每个 MOSFET 上的模拟电流限制电路通过移除栅极驱动来限制通过 MOSFET 的电流。如果该电流限制的持续时间超过 t_OCP，则会检测到过流故障。

• 将禁用 H 桥。对于双路 H 桥模式，将仅禁用发生过流的 H 桥。

• nFAULT 被驱动为低电平

• 电荷泵保持有效状态

高侧和低侧 MOSFET 上的过流情况；这意味着接地短路或电源短路将导致过流故障检测。

消除过流条件后，恢复机制取决于 OCPM 引脚设置。OCPM 引脚对闭锁或自动重试型恢复进行编程。

• 当 OCPM 引脚为逻辑低电平时，该器件具有闭锁型恢复功能，这意味着消除 OCP 条件后，器件会在施加 nSLEEP 复位脉冲或下电上电后恢复正常运行。

• 当 OCPM 引脚为逻辑高电平时，经过 t_RETRY 时间且故障条件消失后，器件将自动恢复正常运行（驱动器运行且释放 nFAULT 引脚）。