基于热模拟的信息
表 5-1 瞬态热阻抗 (RθJA) 和电流能力RθJA [°C/W](1) | 配置 | 电流 (A)(2) |
没有脉宽调制 (PWM)(3) | 有脉宽调制 (PWM)(4) |
0.1s | 1s | 10s | DC | 0.1s | 1s | 10s | DC | 10s | DC |
1.8 | 4.7 | 8.4 | 23.3 | 双 H 桥（两个输出均加载相同的电流） | 8 | 5.7 | 4.2 | 2.5 | 4 | 2.2 |
| 双 H 桥（仅一个输出加载） | 8 | 8 | 6 | 3.5 | 5.4 | 3 |
| 单路 H 桥 | 16 | 11.3 | 8.4 | 4.9 | 7.9 | 4.4 |
(1) 使用 114.3mm x 76.2mm x 1.6mm 4 层 PCB 模拟 – 在顶层和底层使用 2oz 铜，在内部平面上使用 1oz 铜，16cm2 顶层和底层铜面积，在散热焊盘下方有 13 x 5 个散热过孔阵列，1.1mm 间距，0.2mm 直径，0.025mm 铜镀层。
(2) 在 85°C 环境温度下，估计结温升高至 150°C 的瞬态电流能力。
(3) 只考虑 48V 电源电压下的导通损耗 (I2R) 和静态电流损耗。根据电气特性表，考虑使用 150°C 时的最大导通电阻值计算导通损耗。
(4) 通过如下公式估计开关损耗：PSW = VVM x ILoad x fPWM x tRF，其中 VVM = 48V，fPWM = 20KHz，tRF = 110ns