以驱动电流流过电机绕组，直至达到 PWM 电流斩波阈值。

当达到 I_TRIP 电流时，对于单路 BDC 或双路 BDC 应用，在 DECAY 引脚接地的情况下，该器件通过启用两个高侧 FET 达到 t_OFF 时间（由 TOFF 引脚编程）来强制进行慢速电流衰减。

当 t_OFF 时间已过且电流电平降至电流调节 (I_TRIP) 电平以下时，将根据输入重新启用输出。如果在 t_OFF 时间过后，电流仍高于 I_TRIP 电平，则器件将强制执行时间相同的另一个 t_OFF 时间段。这一“双倍 t_OFF”时间将持续，直至电流在 t_OFF 时间结束时小于 I_TRIP。

在电流调节过程中，可以切换输入以沿相反方向驱动负载，从而更快地衰减电流。例如，如果负载在进入电流调节之前处于正向驱动状态，则只有当驱动器强制执行电流调节时，负载才能进入反向驱动状态。

对于单路或双路 BDC 应用，DECAY 引脚应保持接地，以便在 t_OFF 期间实现高侧慢速衰减。对于步进应用，DECAY 引脚电压应根据所需的衰减模式而定。由 DECAY 引脚来选择衰减模式，如表 6-7 所示。

如果 INx 控制引脚输入的状态在 t_OFF 时间内发生变化，则 t_OFF 时间的剩余部分将被忽略，输出将再次跟随输入。如图 6-6 中所示。

图 6-6 电流调节

如表 6-8 所示，TOFF 引脚配置 PWM 关断时间。该器件支持动态更改关断时间。